张豫黔
- 作品数：4 被引量：26H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术更多>>
- 光通信用InGaAs/InP雪崩光电二极管被引量：1
- 2016年
- 针对InGaAs/InP雪崩光电二极管（APD）器件结构,介绍了本地电场模型在器件设计上的应用。采用数值计算的方法,导出了吸收区、渐变区、电荷区和倍增区分离的（SAGCM）APD的电场分布。基于本地电场模型讨论了不同器件结构参数对器件穿通电压、击穿电压、倍增因子等特性的影响,实验结果与模拟结果相吻合,表明此方法可以用于器件的结构设计优化及特性分析。在此方法指导下,制作出了SAGCM APD。测试结果表明器件穿通电压小于30V,击穿电压小于45V,在倍增因子为1时,器件响应度大于0.9A/W,在倍增因子为10时,器件暗电流小于10nA,在倍增因子为5-12时,-3dB带宽均大于3GHz,其性能满足2.5Gbit/s光纤通信应用要求。
- 尹顺政齐利芳赵永林张豫黔车向辉张宇
- 关键词：INP雪崩光通信
- 纳电子器件谐振隧道二极管的研制被引量：3
- 2002年
- 采用分子束外延方法在砷化镓衬底上生长了双垒单阱结构 ,然后用常规半导体器件工艺制成了谐振隧穿二极管 (RTD) ,有相当好的 I- V特性 .对于 5μm× 5μm的 RTD器件 ,在室温条件下 ,测得其峰谷比最大可到 7.6∶ 1,最高振荡频率大于 2 6
- 梁惠来赵振波郭维廉张世林牛萍娟杨中月郝景臣张豫黔王文君魏碧华周均铭王文新
- 关键词：纳米电子器件砷化镓
- 一种低暗电流高响度InGaAs/InP pin光电探测器被引量：3
- 2014年
- 分析了InGaAs/InP pin光电探测器暗电流和响应度的影响因素,并对MOCVD外延工艺以及器件结构进行优化,从而提高器件响应度和降低暗电流。采用低压金属有机化学气相沉积设备(LP-MOCVD)成功制备了InGaAs/InP pin光电探测器,得到了高质量的晶体材料,InGaAs吸收层的背景浓度低于4×1014 cm-3。利用扩Zn工艺制作出感光区直径为70μm的平面光电探测器。测量结果显示,在反偏电压为5 V时,暗电流小于0.05 nA,电容约为0.4 pF。此外,在1 310 nm激光的辐照下,器件的响应度可达0.96 A/W以上。
- 车相辉张宇宁吉丰李洪涛王晶位永平张豫黔赵润陈宏泰
- 关键词：INGAAS光电探测器暗电流响应度
- 共振隧穿二极管被引量：20
- 2002年
- 设计并研制出室温工作的共振隧穿二极管,室温电流峰谷比达到7.6:1,最高振荡频率为54GHz。本文对RTD的设计、研制过程、参数和特性测试进行了系统的分析和说明。
- 郭维廉梁惠来张世林牛萍娟毛陆虹赵振波郝景臣魏碧华张豫黔宋婉华杨中月
- 关键词：共振隧穿二极管量子效应负阻特性RTD振荡频率
