朱兴华
- 作品数：73 被引量：111H指数：6
- 供职机构：成都信息工程大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金四川省应用基础研究计划项目国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 基于肖特基电极和碘化铅的自驱动辐射探测器
- 本实用新型公开了一种基于肖特基电极和碘化铅的自驱动辐射探测器，包括衬底层、碘化铅材料层、绝缘保护层、第一电极和第二电极，所述碘化铅材料层设置在衬底层上，第一电极和第二电极分别设置在碘化铅材料层的上下两侧或左右两侧，第一电...
- 王阳培华朱兴华杨定宇孙辉高秀英田海波勾宗燕
- 文献传递
- 铅-碘化铅熔体分层及其应用研究被引量：2
- 2005年
- 在合成碘化铅(PbI2)多晶原料和生长PbI2单晶体的过程中,观察到了熔体分层现象,提出了Pb-I相图的修正形式,并据此提出了用富铅原料生长PbI2单晶体的新方法,生长出了性能较好的PbI2单晶体。
- 张伟朱兴华李建防杨晓龙
- 关键词：晶体生长
- 近空间升华法制备PbI_2厚膜及其性质研究
- 2011年
- 采用近空间升华法在玻璃衬底上制备PbI2厚膜,研究了工艺参数对样品晶体结构、形貌和光致发光性质的影响。实验显示,沉积速率随着源温度的升高和沉积气压的下降而急剧增大。XRD谱表明PbI2膜为沿[001]晶向择优取向的六方多晶体,晶粒尺寸随沉积速率的增大而逐渐减小。同时,沉积速率增大还导致膜压应力变大,晶格常数减小,使(001)晶面衍射峰向大角度方向移动。SEM照片显示样品为(001)晶面堆积而成的片状晶粒结构,晶粒c轴与衬底平行。随着沉积速率的增大,晶粒有序性和膜致密度下降,同时(001)晶面上由于六方中心亚晶粒的出现而导致表面粗糙度大幅增大。样品的PL发光谱显示了本征发射特征,发光锋随沉积速率的增大向长波方向移动,同时峰位展宽,强度减弱。
- 朱兴华杨定宇孙辉魏昭荣李乐中杨维清祖小涛
- 关键词：沉积速率压应力
- 溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜及其微结构特性研究被引量：4
- 2015年
- 采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)制备氧化锌(ZnO)薄膜,研究镀膜层数和退火温度对ZnO薄膜晶体结构、光谱性质及表面形貌的影响。X射线衍射谱测试表明,退火温度为600℃、镀膜层数为10层时制备样品的晶粒尺寸最大,结晶度最好。紫外-可见透过谱发现,样品退火后其透过率曲线变得陡直,光学带隙随退火温度升高而逐渐减小。光致发光谱测试显示,ZnO薄膜的发光谱包含388 nm和394 nm附近的两个主要发光峰,分别对应于本征发射和缺陷发射,其强度随退火温度升高呈现相反的变化。原子力显微照片则显示了随退火温度的升高制备样品表面晶粒的分布趋于均匀而致密。
- 李旭杨定宇朱兴华孙辉高秀英
- 关键词：氧化锌薄膜微结构退火温度
- 基于肖特基电极和碘化铅的自驱动辐射探测器及制备方法
- 本发明公开了一种基于肖特基电极和碘化铅的自驱动辐射探测器及制备方法，包括衬底层、碘化铅材料层、绝缘保护层、第一电极和第二电极，所述碘化铅材料层设置在衬底层上，第一电极和第二电极分别设置在碘化铅材料层的上下两侧或左右两侧，...
- 王阳培华朱兴华杨定宇孙辉高秀英田海波勾宗燕
- 文献传递
- 气相输运合成PbI_2多晶的热力学研究(英文)
- 2007年
- 本文对PbI2合成反应体系的反应焓变,反应熵增,Gibbs自由能变化和反应平衡常数进行了理论计算,从热力学角度论证了选取PbI2熔点(678K)以上的723K作为体系合成反应控制温度的可行性。在723K的控温工艺下,采用两温区气相输运方法合成出高纯、单相的PbI2多晶材料,XRD分析结果表明符合热力学计算结果的控温工艺能有效地应用于PbI多晶合成。
- 朱兴华赵北君朱世富金应荣何知宇高德友魏昭荣
- 关键词：多晶合成热力学
- 一种CsPbBr<Sub>3</Sub>/CsPb<Sub>2</Sub>Br<Sub>5</Sub>复合薄膜及其制备方法
- 本发明公开了一种CsPbBr<Sub>3</Sub>/CsPb<Sub>2</Sub>Br<Sub>5</Sub>复合薄膜及其制备方法，其包括：(1)将CsPbBr<Sub>3</Sub>粉末置于坩埚中，通过真空蒸发镀膜...
- 李继涛杨定宇张明朱兴华
- 文献传递
- 垂直布里奇曼法生长碘化铅单晶体被引量：2
- 2006年
- 碘化铅(PbI2)晶体的平均原子序数较高,有较宽的禁带宽度,作为一种新型室温核辐射探测器材料有着广阔前景.以高纯Pb和I2单质为原料,采用两温区气相输运法(TVM)成功合成出单相PbI2多晶原料,并以此为原料,用垂直布里奇曼法(VBM)生长了3种不同颜色的PbI2单晶体.研究表明:晶体生长工艺参数对晶体的质量有重要影响,适当调整温度场和安瓿在生长炉中的位置,可有效地避免或减轻晶体富碘现象,从而生长出优质的黄色PbI2单晶体.
- 赵欣金应荣朱兴华
- 关键词：碘化铅
- 基于PbI2晶体的表面灵敏型X射线探测器
- 采用闭管物理气相输运法制备出高质量的PbI晶体,研制了具有共面结构的表面灵敏型PbI2X射线探测器,对探测器的I-V特性、I-t特性、X射线响应特性、信噪比和探测灵敏度进行了表征。结果表明,在-100V～100V偏置电压...
- 孙辉朱兴华赵北君朱世富杨定宇王阳培华高秀英
- 关键词：X射线探测器灵敏度
- 文献传递
- 高压下GaAs的电子结构的从头计算
- 2009年
- 应用密度泛函理论从头计算了不同压强下半导体GaAs闪锌矿结构的电子结构,得到了各个高压下平衡时晶格常数、总能量、键长和能带结构等性质,并且获得了直接带隙结构向间接带隙结构转化的临界压强为8.65 GPa,与实验值符合得很好,结合实验值详细地讨论了高压下GaAs的电子结构以及电学性质.
- 杨维清朱兴华魏昭荣杨定宇高秀英
- 关键词：闪锌矿结构密度泛函理论
