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张德贤
作品数:
10
被引量:8
H指数:2
供职机构:
西安交通大学
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相关领域:
电子电信
自动化与计算机技术
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合作作者
刘刚
西安交通大学
刘刚
西安交通大学电气工程学院绝缘研...
龚彬
西安交通大学电子与信息工程学院...
王昌华
西安交通大学电子与信息工程学院...
张婷婷
西安交通大学
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作者
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张德贤
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张婷婷
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刘刚
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西安交通大学...
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中国电工技术...
1篇
中国电工技术...
年份
1篇
1999
2篇
1997
1篇
1996
1篇
1993
1篇
1992
2篇
1990
共
10
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国产磨料的杂质及研磨对硅片的污染分析
被引量:1
1990年
本文研究了国产磨料的成分、杂质和磨料、磨具对硅片的污染,分析了铁对硅器件的危害,提出了减少污染的方法.
张德贤
王昌华
龚彬
关键词:
研磨
硅
磨料
污染
硅器件工艺中的铁污染及其对器件特性的影响
张德贤
关键词:
半导体器件
硅
铁
扩散
伏-安特性
硅器件工艺中的铁污染及其对器件特性的影响
被引量:1
1992年
文中研究了硅器件的异常产生电流和异常特性,揭示了它们的产生原因均是硅器件中有铁污染。
张德贤
关键词:
硅器件
污染
铁
可适应环境温度变化的GaAs霍尔传感器及其放大器的温漂补偿方法
被引量:2
1997年
研究了GaAs霍尔传感器及其放大器的温漂的相关因素,提出了整体补偿思想,经实验验证,其最大相对误差小于0.1%。
张德贤
刘刚
关键词:
传感器
放大器
漂移补偿
霍尔传感器
GaAs 霍尔传感器及其放大器温漂补偿的研究
被引量:5
1997年
本文研究了GaAs霍尔传感器及其放大器的温漂的相关因素,提出了整体补偿思想,实验结果令人满意,最大相对误差小于0.1%
张德贤
刘刚
关键词:
传感器
温度补偿
霍尔传感器
硅器件伏安特性与高温合格率相关性的研究
1999年
硅半导体元件/伏安特性合格率
张德贤
张婷婷
关键词:
伏安特性
合格率
高温
硅器件
半导体器件
台面型硅器件的漏电流与研磨损伤层相关理论
张德贤
该理论主要用于指导降低经研磨造成的台面型硅器件的漏电流,从而提高其高温稳定性、可靠性和电压等级合格率。研究表明,由研磨造成的晶格损伤层及其中的污染,将在硅禁带中线以上引入新的深能级中心,它为禁带中心以下深能级中心上的电子...
关键词:
关键词:
半导体器件
漏电流
高压硅整流元件高温耐压影响因素的研究
张德贤
该项研究成果对硅整流管的击穿机理和高温耐压特性进行了理论分析和较系统的试验研究,提出了:1.尺形转折特性的击穿机理是NN(+)结区的表面隧道击穿效应的观点,并从工艺上提出了获得体雪崩的途径;2.归一化基区的概念,分析了漏...
关键词:
关键词:
电气强度
击穿
影响因素
耐压性
高温试验
硅整流器
无机保护用硅晶闸管的研究
1996年
研究了直流溅射造成硅器件性能劣化的原因,探讨了用液相钝化预处理能提高溅射合格率的机理,提出了避免劣化的方法.试验证明。
张德贤
王富珍
王丽莲
用于大功率GTO挖槽的改进的酸腐蚀工艺
张德贤
张昌利
徐瑗
关键词:
功率晶体管
半导体工艺
晶闸管
刻蚀
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