赵振波
- 作品数：7 被引量：39H指数：4
- 供职机构：天津大学电子信息工程学院更多>>
- 发文基金：天津市自然科学基金国家自然科学基金国防科技重点实验室基金更多>>
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- 新型纳米器件——共振隧穿二极管的研究
- 共振隧穿二极管(Resonant Tummeling Diode)是一种基于量子隧穿现象的新型纳米器件.文章采用分子束外延技术,生长了两种AlAs/GaAs/InGaAs/AlAs材料结构来制作共振隧穿二极管(RTD),...
- 郭维廉牛萍娟梁惠来张世林赵振波
- 关键词：共振隧穿二极管量子隧穿分子束外延振荡频率
- 文献传递
- 纳电子器件谐振隧穿二极管（RTD）的研究
- 该文介绍了一种纳米电子器件：谐振隧穿二极管（RTD）,这是一种新型GaAs衬底二端口器件,具有高速和双稳态两大特性.纳电子器件RTD利用了新的谐振隧穿传输机理,使器件的开关速度达到几个ps,它具有速度快,功耗低,完成特定...
- 赵振波
- 关键词：纳电子器件谐振隧穿二极管负微分电阻
- 文献传递
- 纳电子器件谐振隧道二极管的研制被引量：3
- 2002年
- 采用分子束外延方法在砷化镓衬底上生长了双垒单阱结构 ,然后用常规半导体器件工艺制成了谐振隧穿二极管 (RTD) ,有相当好的 I- V特性 .对于 5μm× 5μm的 RTD器件 ,在室温条件下 ,测得其峰谷比最大可到 7.6∶ 1,最高振荡频率大于 2 6
- 梁惠来赵振波郭维廉张世林牛萍娟杨中月郝景臣张豫黔王文君魏碧华周均铭王文新
- 关键词：纳米电子器件砷化镓
- 量子共振隧穿二极管的频率特性与分析被引量：5
- 2002年
- 用 HP8 510 C网络分析仪测量了 Al As/In Ga As/Al As共振隧穿二极管的 S参数 ,通过实测曲线拟合提取器件等效电路参数 ,计算出所研制器件的阻性截止频率为 54GHz。
- 张世林牛萍娟梁惠来郭维廉赵振波郝景臣王文君周均铭黄绮
- 关键词：频率特性RTDS参数
- 共振隧穿二极管被引量：20
- 2002年
- 设计并研制出室温工作的共振隧穿二极管,室温电流峰谷比达到7.6:1,最高振荡频率为54GHz。本文对RTD的设计、研制过程、参数和特性测试进行了系统的分析和说明。
- 郭维廉梁惠来张世林牛萍娟毛陆虹赵振波郝景臣魏碧华张豫黔宋婉华杨中月
- 关键词：共振隧穿二极管量子效应负阻特性RTD振荡频率
- 共振隧穿二极管(RTD)I-V特性的几个问题被引量：8
- 2003年
- 对作者研制的 RTD进行了 I-V特性测量 ,并重点分析了 :(1 ) I-V特性的湿度效应 ;(2 )负阻区“表观正阻”现象 ;(3 )用负阻值估算开关时间。以上问题的分析对
- 张世林郭维廉梁惠来侯志娟牛萍娟赵振波郭辉
- 关键词：共振隧穿二极管RTDI-V特性开关时间
- 共振隧穿二极管的设计和研制被引量：8
- 2002年
- 用分子束外延在半绝缘砷化镓上生长两垒一阱结构,制成RTD单管。经过材料生长设计、工艺设计和版图设计几方面的改进,测得最高振荡频率已达54GHz。
- 王振坤梁惠来郭维廉牛萍娟赵振波辛春艳
- 关键词：共振隧穿二极管纳米电子器件砷化镓分子束外延
