王衍
- 作品数：9 被引量：23H指数：2
- 供职机构：中国科学技术大学更多>>
- 发文基金：国家杰出青年科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程金属学及工艺更多>>
- C_(60)与金属：界面相互作用和取向关系
- 1996年
- Ｃ６０与金属：界面相互作用和取向关系侯建国１，２王兵２张庶元１李永庆２王衍２徐文涛２曾建林２（中国科学技术大学，１．中国科学院成分与结构分析开放实验室，２．基础物理中心，合肥２３００２６）Ｃ６０与金属间的相互作用始终是科学家的关注焦点。在Ｃ６０－碱金...
- 侯建国王兵张庶元李永庆王衍徐文涛曾建林
- 关键词：C60金属相互作用显微分析
- C60/Ag体系薄膜生长机制与表面粗糙化研究
- 该文对C60/Ag体系的多层膜、双层膜进行了透射电镜(TEM)和原子力显微镜(AFM)的观察和研究,在薄膜的非平衡生长机制,C60与金属的界面相互作用以及C60-金属低维复合结构的合成方面作了一些尝试和探索.
- 王衍
- Si／Ag／Si和Si／Au／Si薄膜分形晶化的TEM和EDS研究被引量：2
- 1994年
- 本文利用透射电镜（ＴＥＭ）和Ｘ射线能谱（ＥＤＳ）对ａ－Ｓｉ：Ｈ／Ａｇ／ａ－Ｓｉ：Ｈ和ａ－Ｓｉ：Ｈ／Ａｕ／ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜的分形晶化行为进行了研究。结果表明薄膜的分形晶化强烈依赖于退火条件，分形的形成可用随机逐次触发形核和生长（ＲＳＮＧ）来加以解释。尽管膜内存在明显的互扩散，Ｓｉ分形区厚度与均匀基体区厚度相近。但在ａ－Ｓｉ：Ｈ／Ａｇ／ａ：Ｓｉ：Ｈ膜中存在部分较大的Ａｇ晶粒凸出膜面。
- 卞波李伯泉王衍巴龙吴自勤
- 关键词：分形TEMEDS
- 一维随机成核生长模型被引量：15
- 1996年
- 建立了一种一维随机成核生长模型，在三种不同的近邻条件下进行模拟，得到了一系列聚集生长图形，并计算了相应的分形维数．所得图形与多孔硅形成图样相似．
- 吴锋民王衍吴自勤
- 关键词：薄膜生长
- C_(60)-Ag薄膜高、低温粗糙表面的标度行为和粗糙化机理的实验研究被引量：5
- 1998年
- 利用原子力显微镜和透射电子显微镜对沉积在NaCl衬底上的C60 Ag复合薄膜的表面形貌和微结构进行了研究 .结果表明薄膜表面的粗糙度依赖于衬底的温度 ,当衬底温度从 - 80℃上升到 1 2 0℃ ,薄膜表面发生从粗糙→光滑→粗糙的变化过程 .由于高温和低温条件下 ,薄膜表面的粗糙化机理不同 .高低温的表面虽然具有类似的rms粗糙度 ,但却具有不同的分形标度行为 .同时探讨了标度行为。
- 侯建国王衍朱晓光朱晓光王海千吴自勤
- 关键词：表面粗糙度标度性质
- C_(60)/Pd 多层膜TEM研究被引量：1
- 1997年
- 通过蒸发和磁控溅射镀膜的方法，交替沉积Ｃ６０和金属Ｐｄ膜，制备了不同周期和厚度比的Ｃ６０／Ｐｄ多层膜。利用透射电子显微术（ＴＥＭ）研究了这些薄膜退火前后的结构。
- 王兵李永庆王衍张庶元侯建国
- 关键词：碳60多层膜TEM
- Ag/C_(60)薄膜的TEM及AFM研究
- 1997年
- 本文采用真空交替蒸发的方法，在ＮａＣｌ室温和１６０℃衬底上制备了Ａｇ／Ｃ６０薄膜。用透射电镜研究了薄膜的形貌和结构，结果表明：室温下生长的薄膜表面较平坦，Ｃ６０为非晶；１６０℃下生长的薄膜由于Ｃ６０和Ａｇ的界面间互扩散而导致表面粗糙度增加，并依赖于Ａｇ／Ｃ６０的组分比例。用原子力显微镜观察了薄膜表面的形貌即高度分布，分析了薄膜表面粗糙度的动力学标度行为，比较了两种温度下的动力学和静力学标度指数。
- 王衍侯建国吴自勤朱晓光巴龙
- 关键词：粗糙度碳60TEMAFM
- Al-C_(60) 界面相互作用的 Raman 光谱研究被引量：1
- 1997年
- 用真空气相沉积的方法在ＮａＣｌ（００１）基片上制备了ＡｌＣ６０共蒸膜。由于界面上Ａｌ和Ｃ６０间的相互作用，ＡｌＣ６０混蒸膜的Ｒａｍａｎ谱相对纯Ｃ６０薄膜有显著的改变。Ａｇ（２）模的软化可归因于界面上Ａｌ和Ｃ６０之间的电荷转移。但是，要解释上述Ｒａｍａｎ谱中所有的特征，尚须建立一个更复杂的Ｃ６０Ａｌ界面相互作用模型。
- 李永庆徐文涛李祥王衍左健侯建国
- 关键词：超导体RAMAN光谱
- 利用“热壁扩散”法在金属衬底上生长C_(60)单晶薄膜
- 1997年
- 自从石墨电弧放电制备克量级C_(60)的方法发现以来,研究不同衬底上C_(60)薄膜的生长行为就一直是科学家关注的热点之一.制备高质量的C_(60)薄膜,不仅在基础研究方面,而且在应用方面都具有重要的意义.例如,对于碱金属掺杂的C_(60)超导体,利用高质量的C_(60)单晶薄膜可以获得较窄的超导转变温区和较高的转变温度.此外高质量的C_(60)单晶薄膜对于研究由C_(60)和金属或半导体组成的双层膜或多层膜的非线性光学性能也具有重要的意义.C_(60)薄膜在不同衬底上的生长行为与许多因素有关,其中最重要的是衬底表面的原子排布是否与C_(60)的晶格相匹配,C_(60)与衬底之间是否存在电荷转移和是否存在键合.迄今为止。
- 侯建国曾建林王衍李永庆吴自勤
- 关键词：碳60单晶生长
