您的位置: 专家智库 > >

徐洲

作品数:3 被引量:0H指数:0
供职机构:四川压电与声光技术研究所更多>>
相关领域:理学一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇晶体
  • 2篇引上法
  • 2篇引上法晶体生...
  • 2篇晶体生长
  • 1篇单晶
  • 1篇电晶体
  • 1篇压电晶体
  • 1篇锗酸铋
  • 1篇锗酸铋晶体
  • 1篇闪烁晶体
  • 1篇提拉法
  • 1篇提拉法生长
  • 1篇铁电
  • 1篇铁电体
  • 1篇坩埚下降法
  • 1篇坩埚下降法生...
  • 1篇铌酸锂
  • 1篇铌酸锂晶体
  • 1篇下降法
  • 1篇BI

机构

  • 3篇四川压电与声...

作者

  • 3篇徐洲
  • 1篇王德龙
  • 1篇于明晓

传媒

  • 3篇人工晶体学报

年份

  • 2篇2000
  • 1篇1997
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
提拉法生长大尺寸Bi_4Ge_3O_(12)单晶
2000年
锗酸铋 (Bi4Ge3 O12 )单晶是一种重要的功能材料 ,广泛应用于高能物理及核医学等领域。提拉法生长锗酸铋单晶 ,常因熔体粘度较大、易挥发 ,以及原料混合和熔融不均匀等因素的影响 ,生长的锗酸铋晶体内部质量较差 ,存在云层、气泡和白丝等缺陷。而且晶体的等径度比较难以控制 ,容易发生扭曲 ,导致单晶的外形尺寸达不到器件制作方面的要求 ,稳定地生长大尺寸优质锗酸铋的研究就十分必要。本研究采用电子称重中频感应加热提拉法生长锗酸铋单晶 ,经过长期的实验探索 ,在稳定原料混合和熔融均匀等工艺措施的同时 ,设计制作出具备小温度梯度 (固液界面处 1~4℃ /cm)的温场结构 ,并随之确定合适的关键工艺参数 ,如拉速 ( 0 .5~ 3mm/h) ,转速 ( 1 0~40r/min)等 ,而且在锗酸铋单晶生长中对某些参数进行微调 ,确保晶体始终处在较平的固液界面状态下生长 ,从而提高晶体的内部质量 ,生长出40~ 5 0× 80mm( 0 0 1 )、( 1 1 0 )向锗酸铋单晶。所生长的晶体无色透明 ,等径度及内部质量良好 ,进一步提高晶体内部质量和外形尺寸的研究工作仍在进行。
徐洲
关键词:锗酸铋晶体引上法晶体生长闪烁晶体
Y41°铌酸锂单晶的生长
2000年
铌酸锂 (LiNbO3 )单晶是目前在声表面波和声体波等器件制作方面应用得十分广泛的一种晶体。经激光探针研究证实 ,Y41°铌酸锂单晶在此方向上具有优良的漏声表面波特性 ,其漏声表面波机电耦合系数大 (约为 1 7.2 % ) ,传播损耗较低以及良好的温度系数 ,引起器件制作方面极大的关注。Y41°铌酸锂单晶的生长 ,改变了靠旋转切割c轴、Y 1 2 8°铌酸锂晶体 ,得到Y41°铌酸锂基片的现状 ,提高晶体的利用率 ,切割加工更方便可靠 ,更有效地满足漏声表面波器件制作的要求。本研究采用电阻加热提拉法生长Y41°铌酸锂单晶 ,借鉴我所其他方向铌酸锂单晶生长的成熟工艺措施 ,经过多炉次的试验 ,设计制作出适宜Y41°铌酸锂单晶生长的温场结构 ,寻找到合适的温度梯度 ( 2 0~ 1 0 0℃ /cm)进行生长 ,并确定相应的关键工艺参数 ,解决了Y41°铌酸锂单晶生长中 ,易出现孪晶、尾部易扭曲、易开裂等技术问题 ,成功生长出77mm× 70mm以上宏观完整性好的优质Y41°铌酸锂单晶。
徐洲
关键词:铌酸锂晶体引上法晶体生长
坩埚下降法生长Li_2B_4O_7单晶
1997年
坩埚下降法生长Li2B4O7单晶王德龙徐洲于明晓(四川压电与声光技术研究所,重庆630060)GrowthofLi2B4O7SingleCrystalsbyBridgmanMethodWangDelongXuZhouYuMingxiao(Sichua...
王德龙徐洲于明晓
关键词:压电晶体坩埚下降法铁电体
共1页<1>
聚类工具0