您的位置: 专家智库 > >

蔡水成

作品数:4 被引量:3H指数:1
供职机构:东南大学能源与环境学院射频与光电集成电路研究所更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 3篇噪声
  • 3篇跨阻放大器
  • 3篇放大器
  • 2篇电路
  • 2篇电路设计
  • 2篇PHEMT
  • 1篇噪声特性
  • 1篇声特性
  • 1篇通信
  • 1篇前端
  • 1篇前端设计
  • 1篇前置放大器
  • 1篇专用集成电路
  • 1篇接收机
  • 1篇集成电路
  • 1篇集成电路设计
  • 1篇光接收
  • 1篇光接收机
  • 1篇光纤
  • 1篇光纤通信

机构

  • 3篇东南大学
  • 1篇厦门大学

作者

  • 4篇蔡水成
  • 2篇朱恩
  • 2篇王志功
  • 1篇高建军

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇东南大学学报...

年份

  • 2篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2002
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
光通信接收机前置放大器设计研究
光纤通信系统是现代通信系统的基础,在现代社会中起非常重要的作用,因为它能够提供其它通信系统无法比拟的带宽和高速的数据传输。在光纤通信系统中,光接收机的前置放大器起到非常重要的作用。这是由于前置放大器的带宽决定了整个光接收...
蔡水成
关键词:光接收机前置放大器电路设计噪声特性光纤通信
文献传递
高速交换系统的研究及其专用集成电路的前端设计
该论文的目的是设计一个高速ATM交换系统,主要分成3个部分:1)对目前交换系统进行分析研究.该论文定性分析了目前的分析交换系统,主要是时分交换系统和空分交换系统,以及空分交换结构对应缓存策略.由于目前光通讯技术的发展速度...
蔡水成
关键词:ATM集成电路设计
文献传递
2.5Gbit/s PHEMT前置放大器噪声分析与验证
2007年
根据OMMIC公司通过测量得到的0.2μm GaAs PHEMT器件参数模型和噪声模型,设计了2.5Gbit/s的共源跨阻前置放大器.并根据PHEMT晶体管Y参数下的噪声模型,结合Y参数和ABCD参数下的噪声密度矩阵,分析了电路在带有晶体管噪声源情况下整个电路的噪声电压,得出了共源跨阻前置放大器等效输入噪声电流密度的理论公式.实现了芯片制作,并且对芯片进行了噪声参数的测量,测量结果、仿真结果和理论分析结论在6GHz的频率范围内基本符合.
蔡水成王志功朱恩
关键词:PHEMT跨阻放大器噪声
10Gb/s,0·2μm GaAs PHEMT跨阻放大器分析与设计被引量:1
2006年
对基于0·2μmGaAsPHEMT工艺设计的10Gb/s低噪声前置放大器进行了理论分析与仿真,并且进行了流片测量验证.电路采用共源结构,噪声小,灵敏度高.测量结果表明该前置放大器在3·3V单电源、50Ω输出负载的条件下,跨阻为57·8dB·Ω,带宽可达到11GHz,芯片面积为0·5mm×0·4mm.测试结果与理论分析和仿真结果比较符合,此前置放大器可以工作在10Gb/s速率.
蔡水成王志功高建军朱恩
关键词:PHEMT噪声
共1页<1>
聚类工具0