赵振波
- 作品数:6 被引量:8H指数:2
- 供职机构:北京工业大学更多>>
- 发文基金:北京市自然科学基金国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:电子电信更多>>
- 一种非破坏性垂直腔面发射激光器电流限制孔径测定装置
- 本实用新型公开了一种非破坏性垂直腔面发射激光器电流限制孔径测定装置,该改装置由探针台,直流电源,显微镜,光学衰减片,CCD探测器和计算机组成。本实用新型利用激光器激射前的荧光光斑的形状来测定电流限制孔径的形状大小,可测量...
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- 文献传递
- 一种非破坏性面发射半导体激光器电流限制孔径测定方法
- 本发明涉及一种非破坏性面发射半导体激光器电流限制孔径测定方法,属于半导体光电子技术领域。所述测定方法可测量观看所有波段面的发射激光器,并可以测定各种面发射半导体激光器电流限制孔,包括可测量长度的刻度显微镜,测定时,首先将...
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- 文献传递
- 光子晶体垂直腔面发射激光器的电流分布研究被引量:4
- 2010年
- 对氧化限制型外腔式光子晶体垂直腔面发射激光器注入到有源区的电流密度分布进行了分析研究.提出三维电流分布计算模型,研究了光子晶体结构对电流密度分布和器件串联电阻的影响.研究发现,光子晶体孔刻蚀深度越深,电流分布圆对称性越差,引起的串联电阻越大.不同光子晶体图案对电流分布的均匀性和圆对称性也有很大的影响.该模型对于研究、设计氧化限制型外腔式光子晶体垂直腔面发射激光器提供了一个有用的分析方法.
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- 关键词:光子晶体垂直腔面发射激光器电流分布
- 氧化孔形状对光子晶体垂直腔面发射激光器模式的影响被引量:4
- 2012年
- 用时域有限差分方法对氧化孔限制型外腔式光子晶体垂直腔面发射激光器(VCSEL)在小氧化孔下氧化孔形状对激光器模式特性的影响进行了模拟计算.建立了三维光子晶体面发射激光器光场计算模型,分析了氧化孔形状变化对器件远场特性与频率特性的影响.研究发现,氧化孔形状可影响光子晶体VCSEL的模式特性,尤其是频谱特性.从模场分布的角度可解释为菱形氧化孔的对称性与高阶模的不一致.但随着光子晶体刻蚀深度的增加和氧化孔的增大,这种影响逐渐减小,分析解释了其原因.研究结果为提高光子晶体面发射激光器的性能提供了参考.
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- 关键词:光子晶体垂直腔面发射激光器时域有限差分
- 分布孔结构垂直腔面发射激光器的研究
- 垂直腔面发射激光器以其良好的纵模性能和输出光斑的对称性得到广泛的研究应用,分布孔结构垂直腔面发射激光器除了拥有垂直腔面发射激光器的优良特点外,还具备单模输出条件,即小的远场发散角,很窄的频谱,高的边模抑制比,且阈值电流也...
- 赵振波
- 关键词:垂直腔面发射激光器
- 一种非破坏性面发射半导体激光器电流限制孔径测定方法
- 本发明涉及一种非破坏性面发射半导体激光器电流限制孔径测定方法,属于半导体光电子技术领域。所述测定方法可测量观看所有波段面的发射激光器,并可以测定各种面发射半导体激光器电流限制孔,包括可测量长度的刻度显微镜,测定时,首先将...
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