吴渊渊
- 作品数：60 被引量：20H指数：3
- 供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金苏州市国际科技合作项目国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程理学机械工程更多>>
- 外延生长方法、外延结构及光电器件
- 本发明揭示了一种外延生长方法、外延结构及光电器件，所述方法包括：S1、对硅衬底表面进行处理；S2、采用迁移增强外延法，在380～510℃低温条件下交替通入/关断ⅢA族源和ⅤA族源，在硅衬底上外延生长III‑V族化合物形核...
- 魏铁石李雪飞吴渊渊陆书龙杨文献张雪
- 文献传递
- 基于Os衬底的外延结构及其制作方法
- 本发明公开了一种基于Os衬底的外延结构，其包括Os衬底和依次生长于Os衬底上的AlN过渡层、GaN缓冲层、非掺杂GaN层及InGaN/GaN多量子阱。其中，所述Os衬底以(100)面作为外延生长面，并且所述Os衬底的晶体...
- 李宝吉吴渊渊陆书龙
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- 在GaP/Si衬底上外延生长InGaAs薄膜的方法及InGaAs薄膜
- 提供了一种在GaP/Si衬底上外延生长InGaAs薄膜的方法，所述方法包括：在GaP/Si衬底上生长形成GaP缓冲层；在所述GaP缓冲层上生长形成层叠的若干InP/InGaAs超晶格结构缓冲层；在所述若干InP/InGa...
- 魏铁石李雪飞陆书龙吴渊渊杨文献张雪孙强健邢志伟
- 文献传递
- InAlN/GaNhemt的MBE生长及器件制备
- InAlN/GaN异质结在制作高迁移率晶体管(hemt)上有独特优势,当In组分为18％,时,InAlN与GaN晶格匹配,可以克服界面陷阱、电流崩塌效应等传统氮化物hemt器件遇到的问题；同时,依靠自发极化,InAlN/...
- 顾俊吴渊渊杨文献李宝吉代盼罗向东陆书龙杨辉
- 三结太阳能电池及其制备方法
- 本发明公开了一种三结太阳能电池，包括Si子电池、以及在Si子电池上依次叠层设置的过渡层组、第一隧道结、AlGaAs子电池、第二隧道结、AlGaInP子电池。本发明还公开了三结太阳能电池的制备方法，包括：制备Si子电池；在...
- 代盼陆书龙吴渊渊谭明季莲杨辉
- 文献传递
- 多结叠层电池及其制备方法
- 本发明提供一种多结叠层电池，包括一衬底、一InGaN基电池膜层与一III-V族多结电池膜层，所述衬底置于所述III-V族多结电池膜层的裸露表面，所述InGaN基电池膜层与III-V族多结电池膜层之间通过键合方式以连接。本...
- 郑新和张东炎李雪飞吴渊渊陆书龙杨辉
- 文献传递
- 图形化衬底对高In组分InGaN材料分子束外延(MBE)生长的影响
- 2016年
- 研究了不同衬底上MBE技术生长的InGaN的光学和结构特征。结果表明,在相同生长条件下,用图形化衬底生长的InGaN材料比用普通衬底生长的材料有较低的表面粗糙度和背景载流子浓度及较强的发光强度。通过透射电子显微镜(TEM)观察,发现普通衬底生长的InGaN内部原子错排现象严重,而采用图形化衬底生长的InGaN原子排列清晰规则。这主要是因为图形化衬底材料外延初期为横向生长模式,这种生长模式可有效地抑制穿透位错在GaN材料体系中的纵向延伸,降低GaN缓冲层中的位错密度,进而抑制外延InGaN材料中穿透位错和V型缺陷的产生。
- 李宝吉吴渊渊陆书龙张继军
- 关键词：INGAN分子束外延晶体质量
- 1eV带隙GaNAs/InGaAs短周期超晶格太阳能电池的设计被引量：2
- 2013年
- 使用In,N分离的GaNAs/InGaAs短周期超晶格作为有源区是未来实现高效率GaInNAs基太阳能电池的重要结构之一.同时,考虑到具有1eV带隙的GaInNAs子电池的重要性以及与Ge衬底晶格匹配的优势,基于Ge衬底上的四结及多结太阳能电池无疑荣景可期.为在实验上较好地控制所需带隙,我们利用传输矩阵方法从理论上计算了实现1eV带隙下超晶格的周期数、垒层厚度以及In,N的浓度,并进一步讨论分析1eV带隙下的多个相关参数的对应关系以及超晶格的应变状态.
- 王海啸郑新和文瑜吴渊渊甘兴源王乃明杨辉
- 关键词：太阳能电池
- 分子束外延生长固态Te掺杂AlInP及在电池中的应用
- 代盼陆书龙谭明吴渊渊季莲
- 1eV吸收带边GaInAs/GaNAs超晶格太阳能电池的阱层设计被引量：4
- 2013年
- 使用In,N分离的GaInAs/GaNAs超晶格作为有源区是实现高质量1eV带隙GaInNAs基太阳能电池的重要方案之一.为在实验上生长出高质量相应吸收带边的超晶格结构,本文采用计算超晶格电子态常用的Kronig-Penney模型比较了不同阱层材料选择下,吸收带边为1 eV的GaInAs/GaNAs超晶格相关参数的对应关系以及超晶格应变状态.结果表明:GaNAs与GaInAs作为超晶格阱层材料在实现1 eV的吸收带边时具有不同的考虑和要求;在固定1 eV的吸收带边时,GaNAs材料作为阱层可获得较好的超晶格应变补偿,将有利于生长高质量且充分吸收的太阳能电池有源区.
- 王海啸郑新和吴渊渊甘兴源王乃明杨辉
- 关键词：KRONIG-PENNEY模型太阳能电池
