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简贵胄

作品数：7 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇科技成果
  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 6篇半导体
  • 4篇锑化镓
  • 4篇化学腐蚀
  • 4篇半导体器件
  • 3篇锑化物
  • 2篇电器件
  • 2篇锑化合物
  • 2篇酒石
  • 2篇酒石酸
  • 2篇化合物
  • 2篇光电
  • 2篇光电器件
  • 2篇腐蚀速率
  • 2篇B/A
  • 2篇LGA
  • 2篇ASS
  • 1篇中科院
  • 1篇激光
  • 1篇激光器
  • 1篇分子束

机构

  • 4篇中国科学院
  • 3篇中国科学院上...

作者

  • 7篇简贵胄
  • 6篇郑燕兰
  • 3篇李爱珍
  • 3篇李爱珍
  • 3篇张永刚
  • 3篇张永刚
  • 3篇林春
  • 3篇林春
  • 1篇钟金权
  • 1篇李存才
  • 1篇胡建
  • 1篇杨全魁

传媒

  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 3篇2004
  • 2篇2001
  • 2篇2000
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
GaInAsSb/AlGaAsSb半导体激光器器件工艺及表征技术研究
该论文对2μm波段GaInAsSb/AlGaAsSb多量子阱半导体激光器的器件工艺及器件性能表征技术进行了研究.建立了计算机控制的脉冲工作条件下半导体激光器参数测试系统;研究了该器件制作所需用的湿法刻蚀工艺;并进行了脊型...
简贵胄
关键词：GAINASSBALGAASSB半导体激光器
文献传递
制备锑化镓基半导体器件用的化学腐蚀液
本发明涉及制备锑化镓基半导体器件用的化学腐蚀液。它包括盐酸系、氢氟酸系和酒石酸盐系三种。盐酸系腐蚀液为盐酸、酒石酸和双氧水；氢氟酸系腐蚀液为氢氟酸、酒石酸和双氧水；酒石酸盐系腐蚀液为酒石酸钾钠、盐酸和双氧水。这三种腐蚀液...
李爱珍林春郑燕兰简贵胄张永刚
文献传递
用于GaSb/AlGaAsSb器件制备的新型化学腐蚀液研究被引量：1
2001年
提出了一种适用于 GaSb/AlGaAsSb器件工艺的由氢氟酸、酒石酸和双氧水构成的氢氟酸 系腐蚀液。该腐蚀液对于 GaSb和 AlGaAsSb材料具有良好的腐蚀特性和稳定的刻蚀速率。选用 合适的溶液组份可以得到较低的刻蚀速率，有利于在器件工艺中进行精确控制。实验中发现该腐 蚀液对 AlGaAsSb的腐蚀速率与其 Al组份呈抛物线关系，在合适的 Al组份下可对 AlGaAsSb和 GaSb两种材料进行非选择性的刻蚀。
简贵胄郑燕兰林春李爱珍张永刚
关键词：半导体光电器件
分子束外延3～5族锑化物激光器、探测器材料及其应用
李爱珍郑燕兰张永刚林春钟金权胡建李存才简贵胄杨全魁
该成果采用分子束外延生长Ⅲ～Ⅴ族锑化物量子阱、异质结构材料；设计了加宽波导AlGaAsSb/InGaAsSb 多量子阱激光器结构，加宽禁带窗口的AlGaAsSb/InGaAsSb pin探测器结构；提出了MBE激光器、探...
关键词：
关键词：分子束外延
制备锑化镓基半导体器件用的化学腐蚀液体系
本发明涉及制备锑化镓基半导体器件用的化学腐蚀液体系。包括盐酸系、氢氟酸系和酒石酸盐系三种。盐酸系腐蚀液为盐酸、酒石酸和双氧水;氢氟酸系腐蚀液为氢氟酸、酒石酸和双氧水;酒石酸盐系腐蚀液为酒石酸钾钠、盐酸、和双氧水。这三种腐...
李爱珍林春郑燕兰简贵胄张永刚
文献传递
制备锑化镓基半导体器件用的化学腐蚀液体系
李爱珍林春郑燕兰简贵胄张永刚
该发明研发了制备锑化镓基半导体器件用的新化学腐蚀液，它包括盐酸系、氢氟酸系和酒石酸盐系三种体系。盐酸系腐蚀液组成为盐酸、酒石酸和水；氢氟酸系腐蚀液组成为氢氟酸、酒石酸和双氧水；酒石酸盐系腐蚀液组成为酒石酸钾钠、盐酸和双氧...
关键词：
关键词：锑化物半导体器件
制备锑化镓基半导体器件用的化学腐蚀液体系(中科院)
李爱珍林春郑燕兰简贵胄张永刚
工作于2-4微米的锑化镓基半导体量子阱激光器和探测器在痕量气体监测、医学诊断等方面有重要的应用。镓砷基含锑高速电子器件是高速数字处理系统的关键器件。由于目前用于含锑化合物半导体的化学腐蚀液在器件工艺中难于控制，因而器件工...
关键词：
关键词：锑化物光电器件
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