彭铭曾
- 作品数：12 被引量：6H指数：1
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- 桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管及制备方法
- 本发明涉及一种可解决P电极和N电极边缘间发光损失的桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管及制备方法，通过金属有机物化学气相沉积生长技术，在异质材料或双抛面蓝宝石衬底上生长氮化镓基LED的多层材料结构，经过光刻、淀积、刻蚀、...
- 贾海强李卫李永康彭铭曾朱学亮
- 文献传递
- 桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管
- 本实用新型涉及一种可解决P电极和N电极边缘间发光损失的桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管，通过金属有机物化学气相沉积生长技术，在异质材料或双抛面蓝宝石衬底上生长氮化镓基LED的多层材料结构，经过光刻、淀积、刻蚀、蒸发、...
- 贾海强李卫李永康彭铭曾朱学亮
- 文献传递
- 桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管及制备方法
- 本发明涉及一种可解决P电极和N电极边缘间发光损失的桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管及制备方法，通过金属有机物化学气相沉积生长技术，在异质材料或双抛面蓝宝石衬底上生长氮化镓基LED的多层材料结构，经过光刻、淀积、刻蚀、...
- 贾海强李卫李永康彭铭曾朱学亮
- 文献传递
- n型Al_xGa_(1-x)N材料的电学和光学性质
- 2006年
- 文章介绍了无裂纹高导电性n型A lxGa1-xN的MOCVD生长及其电学、光学和表面形貌性质。通过A lN两步生长法,有效地解决了A lxGa1-xN外延薄膜易裂的难题。并且对其生长进行优化,减少了A lxGa1-xN外延薄膜中的受主补偿缺陷,从而实现了高导电性的n型A lxGa1-xN薄膜,其载流子浓度为4.533×1018cm-3,并且电子迁移率高达77.5cm2/V.s,已经达到了目前国际上报道的先进水平。另外光学吸收谱说明A lxGa1-xN外延薄膜在302nm处具有陡峭的带边吸收,同时结合原子力显微镜分析材料的表面形貌,证实了材料表面光滑且平整。
- 彭铭曾张洁朱学亮郭丽伟贾海强陈弘周均铭
- 关键词：MOCVD光学吸收
- r面蓝宝石衬底上采用两步AlN缓冲层法外延生长a面GaN薄膜及应力研究被引量：5
- 2007年
- 采用MOCVD技术在r面蓝宝石衬底上采用两步AlN缓冲层法外延制备了a面GaN薄膜.利用高分辨X射线衍射技术和Raman散射技术分析了样品的质量以及外延膜中的残余应力.实验结果表明:样品的(11■0)面的X射线双晶摇摆曲线的半峰宽仅为0.193°,Raman光谱中E2高频模的半峰宽仅为3.9cm-1,这些说明a面GaN薄膜具有较好的晶体质量;X射线研究结果表明样品与衬底的位相关系为:[11■0]GaN‖[1■02]sapphire,[0001]GaN‖[■101]sapphire和[■100]GaN‖[11■0]sapphire;高分辨X射线和Raman散射谱的残余应力研究表明,采用两步AlN缓冲层法制备的a面GaN薄膜在平面内的残余应力大小与用低温GaN缓冲层法制备的a面GaN薄膜不同,我们认为这是由引入AlN带来的晶格失配和热失配的变化引起的.
- 颜建锋张洁郭丽伟朱学亮彭铭曾贾海强陈弘周均铭
- 关键词：X射线衍射RAMAN谱
- n型AlxGa1-xN材料的电学和光学性质
- 本文介绍了无裂纹高导电性n型AlxGa1-xN的MOCVD生长及其电学、光学和表面形貌性质。通过AlN两步生长法,有效地解决了AlxGa1-xN外延薄膜易裂的难题，并且对其生长进行优化,减少了AlxGa1-xN外延薄膜中...
- 彭铭曾张洁朱学亮郭丽伟贾海强陈弘周均铭
- 关键词：半导体薄膜
- 文献传递
- 一种氮化镓基大管芯发光二极管及其制备方法
- 本发明涉及一种可解决P电极和N电极边缘间发光损失的氮化镓基大管芯发光二极管及其制备方法，通过金属有机物化学气相沉积生长技术，在异质材料或双抛面蓝宝石衬底上生长氮化镓基LED的多层材料结构，经过光刻、淀积、刻蚀、蒸发、剥离...
- 贾海强李卫李永康彭铭曾朱学亮
- 文献传递
- AlN外延薄膜的生长和特征
- 本文研究了AlN薄膜的晶体质量、表面形貌、应力等性质与AlN生长工艺的依赖关系。通过对低温成核厚度、成核温度和高温生长AlN所用Ⅴ/Ⅲ比的研究,制备出了具有较好晶体质量的AlN薄膜。高分辨三晶X射线衍射给出AlN薄膜的(...
- 张洁彭铭曾朱学亮颜建锋郭丽伟贾海强陈弘周均铭
- 关键词：半导体薄膜薄膜生长薄膜形貌
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- 深紫外AlGaN材料的生长、表征及其应用研究
- 宽禁带III-V族氮化物(InN、GaN、AIN以及由它们组成的合金固熔体)是直接带隙材料，其覆盖从红光到紫外间的光谱范围。其中，AlxGal-xN三元合金的禁带宽度可通过Al组分来调节，从3.4eV(GaN)到6.2e...
- 彭铭曾
- 关键词：化学气相沉积
- AlN外延薄膜的生长和特征被引量：1
- 2007年
- 文章研究了A lN薄膜的晶体质量、表面形貌、应力等性质与A lN生长工艺的依赖关系。通过对低温成核厚度、成核温度和高温生长A lN所用Ⅴ/Ⅲ比的研究,制备出了具有较好晶体质量的A lN薄膜。高分辨三晶X射线衍射给出A lN薄膜的(002)和(105)的半高宽分别为16.9arcsec和615arcsec,接近国际上报道的较好结果。原子力显微镜对表面形貌的分析表明A lN薄膜的粗糙度为5.7nm。拉曼光谱表明E2(high)模向高能方向移动,说明蓝宝石上外延的A lN薄膜处于压应变状态。光学吸收谱在204nm处具有陡峭的带边吸收,也表明了A lN外延薄膜具有较好地晶体质量。
- 张洁彭铭曾朱学亮颜建锋郭丽伟贾海强陈弘周均铭
- 关键词：ALNMOCVD表面形貌光学吸收
