徐庆安
- 作品数：13 被引量：33H指数：3
- 供职机构：西安交通大学更多>>
- 发文基金：河南省杰出人才创新基金国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- ZnO薄膜的L-MBE动力学机制被引量：2
- 2007年
- 利用自制高纯ZnO陶瓷靶材进行了ZnO薄膜的激光分子束外延(L-MBE)生长,发现ZnO薄膜的L-MBE生长的沉积速率远低于脉冲激光沉积(PLD)的沉积速率,并且基于ZnO薄膜生长过程中ZnO靶材与纳秒脉冲激光的刻蚀实验现象,利用脉冲激光烧蚀ZnO陶瓷靶材的热控制理论对ZnO靶材的低刻蚀速率和ZnO薄膜的低生长速率进行了分析讨论,对实验结果进行了合理的解释.分析了等离子体羽辉的形成过程及其动力学特征,揭示了ZnO薄膜L-MBE生长所具有的独特动力学特性,即高能等离子体冲击过程中的超饱和超快生长和脉冲间隙的热平衡弛豫的交替过程.高能沉积粒子和低生长速率对于高结晶质量ZnO薄膜的外延制备是十分有利的.
- 贺永宁张景文杨晓东徐庆安朱长纯侯洵
- 关键词：ZNO薄膜激光分子束外延动力学机制
- 高质量ZnO薄膜的L－MBE 法生长及其特性研究
- 本文采用激光分子束外延（L－MBE）的方法在Al2O3(0001) 衬底上生长了沿C轴高度取向一致的ZnO薄膜，并对其光学及结构特性进行了研究。以波长为325nm的氙灯（Xe 900）作为激发源，在室温下测量了薄膜的光致...
- 杨晓东张景文徐庆安贺永宁王洪波张伟风侯洵
- 关键词：ZNO薄膜激光分子束外延X射线衍射光致发光
- 文献传递
- ZnO自组织量子点的L-MBE外延生长
- 利用激光分子束外延（L-MBE）在蓝宝石（1-102）面上自组织外延生长了ZnO量子点。借助反射式高能电子衍射（RHEED）对ZnOl量子点在蓝宝石（1-102）面的成核与生长过程进行了实时观察,采用X射线衍射对样品进行...
- 张景文徐庆安杨晓东贺永宁王洪波张伟风侯洵
- 关键词：ZNO量子点激光分子束外延
- 文献传递
- 氧化锌导电类型转化的热力学分析被引量：2
- 2005年
- 为了更好了解ZnO在p型转化中存在的困难,文章对其进行了本征点缺陷的热力学分析,得到了热平衡状态时,ZnO中主要的点缺陷浓度与环境温度和氧气压的关系,并做出了其K V图.根据热力学分析结果,可以看出在热平衡状态下实现p型转化具有非常大的困难;还指出了p型转化的有效途径.相关的试验也证明了这种分析的可行性.
- 王洪波张景文杨晓东刘振玲徐庆安侯洵
- 关键词：氧化锌导电类型热力学宽禁带半导体
- 一种高性能ZnO MSM型紫外光电导探测器的制备方法
- 本发明公开了一种制备高性能ZnO MSM型紫外光电导探测器的方法。该方法利用在气压为9.0×10<Sup>4</Sup>Pa～1.0×10<Sup>5</Sup>Pa的纯氧气氛中对ZnO薄膜进行热处理，改善了ZnO薄膜的...
- 张景文毕臻边旭明徐庆安杨晓东侯洵
- 文献传递
- 一种ZnO MSM结构的紫外光电导探测器
- 本实用新型公开了一种高性能ZnO MSM结构的紫外光电导探测器，该结构包括一衬底，该衬底上沉积有ZnO薄膜层，在ZnO薄膜层上刻有作为欧姆接触的叉指电极图形，所述的叉指电极的对数为30～50，叉指电极的间距和指宽分别为1...
- 张景文边旭明毕臻徐庆安杨晓东侯洵
- 文献传递
- 生长温度对L-MBE制备的ZnO薄膜性能的影响被引量：2
- 2006年
- 在蓝宝石C面上利用激光分子束外延(L-MBE)的方法,分别在250、300、350、400和450℃下生长了高度C轴取向的ZnO薄膜,并对样品进行了X射线衍射、光致发光谱及反射式高能电子衍射的分析。测试结果表明,较低温度时,随着生长温度的升高,薄膜的结晶及发光性能得到提高;但是当温度进一步升高,却有所变差。这说明利用L-MBE系统制备ZnO薄膜存在一合适的温度范围,并对此机理进行了深入分析。
- 徐庆安张景文杨晓东巨楷如贺永宁侯洵
- 关键词：激光分子束外延X射线衍射光致发光谱
- ZnO薄膜的制备和结构性能分析被引量：7
- 2004年
- ZnO作为一种宽带隙半导体材料 ,近几年来已经成为国际上紫外半导体光电子材料和器件领域的研究热点。激光分子束外延 (L MBE)系统是获得器件级ZnO外延薄膜的先进技术之一。高质量精密ZnO陶瓷靶材对于该工艺的实施是十分关键的 ,本文中采用高纯原料 ,在洁净条件下制备了大面积、薄片型、尺寸可控的符合理想化学配比的高纯ZnO陶瓷靶材。采用所制备的靶材 ,利用L MBE技术在 (0 0 0 1)蓝宝石基片上进行了ZnO薄膜的外延生长 ,在 2 80℃～ 30 0℃低温条件下所生长的薄膜样品具有 (0 0 0 1)取向的纤锌矿晶体结构 ,薄膜光学性能良好 ,论文中对ZnO薄膜的低温L MBE生长机理进行了探讨。
- 贺永宁朱长纯侯洵张景文杨晓东徐庆安曾凡光
- 关键词：MBEZNO薄膜宽带隙半导体材料光电子材料薄膜光学
- 生长温度对L-MBE法制备的ZnO薄膜性能的影响被引量：3
- 2006年
- 在蓝宝石C面上利用激光分子束外延(L-MBE)的方法,分别在250℃、300℃、350℃、400℃和450℃生长了高度C轴取向的ZnO薄膜。并进行了X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)谱的分析。测试结果表明,较低温度时,随着生长温度的升高,薄膜的结晶及发光性能得到提高;但是当温度进一步升高,却有所变差。说明利用L-MBE系统制备ZnO薄膜存在一合适的温度范围,并对此机理进行了深入分析。
- 徐庆安张景文杨晓东巨楷如贺永宁侯洵
- 关键词：ZNO薄膜生长温度激光分子束外延X射线衍射光致发光谱
- 一种ZnO MSM型紫外光电导探测器的制备方法
- 本发明公开了一种制备高性能ZnO MSM型紫外光电导探测器的方法。该方法利用在气压为9.0×10<Sup>4</Sup>Pa～1.0×10<Sup>5</Sup>Pa的纯氧气氛中对ZnO薄膜进行热处理，改善了ZnO薄膜的...
- 张景文毕臻边旭明徐庆安杨晓东侯洵
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