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胡延年

作品数：9 被引量：4H指数：1
供职机构：辽宁大学物理学院更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 3篇理学
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇电气工程

主题

  • 3篇难熔金属
  • 3篇金属
  • 3篇化物
  • 3篇溅射
  • 3篇硅化物
  • 3篇硅化物薄膜
  • 3篇磁控
  • 3篇磁控溅射
  • 2篇VLSI
  • 1篇电机
  • 1篇电流
  • 1篇电流特性
  • 1篇调理电路
  • 1篇调速
  • 1篇调速系统
  • 1篇信号调理
  • 1篇信号调理电路
  • 1篇液晶
  • 1篇异步
  • 1篇异步电机

机构

  • 9篇辽宁大学
  • 3篇天津理工学院
  • 1篇沈阳化工学院

作者

  • 9篇胡延年
  • 3篇徐伟
  • 2篇吴春瑜
  • 2篇王中文
  • 1篇孙玉芳
  • 1篇石广元
  • 1篇吕品
  • 1篇张绍成
  • 1篇孙立红
  • 1篇张文
  • 1篇张雯

传媒

  • 5篇辽宁大学学报...
  • 1篇半导体情报
  • 1篇天津理工学院...
  • 1篇天津冶金
  • 1篇微处理机

年份

  • 1篇2008
  • 5篇1998
  • 2篇1997
  • 1篇1996
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
未知掺杂MOS结构少子产生寿命空间分布研究
1997年
本文采用线性扫描法测定未知掺杂ＭＯＳ结构少子产生寿命空间分布，结果表明。
孙玉芳盛浩然王中文尚世琦张文胡延年吕品吴春瑜
关键词：少子产生寿命半导体器件MOS器件
微机控制的串级调速系统
1997年
就串级调速系统实现微机控制的具体设计问题、微机系统、硬件和软件等三方面进行了介绍。
徐伟胡延年庄雅娜
关键词：串级调速微机控制异步电机
湿度变送器信号调理电路的设计被引量：3
2008年
利用薄膜电容湿度传感器设计了湿度变送器.湿度变送器以湿敏元件为核心,利用或非门电路或者555电路构成检测电路,利用运算放大器OP295和BD237构成输出电路,实现4～20 mA电流输出.利用RCV420构成输出电路,实现0～5 V电压输出.利用盐饱和溶液标定法对湿度变送器进行标定,制出精度达±2%的湿度变送器.经过实际应用证明,其硬件结构简单,成本低,具有较好的测量精度,适于日常生活和工业过程控制.
孙立红胡延年
关键词：传感器变送器
难熔金属及硅化物薄膜制备技术研究
1998年
本文对难熔金属及其硅化物的形成、特性进行了研究．主要对难熔金属Ｍｏ、难熔金属硅化物ＴｉＳｉ２、ＰｔＳｉ２等进行了探讨，采取了溅射难熔金属、热硅化反应的手段，对解决ＶＬＳＩ工艺的某些问题，如：（１）解决由于ＭＯＳ电路图形尺寸缩小带来的栅电阻增大的问题；（２）采用硅化物（如ＰｔＳｉ２）－阻挡层（Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ等）—Ａｌ多层金属布线。
胡延年徐伟张绍成
关键词：磁控溅射难熔金属硅化物
VDMOS结构击穿电压的设计与分析被引量：1
1998年
本文引用了附加有浮动电位保护环和场板的ＶＤＭＯＳ结构击穿电压的解析表达式，描述了浮动电位保护环和场板效应对穿通击穿电压的改进，经比较。
胡延年
关键词：保护环击穿电压
RG-MOSFET的I_(DS)特性分析
1998年
以普通长沟道MOSFET的电流模型为基础，推导出RG—MOSFET一级近似下电流模型的解析表达式，并对其物理机制进行了较详细的分析讨论。
石广元胡延年王中文
关键词：电流特性I-V特性场效应晶体管
一种测定向列相液晶弹性常数比的近似方法──C—V技术
1996年
本文给出一种用Ｃ—Ｃ技术测定向列相液晶的弹性常数比的方法．结果表明，本文方法简单、直观，并具有一定的精确性．
吴春瑜胡延年孙玉芳张雯盛浩然
关键词：液晶向列相液晶
难熔金属及硅化物薄膜特性研究
1998年
对难熔金属及其硅化物的形成、特性进行了研究。采用溅射难熔金属、热硅化反应的方法，解决了ＶＬＳＩ工艺中由于ＭＯＳ电路图形尺寸缩小带来的栅电阻增大的问题；采用硅化物阻挡层和Ａ１多层金属布线方法，解决了欧姆接触和铝的电迁移问题。
胡延年
关键词：磁控溅射难熔金属硅化物VLSI
难熔金属及硅化物薄膜制备技术研究
1998年
本文对难熔金属及其硅化物的形成、特性进行了研究．主要对难熔金属Mo、难熔金属硅化物TiSi2、PtSi2等进行了探讨．采用溅射难熔金属、热硅化反应的手段，对解决VLSI工艺的某些问题，如：解决由于MOS电路图形尺寸缩小带来的概电阻增大的问题以及采用硅化物（如PtSi2）一阻挡层（W、MO、Ti等）一Al多层金属布线、解决欧姆接触和铝的电迁移问题起了极好的作用．
徐伟胡延年
关键词：磁控溅射难熔金属硅化物VLSI
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