徐建萍
- 作品数：6 被引量：1H指数：1
- 供职机构：河北师范大学物理科学与信息工程学院更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学医药卫生一般工业技术电气工程更多>>
- 过饱和胆汁结晶过程的物理化学被引量：1
- 2003年
- 描绘了胆固醇型结石形成过程中胆固醇结晶的生化图景。着重从相变动力学的角度对过饱和胆汁结晶过程进行了分析 ,提出了可能的结晶机制。通过简化的模型 ,给出了结晶推动力 ,并绘制了可能的G～X图。ΔGs,ΔGn,ΔGnuc的提出可能促进促。
- 石少波徐建萍
- 关键词：物理化学胆固醇胆结石相变动力学促成核因子
- 石榴石磁泡膜中3类硬磁畴的形成方法
- 2004年
- 研究石榴石磁泡膜中硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线的稳定性可为研制布洛赫线存储器提供有益的帮助 .3类硬磁畴的形成是研究硬磁畴稳定性的前提 .本文综述了在石榴石磁泡膜上形成硬磁畴的 2类方法———“脉冲偏场法”和“低直流偏场法” .结合文献中的典型样品 ,对用“脉冲偏场法”和“低直流偏场法”形成 3类硬磁畴的过程进行了简单介绍 .
- 郭革新徐建萍何文辰
- 关键词：硬磁畴直流偏场
- 石榴石磁泡薄膜内第Ⅰ类哑铃畴的行为
- 实验研究了温度和面内场共同作用下,液相外延石榴石磁泡膜中第Ⅰ类哑铃畴畴壁内垂直布洛赫线(VBL)的稳定性。发现从室温到T范围内的任一不同温度T下,ID畴壁中VBL的解体都存在一临界面内场范围[H(T),H(T)],当H<...
- 刘素平徐建萍孙会元唐贵德郭革新聂向富
- 文献传递
- 温度和面内场对石榴石磁泡膜中第Ⅱ类哑铃畴的影响
- 超高密度固态布洛赫线存储器(BLM)是以硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线(VBLs)作为信息载体,硬磁畴畴壁中VBLs产生及其稳定性的研究对超高密度布洛赫线存储器的研制和磁畴壁物理的发展都是非常重要的.温度和面内场都是影响硬磁畴...
- 徐建萍
- 关键词：硬磁畴温度
- 文献传递
- 温度对ID畴壁内VBL解体临界面内场的影响
- 2004年
- 实验研究了温度和面内场共同作用下,液相外延石榴石磁泡膜中第I类哑铃畴(ID)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)的稳定性.发现,从室温到T0范围内的任一不同温度下,ID畴壁中VBL的解体都存在一临界面内场范围[H(1)ipip(T)H(2)ip(T)时,VBL完全丢失.面内场范围[H(1)ip(T)也分别随温度的升高ip(T),H(2)ip(T)]随温度的升高而减小,其中H(1)ip(T),H(2)而变小,并分别在T(1)0和T0处减小为0.
- 刘素平徐建萍聂向富
- 关键词：垂直布洛赫线临界温度
- 温度对IID畴壁中VBL解体临界面内场的影响
- 2004年
- 实验研究了温度和面内场对液相外延石榴石磁泡薄膜内,第II类哑铃畴(IID)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)链稳定性的影响.研究发现,在室温到T0′的任一温度下,IID畴壁中VBL的消失都存在一个临界面内场范围[H(1)ip(T)
- 徐建萍刘素平聂向富
- 关键词：温度硬磁畴
