李沛旭
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
- 供职机构：山东大学更多>>
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- 808nm无Al量子阱激光器mini阵列的研制
- 2011年
- 通过分析激光器的结构,优化设计了非对称宽波导激光器结构及外延生长条件。利用低压金属有机化合物气相淀积技术(LP-MOCVD)生长了高质量的InGaAsP/GaInP无铝应变量子阱外延材料,制作成808 nm高功率半导体激光器mini阵列,将其应用到1 064 nm全固态激光器中。20℃下,制作的808 nm,0.5 cm半导体激光器mini阵列,连续驱动电流50 A时输出功率达到50 W,最高光电转换效率达到53%。将该808 nm激光器mini阵列应用到全固态1 064 nm激光模组中,50 W,1 064 nm激光输出时,工作电流只有15 A。经过多于500 h老化以后,1 064 nm全固态激光器的功率衰减小于2%。
- 王翎李沛旭房玉锁汤庆敏张新夏伟任忠祥徐现刚
- 关键词：应变量子阱
- MOCVD生长AlGaInP/InGaAsP大功率808 nm无铝量子阱激光器
- 设计制作非对称宽波导结构无铝量子阱激光器,可降低内部损耗,实现低阈值电流、高转换效率的目的,同时也增加了最大输出功率。采用金属有机气相化学沉积（MOCVD）进行外延生长,制作了100μm条宽,1 500μm腔长的808 ...
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- 关键词：量子阱激光器
- 文献传递
- MOCVD生长AlGaInP/InGaAsP大功率808nm无铝量子阱激光器
- 2008年
- 设计制作非对称宽波导结构无铝量子阱激光器,可降低内部损耗,实现低阈值电流、高转换效率的目的,同时也增加了最大输出功率。采用金属有机气相化学沉积(MOCVD)进行外延生长,制作了100μm条宽,1500μm腔长的808nm激光器器件,镀膜后阈值电流230.5mA,斜率效率1.31W/A。连续电流条件下,得到最大输出功率超过8W,并且计算得到内吸收系数为1.7cm-1。
- 李沛旭夏伟李树强张新汤庆敏任忠祥徐现刚
- 关键词：量子阱激光器
