您的位置: 专家智库 > >

张韧

作品数:5 被引量:0H指数:0
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金:国家科技重大专项更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇功率放大
  • 3篇功率放大器
  • 3篇放大器
  • 2篇电路
  • 2篇射频
  • 1篇电流
  • 1篇电流信号
  • 1篇电流增益
  • 1篇电学稳定性
  • 1篇有源
  • 1篇增益
  • 1篇射频前端
  • 1篇自热效应
  • 1篇组件
  • 1篇线性功率
  • 1篇线性功率放大...
  • 1篇芯片
  • 1篇芯片设计
  • 1篇晶体管
  • 1篇晶体管电路

机构

  • 4篇中国科学院微...
  • 2篇电子科技大学
  • 1篇湖南大学

作者

  • 5篇张韧
  • 4篇阎跃鹏
  • 4篇杨洪文
  • 3篇刘宇辙
  • 2篇孙征宇
  • 2篇杨务诚
  • 1篇鲍景富
  • 1篇张立军
  • 1篇曾云

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2013
  • 4篇2012
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
带有片上有源平衡-不平衡变换器的超宽带混频器电路
本发明属于射频无线接收机集成电路技术领域,公开了一种带有片上有源平衡-不平衡变换器的超宽带混频器电路,该电路包括片上有源balun构成的本振LO开关级、RF跨导放大级和中频IF负载级,其中RF放大级将RF电压信号经过跨导...
孙征宇杨洪文阎跃鹏张立军张韧杨务诚刘宇辙
文献传递
C波段GaAs HBT-MMIC功率放大器的研制
功率放大器是无线收发系统中的关键部件。本文基于GaAs HBT技术,开展了功率放大器芯片的设计工作,主要进行了以下方面的工作:  (1)研究了GaAs HBT自热效应及电流增益坍塌现象及产生机理,并从电路角度分析了镇流电...
张韧
关键词:功率放大器芯片设计自热效应
面向IMT-Advanced应用的射频前端T/R组件的设计与实现
2012年
阐述了面向IMT-Advanced应用的射频前端T/R组件中各模块的设计与实现方法,并对接收支路和发射支路进行了设计。宽带开关工作频率范围为0~6GHz,具有插入损耗低、隔离度高的优点;超宽带低噪声放大器在700MHz~6GHz的工作范围内增益高且平坦,噪声系数小;宽带功率放大器采用自适应线性化偏置电路,在5.8GHz频段具有优良的线性度。整个T/R组件输入电压为5V,接收支路增益为13.75dB,噪声系数为6.58dB,发射支路增益为22.77dB,输出功率为20.2dBm。
杨务诚杨洪文曾云阎跃鹏孙征宇张韧刘宇辙
用于W-LAN的5.8GHz InGaP/GaAs HBT MMIC线性功率放大器(英文)
2012年
介绍了一种应用于W-LAN系统的5.8 GHz InGaP/GaAs HBT MMIC功率放大器。该功率放大器采用了自适应线性化偏置电路来改善线性度和效率,同时偏置电路中的温度补偿电路可以抑制直流工作点随温度的变化,采用RC稳定网络使放大器在较宽频带内具有绝对稳定性。在单独供电3.6 V电压情况下,功率放大器的增益为26 dB,1 dB压缩点处输出功率为26.4 dBm,功率附加效率(PAE)为25%。三阶交调系数(IMD3)在输出功率为26.4 dBm时为-19 dBc,输出功率为20 dBm时低于-38 dBc,在1 dB压缩点处偏移频率为20 MHz时邻道功率比(ACPR)值为-31 dBc。
张韧杨洪文鲍景富阎跃鹏
关键词:功率放大器INGAP/GAASHBT
功率放大晶体管电路及提高其稳定性的方法
本发明属于功率放大器技术领域,具体公开了一种功率放大晶体管电路及提高其稳定性的方法,其中功率放大晶体管电路包括一个功率放大晶体管(T1)和一个连接于功率放大晶体管基极的稳定电路(5),稳定电路(5)由一射频输入通路和一直...
杨洪文阎跃鹏刘宇辙张韧
文献传递
共1页<1>
聚类工具0