张克从
- 作品数：69 被引量：166H指数：8
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- 相关领域：理学电子电信化学工程机械工程更多>>
- 人工晶体的发展被引量：19
- 2002年
- 本文扼要地综述了 2 0世纪后半叶人工晶体发展的简况 ,其中包括块状晶体、薄膜晶体、纤维晶体、纳米晶体。最后在已取得成就的基础上 ,展望了人工晶体发展的未来。
- 张克从王希敏
- 关键词：人工晶体薄膜晶体纳米晶体
- ADP晶体快速生长及其相关性能研究被引量：13
- 1994年
- 根据减小晶体生长溶质边界层厚度（δ＿ｃ）和加快生长界面“反应”速率的原理，研究了溶液的搅拌速度、溶液的ｐＨ值和生长温度等对磷酸二氢铵（ＡＤＰ）晶体的最大透明生长速度的影响，快速地生长出晶体。对生长的晶体的透过率、消光比和激光损伤阈值进行了测定。实验结果表明，快速生长的ＡＤＰ晶体与传统的降温法生长的晶体相比，其光学质量并无降低。
- 王希敏许实张克从
- 关键词：磷酸二氢铵晶体晶体生长
- 新型TGS系列晶体的生长被引量：8
- 1991年
- 本文选用结构与甘氨酸相似且偶极矩较大的有机分子作为置换式掺杂剂,用水溶液降温首次生长出四种新型的均匀透明的大尺寸TGS系列晶体,即掺乙二胺的TGS(ENTGS),掺羟基乙酸的TGS(HTGS)、掺氨基乙醇的TGS(AMTGS)和掺DL-酒石酸的TGS(TATGS)等四种新型晶体,并分别测定了相应溶液的准稳定区,研究了它们各自的生长习性,同时应用了X射线粉末衍射与红外光谱分析等方法,证实了掺杂剂均已进入晶体,达到了预期的目的。
- 王希敏常新安张克从
- 关键词：晶体热释电掺杂剂
- 晶体最基本性质及其拓宽被引量：1
- 2003年
- 本文首先概述了晶体三维周期性结构的表征与其内涵 ,继而简要地阐明了晶体基本性质和人工调制晶体周期性结构 ,最后在已取得成就的基础上 ,展望了新型晶体材料发展的未来。
- 张克从王希敏
- 关键词：晶体空间点阵
- 非线性光学晶体多功能测试系统被引量：3
- 1997年
- 非线性光学晶体多功能测试系统的主要特点是：应用现代最先进的激光技术，光电技术和光学技术，针对非线性光学晶体材料的习性，采用一机多能的方法，来达到测试非线性光学晶体一些重要参数的目的。本系统由以下三部分组成：１调ＱＹＡＧ激光器和Ｈｅ－Ｎｅ激光器部分调ＱＹＡＧ激光器是本系统的测试用主光源，其输出能量０～２０ｍＪ连续可调，激光脉冲宽度为１２～２０ｎｓ，光束发散角约２ｍｒａｄ，频率为１Ｈｚ，激光器输出有较高的稳定性，能确保测试时的稳定性。ＨｅＮｅ激光器做为指示光源和测试光源两种用途，在测试晶体的半波电压，检查晶体的应力，校正倍频器件的匹配角时它做为测试光源；在对晶体材料相位匹配的分类的测试中起指示光源的作用，这也是本系统特色之一。２测试光路部分测试光路是测试非线性光学晶体材料时所需要的几何光路，本系统设计的光路采用“积木”组合方法，即在一个固定的光具座平面上设置若干个光学调整架，光学调整架具有调整光学元件左右，俯仰，升降等功能，在测试晶体材料某些性能时，只要安装上所需要的光学元件就组成了测试光路，如在测试当中需要改变原有的光路，只要改变光学调整架的位置和更换光学元件即可方便地得到新的测试光路，这是本系统的主要特色。?
- 臧和贵张红肖卫强王希敏张克从
- 关键词：非线性光学晶体测试仪非线性光学材料
- KADP晶体生长研究被引量：5
- 1995年
- 采用水溶液降温法在以ＡＤＰ为主的溶液中生长了不同组成的ＫＡＤＰ晶体。测定了相应溶液的准稳定区，较系统地研究了溶液中ＫＤＰ含量对晶体形态的影响，初步探讨了晶体开裂的机理，提出了以ＡＤＰ晶体作籽晶时，ＫＡＤＰ晶体生长溶液中ＫＤＰ的最高浓度，以及进一步提高ＫＤＰ浓度的可能途径。所生长的ＫＡＤＰ晶体在波长３００～９００ｎｍ范围内的透过率均在７０％以上。
- 常新安王希敏张克从
- 关键词：非线性光学晶体晶体生长磷酸二氢钾
- 单畴热释电双掺硫酸甘氨酸晶体的水溶液生长
- 水溶液生长双掺单畴热释电晶体ＡＴＧＳＡｓ的水溶生长，属于溶液降温生长晶体的技术领域。将甘氨酸，硫酸，Ｌ－丙氨酸和砷酸按比例溶于一定体积的蒸馏水中，装入生长瓶。在单畴性好的ＡＴＧＳＡｓ或ＡＴＧＳ上切取片状晶种，用夹具固定，...
- 房昌水王民张克从
- 文献传递
- 高激光损伤阈值KDP晶体的生长被引量：4
- 1992年
- 本文采取分次结晶的高纯 KDP 原料与无菌水配制 KDP 晶体生长溶液,以便降低杂质与细菌对晶体光学质量的影响。用电子计算机拟合 KDP 溶解度与温度成函数关系,推算出 KDP 晶体均匀生长的降温量,采用正交设计方法探索了四因素三水平对晶体生长与其形态的影响,寻找了高激光损伤阈值 KDP 晶体生长的适宜条件。
- 王希敏刘福强张克从
- 关键词：KDP晶体损伤阈值晶体生长
- 双掺杂钨酸锌晶体生长及去色机理研究被引量：1
- 1989年
- 生长出单掺杂 Ce:ZnWO_4、Sm:ZnWO_4晶体及双掺杂的(Ce、Li):ZnWO_4、(Sm、Li):ZnWO_4晶体。研究了晶体生长特点。通过调节温场等途径,解决了双掺杂晶体生长中的组分过冷问题。对掺杂去色机理作了探讨。
- 田玉金汪良苗张克从
- 关键词：闪烁晶体晶体生长
- 双掺离子在KTNNP晶体生长中的协同效应研究被引量：3
- 2001年
- 本文采用高温溶液法生长了不同掺质浓度的较大尺寸掺Nd3+ 和Nb5+ KTP(KTNNP)晶体 ,以X射线单晶衍射仪测定了所生长晶体的晶胞参数 ,以等离子发射光谱 (ICP AES)法系统测定了晶体中的掺质浓度。实验结果显示 ,掺Nd3+ 和Nb5+ 后 ,KTP晶体生长习性和形态发生了很大的变化 ,而且体系中Nd3+ 的分配系数明显增大 ,并随Nb5+ 浓度的增大而增大 ,从而体现了Nb5+ 对Nd3+ 的协同效应。另外 ,掺质后 ,晶体的单胞体积一般略有增大 ,但未呈现出规律性。
- 常新安臧和贵肖卫强张晓红江少林王希敏张克从
- 关键词：生长习性晶体形态
