李志怀
- 作品数：6 被引量：8H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 硅基红外热堆中热电偶尺寸和对数对探测性能的影响被引量：4
- 2001年
- 分析了多晶硅 -金集成热堆中热电偶的尺寸和对数对热堆性能的影响 ,对非接触红外测温的实用型热堆提出了设计和改进的思路 .随着热电偶对数的增加 ,时间常数减小 ,响应率增大 ,探测率出现最大值 .减小热电偶的长度可以减小热堆内阻和时间常数 .多晶硅横截面积和金横截面积的比值接近最佳比值时 ,探测率呈最大值 3× 10 8cm· Hz1 / 2· W- 1 .
- 李志怀冯明刘月英沈德新卢建国朱自强
- 关键词：热电偶硅基
- GaInAsSb红外探测器的硫钝化机制研究
- 通过对(NH<,4>)<,2>S硫钝化后GaInAsSb样品的AES和XPS分析,S对减小器件表面复合速度、提高器件性能起主要作用.钝化后探测器的电学性能和探测率有较大提高,峰值探测率达到1.69×10<'10>cmH<...
- 李志怀夏冠群程宗权伍滨和黄文奎
- 关键词：GAINASSB红外探测器硫钝化电学特性光学特性
- 文献传递
- GaInAsSb红外探测器的硫钝化和退火研究
- 暗电流和动态电阻是反映红外探测器性能的重要参数,材料表面的处理可以很大程度上改善探测器的性能.本文介绍了硫钝化和退火处理对于GaInAsSb红外探测器的暗电流特性的改善和动态电阻的提高.
- 黄文奎夏冠群周萍李志怀
- 关键词：GAINASSB红外探测器硫钝化暗电流动态电阻
- 文献传递
- PIN结构GaInAsSb红外探测器的PSPICE模型
- 2003年
- 研究了PIN结构GaInAsSb红外探测器的暗电流特性,建立了器件的PSPICE模型。模拟结果与实际测试结果基本符合。计算结果表明,器件表面和内部的缺馅及表面复合电流对器件的反向特性起主要作用,当反向偏压大于0.35V,缺陷引起的隧穿电流对器件暗电流起主要作用。
- 李志怀夏冠群程宗权黄文奎伍滨和
- 关键词：GAINASSB红外控制器PSPICE
- GaInAsSb/GaSb红外探测器抗反膜的研究被引量：2
- 2005年
- 简单介绍了单层抗反膜的增透原理,并以Si片作为基片采用磁控溅射的方法制备了A l2O3、SiO2和ZrO2三种抗反膜。膜层的反射率测试结果表明:生长ZrO2膜后表面反射率下降可达30%;同时通过对GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器蒸镀抗反膜前后的器件的I-V特性及黑体探测率的测试表明:蒸镀ZrO2膜后GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器的黑体探测率平均提高了60.28%,远大于蒸镀A l2O3、SiO2后的48.91%和40.04%,说明ZrO2膜是一种较理想的单层抗反膜,使器件性能有所提高。
- 刘延祥夏冠群唐绍裘李志怀程宗权
- 关键词：GAINASSB/GASB
- GaInAsSb红外探测器的器件与物理研究
- Ⅲ-V族半导体化合物GaInAsSb材料,随着材料组分变化,它的带隙在1.42~0.1eV的范围内变化,覆盖了1~3微米、3~5微米、8~14微米三个重要红外波段.与GaSb衬底晶格匹配的GaInAsSb的禁带宽度可以覆...
- 李志怀
- 关键词：GAINASSB红外探测器探测率硫钝化增透膜
- 文献传递
