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罗浩

作品数：15 被引量：6H指数：1
供职机构：中国科学院宁波材料技术与工程研究所宁波材料技术与工程研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 8篇电极
  • 6篇晶体管
  • 6篇薄膜晶体
  • 6篇薄膜晶体管
  • 4篇双极性
  • 4篇感器
  • 4篇PN结
  • 4篇传感
  • 4篇传感器
  • 3篇反相器
  • 2篇电池
  • 2篇多晶
  • 2篇氧化物
  • 2篇氧化物薄膜
  • 2篇氧化亚锡
  • 2篇阴极锌
  • 2篇栅结构
  • 2篇生物传感
  • 2篇生物传感器
  • 2篇生物分子

机构

  • 15篇中国科学院宁...

作者

  • 15篇罗浩
  • 15篇梁凌燕
  • 15篇曹鸿涛
  • 10篇李秀霞
  • 8篇刘权
  • 6篇秦瑞锋
  • 6篇张胜男
  • 4篇王妹
  • 1篇诸葛飞
  • 1篇高俊华
  • 1篇刘志敏
  • 1篇伏兵

传媒

  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 2篇2018
  • 4篇2017
  • 1篇2016
  • 4篇2015
  • 4篇2014
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
pn结及其制备方法
本发明公开了一种pn结及其制备方法，该pn结包括n型Si半导体层和位于所述n型Si半导体层中部区域的p型SnO半导体层，其中，所述n型Si半导体层上设置有第一电极；所述p型SnO半导体层上设置有第二电极。本发明的pn结有...
梁凌燕李秀霞曹鸿涛罗浩刘权秦瑞锋
文献传递
一种氮化锌锡pn结及其制备方法
本发明公开了一种氮化锌锡pn结及其制备方法，该pn结包括紧密接触的p型半导体和n型半导体，以及分别设于所述p型半导体和n型半导体上的第一电极和第二电极，其特征在于，所述的p型半导体的材料为Si，所述的n型半导体的材料为Z...
梁凌燕秦瑞锋曹鸿涛张胜男李秀霞罗浩
文献传递
一种双极性薄膜晶体管
本发明公开了一种双极性薄膜晶体管，从下至上依次包括：衬底、栅电极层、栅介质层、沟道层，所述沟道层上设有源极和漏极，源极与沟道层的接触面和漏极与沟道层的接触面上分别设有透明的势垒层，所述势垒层材质的禁带宽度大于所述的沟道层...
刘权梁凌燕罗浩邓福岭曹鸿涛
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氧化物薄膜晶体管及其制备方法和反相器及其制备方法
本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法和反相器及其制备方法，其中氧化物薄膜晶体管包括：衬底、栅介质层、氧化物沟道层、源电极、漏电极和覆盖层；栅介质层位于衬底的上方；氧化物沟道层位于栅介质层的上方；源电极和所述漏电极...
曹鸿涛王妹梁凌燕张胜男罗浩李秀霞
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一种氮化锌锡多晶薄膜的制备方法
本发明公开了一种氮化锌锡多晶薄膜的制备方法，首先将清洗好的衬底和锌锡合金靶材放置在磁控溅射设备相应位置后，抽真空；再通入氮气，调节工作气压为1～3Pa，溅射功率为120～300W，经N离子轰击阴极锌锡合金靶材，在衬底上沉...
梁凌燕曹鸿涛邓福岭刘权李秀霞罗浩
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双极性薄膜晶体管及其制备方法
本发明公开了一种双极性薄膜晶体管及其制备方法，其中双极性薄膜晶体管包括衬底；位于衬底表面的栅电极和位于栅电极表面的栅介质层；位于栅介质层表面的氧化物沟道层；位于氧化物沟道层表面的源电极和漏电极；以及位于源电极和漏电极之间...
梁凌燕曹鸿涛罗浩刘权李秀霞邓福岭
一种薄膜晶体管生物传感器及其制备方法
本发明公开了一种薄膜晶体管生物传感器及其制备方法，薄膜晶体管生物传感器结构包括：薄膜晶体管；生物敏感器；联结导体。该薄膜晶体管生物传感器结构的显著特征在于：薄膜晶体管与生物敏感器相分离。此分离式结构一方面避免了直接在晶体...
梁凌燕张胜男曹鸿涛王妹罗浩秦瑞锋
文献传递
pn结及其制备方法
本发明公开了一种pn结及其制备方法，该pn结包括n型Si半导体层和位于所述n型Si半导体层中部区域的p型SnO半导体层，其中，所述n型Si半导体层上设置有第一电极；所述p型SnO半导体层上设置有第二电极。本发明的pn结有...
梁凌燕李秀霞曹鸿涛罗浩刘权秦瑞锋
文献传递
一种氮化锌锡pn结及其制备方法
本发明公开了一种氮化锌锡pn结及其制备方法，该pn结包括紧密接触的p型半导体和n型半导体，以及分别设于所述p型半导体和n型半导体上的第一电极和第二电极，其特征在于，所述的p型半导体的材料为Si，所述的n型半导体的材料为Z...
梁凌燕秦瑞锋曹鸿涛张胜男李秀霞罗浩
氩等离子体处理对ZnO薄膜阻变效应的影响被引量：6
2014年
本文研究了氩等离子体处理对ZnO薄膜阻变效应的影响,发现等离子体处理可以使薄膜表面平整,并且增加薄膜中的缺陷浓度。以等离子体处理后的ZnO薄膜作为介质层,在Pt/ZnO/Pt三明治结构中观察到无电形成过程的阻变效应。本文研究表明,氩等离子体处理是消除氧化物阻变效应电形成过程的有效手段。
伏兵诸葛飞刘志敏罗浩梁凌燕高俊华曹鸿涛
关键词：ZNO薄膜
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共2页<12>
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