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汪辉

作品数：9 被引量：15H指数：3
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家攀登计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 7篇量子点
  • 6篇量子
  • 5篇自组织量子点
  • 4篇砷化铟
  • 4篇量子点激光器
  • 4篇激光
  • 4篇激光器
  • 2篇砷化镓
  • 2篇阈值电流
  • 2篇激光器材料
  • 2篇分子束
  • 2篇分子束外延
  • 2篇分子束外延生...
  • 2篇INGAAS...
  • 1篇外延层
  • 1篇均匀性
  • 1篇激发态
  • 1篇激射
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光

机构

  • 9篇中国科学院
  • 1篇曲阜师范大学

作者

  • 9篇汪辉
  • 8篇封松林
  • 8篇王晓东
  • 6篇王海龙
  • 5篇牛智川
  • 3篇朱海军
  • 2篇李树深
  • 2篇苗振华
  • 2篇杨富华
  • 2篇李树英
  • 1篇邓元明
  • 1篇江德生
  • 1篇李晴

传媒

  • 3篇红外与毫米波...
  • 2篇Journa...
  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2004
  • 1篇2002
  • 2篇2001
  • 3篇2000
  • 2篇1999
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
InAs/GaAs自组织量子点激发态的激射被引量：2
2001年
将覆盖层引入生长停顿的量子点结构作为激光器有源区来研究量子点激光器受激发射机制 .由于强烈的能带填充效应 ,光致发光谱和电致发光谱中观察到对应于量子点激发态跃迁的谱峰 ,大激发时其强度超过基态跃迁对应的谱峰 .最后激发态跃迁达到阈值条件 ,激射能量比结构相似但不含量子点的激光器低 。
汪辉牛智川王海龙王晓东封松林
关键词：自组织量子点砷化铟砷化镓激发态
杂质Si对InAs自组织量子点均匀性的影响被引量：2
1999年
研究了较低掺杂浓度时InAs量子点中直接掺杂Si对其发光特性的影响.光致发光谱(PL)的测量表明,与未掺杂样品相比,掺杂样品发光峰稍微蓝移,同时伴随着发光峰谱线明显变窄.该结果表明,在生长InAs层时直接掺杂,有利于形成大小分布更均匀的小量子点.该研究对InAs自组织量子点在器件应用方面有一定的意义.
王海龙朱海军李晴宁东汪辉王晓东邓元明封松林
关键词：自组织量子点硅均匀性
室温脉冲激射的纵向控制InAs量子点激光器被引量：4
1999年
利用一种我们新近提出的ＭＢＥ自组织ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ量子点生长方式，制成条型激光器，在室温脉冲工作条件下实现了激射．与测得的光致发光（ＰＬ）谱对照，发现激射峰位与量子点的ＰＬ谱峰位基本吻合．不同激光器结构的样品激射峰有相当大的移动，说明了激射来自量子点．在其它条件完全相同而仅有源区不同的条件下，纵向控制量子点激光器的阈值电流只是垂直耦合量子点激光器的１／３（６０ｍＡ∶２００ｍＡ），我们给出了一个简单的解释，并据此提出了一种实现调节量子点激光器激射能量的方法．
汪辉朱海军王晓东王海龙封松林
关键词：量子点激光器砷化铟
Be掺杂InAs自组织量子点的发光特性被引量：3
2000年
首次细致地研究了 In As量子点中直接掺杂 Be对其发光特性的影响。光致发光 ( PL)谱的研究表明 ,较低掺杂浓度时 ,发光峰蓝移 ,同时伴随着发光谱线变窄。而较高浓度的掺杂会对量子点的光谱特性产生不良的影响 ,发光强度明显变弱。相信该研究对 In As自组织量子点在器件应用方面有很重要的意义。
王海龙朱海军封松林宁东汪辉王晓东江德生
关键词：光致发光掺杂铍砷化铟
1.3微米InGaAs/GaAs自组织量子点激光器材料及生长该材料的方法
本发明提出了一种InGaAs/GaAs自组织量子点外延层结构,以及实现这一外延结构的分子束外延生长技术。通过精确控制分子束外延生长条件－用单原子层交替生长来控制量子点的组分、外延层厚度、形貌结构等,可以实现室温下1.3微...
牛智川封松林杨富华王晓东汪辉李树英苗振华李树深
文献传递
In(Ga)As/GaAs自组织量子点激光器研究
In(Ga)As/GaAs自组织量子点激光器是下一代半导体激光器的代表之一.该文系统讨论了它的结构、制备、性能和优化,以及一些相关的物理机制.(1)研究了在GaAs部分覆盖的InAs岛中引入生长停顿的影响;(2)系统分析...
汪辉
关键词：GAAS
文献传递
生长停顿对量子点激光器的影响被引量：2
2000年
在 In As自组织量子点的 Ga As覆盖层中引入生长停顿 ,将这种量子点结构作激光器的有源区 ,与不引入生长停顿的量子点激光器进行对比后发现 :生长停顿可以降低激光器的阈值电流 ,提高其特征温度 ,改善激光波长的温度稳定性 .简单的分析表明 ,量子点中的能带填充效应影响了激光波长的温度特性 .
汪辉王海龙王晓东牛智川封松林
关键词：自组织量子点量子点激光器砷化铟
1.3微米InGaAs/GaAs自组织量子点激光器材料及生长该材料的方法
本发明提出了一种InGaAs/GaAs自组织量子点外延层结构，以及实现这一外延结构的分子束外延生长技术。通过精确控制分子束外延生长条件一用单原子层交替生长来控制量子点的组分、外延层厚度、形貌结构等，可以实现室温下1.3微...
牛智川封松林杨富华王晓东汪辉李树英苗振华李树深
低温GaAs外延层上生长InAs量子点的研究被引量：4
2000年
利用退火技术 ,实现了在低温 Ga As外延层上 In As量子点的生长 .透射电镜 (TEM)研究表明 ,低温 Ga As外延层上生长的 In As量子点比通常生长的 In As量子点明显变小 ,且密度变大 ,认为是由于低温 Ga As中的点缺陷以及 As沉淀引起的 :点缺陷释放了部分弹性能 ,使得量子点变小 ,而 As沉淀可能是量子点密度变大的原因 .在光致发光谱 (PL )上 ,退火低温外延层上生长的量子点的发光峰能量较高 。
王晓东汪辉王海龙牛智川封松林
关键词：砷化镓量子点
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