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蔡卫中

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：东北林业大学物理系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇钝化
  • 1篇砷化镓
  • 1篇表面钝化
  • 1篇GAAS

机构

  • 1篇东北林业大学

作者

  • 1篇蔡卫中
  • 1篇苏润洲

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇1994
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
GaAs表面钝化的新方法：S_2Cl_2处理被引量：1
1994年
本文用光致发光谱（ＰＬ）结合俄欧电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ），首次研究了Ｓ２Ｃｌ２钝化的ＧａＡｓ（１００）表面．结果表明，ＰＬ强度较钝化前样品提高了将近两个数量级．钝化后的表面ＡＥＳ谱显示含有Ｓ，Ｇａ，ＡＳ，Ｃ和少量Ｃｌ原子而不含Ｏ原子．ＸＰＳ谱说明Ｓ原子和Ｇａ、Ａｓ原子都成键．与（ＮＨ４）２Ｓ处理的比较结果显示，几秒钟的．Ｓ２Ｃｌ２处理即可达到或超过几十分钟（ＮＨ４）２Ｓ处理的钝化效果．
李喆深蔡卫中苏润洲侯晓远董国胜金晓峰丁训民王迅
关键词：砷化镓钝化
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共1页<1>
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