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赵显: 作品数：238 被引量：140H指数：7; 供职机构：山东大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划山东省自然科学基金更多>>; 相关领域：理学电子电信自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

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水热合成氮化硼过程中二次氮源加入温度对物相的影响: 2007年; 立方氮化硼是一种具有很高应用价值的超硬材料,但目前合成立方氮化硼需要十分苛刻的条件,严重限制了它的应用范围。为了在温和条件下合成立方氮化硼,我们提出了水热选相原位合成方法,并对主要的影响因素进行了研究。本文中,我们探讨了水热合成立方氮化硼过程中,二次氮源的加入温度对产物中物相种类及其含量的影响。结果表明:随着二次氮源加入温度的升高,样品中立方氮化硼的含量逐渐增加,当该温度达到300℃时,可以得到单相立方氮化硼。比较反常的是,当二次氮源的加入温度为260℃时,立方氮化硼的含量却反常地减少。为了解释这个现象,我们提出了一个物相转变势垒的初步模型,并对有关实验现象进行了初步分析。; 李凯廉刚姜海辉赵显王琪珑崔得良陶绪堂; 关键词：立方氮化硼水热合成

一种调控腔体压强制备高质量单晶畴二维材料的方法: 本发明属于二维材料的制备技术领域，具体涉及一种调控腔体压强制备高质量单晶畴二维材料的方法，包括：将衬底置于反应炉腔内进行真空清洗；然后，通入载流气体，调节炉腔压强为低压，升温至前驱体分解温度；接着，通入反应气体，保持腔体...; 孙丽王鹏张雪国星于法鹏李妍璐赵显

Cd[CH_3O(OH)C_6H_3CH=N(CH_2)_2OH]_2Br_2的合成、结构及微观二阶非线性光学系数: 2001年; 合成了标题配合物Cd[CH3O(OH)C6H3CH =N(CH2 ) 2 OH]2 Br2 ,对其进行了元素分析、红外和X射线结构分析。该配合物单晶的分子式为 :CdC2 0 H2 6N2 O6Br2 ,Mr=662 .66属于单斜晶系 ,P2 1 /n空间群 ,晶胞参数a =7.851 2 (2 ) ,b =1 7.391 (3) ,c=1 7.575(4) ,β =90 .86(3)°,V =2 392 (1 ) 3,Z =4,Dc=1 .834g·cm- 3,μ(MoKα) =4.2 4 1 9mm- 1 ,F(0 0 0 ) =1 30 4。用直接法解得结构 .R =0 .0 74,Rw=0 .0 84.在 2 99± 1K的温度下收集到 3744个独立衍射点 ,其中 2 4 70个为可观察的衍射点 [I≥ 3σ(I) ]。同时在 1 .0 64μm的Nd :YAG激光器上对配合物进行了粉末SHG实验 ,并用MOPAC软件包采用PM 3方法解得其分子的微观二阶极化率为 3.341× 1 0 - 30 esu。进一步讨论了微观二阶非线性极化率、宏观激光倍频效应和分子结构、晶体结构之间的关系。; 胡玮赵永芳赵显李荀崔学桂; 关键词：镉配合物席夫碱

一种单光子激光雷达与短波红外图像融合的三维成像系统及方法: 本发明属于成像激光雷达技术领域，具体涉及一种单光子激光雷达与短波红外图像融合的三维成像系统及方法。该系统包括激光光源、单光子探测器、光路系统、信号控制单元、短波红外相机；激光光源包含激光控制器，激光控制器连接单光子探测器...; 刘俊良康英杰李永富刘兆军赵显; 文献传递

一组双电荷转移结构化合物的双光子吸收性质: 设计合并成了一组新型双电荷转移结构(2CTσ)的有机化合物,实验显示此类化合物在600~1300nm范围内无明显吸收,可望在此波段内产生双光子行为.双光子吸收性质是一切双光子应用的基础.本文对该组化合物的双光子吸收截面进...; 周玉芳孟凡青赵显蒋民华; 关键词：非线性极化率吸收截面双光子双电荷; 文献传递

一种大尺寸石墨烯/二维碲化物异质结红外光电探测器的制备方法: 本发明涉及一种大尺寸石墨烯/二维碲化物异质结红外光电探测器的制备方法，该方法在半导体衬底上镀复合金属，然后合金化，通入碳源气体，通过复合金属薄膜的金属通道引入外部碳源生长石墨烯，制备出大尺寸高品质石墨烯，再利用CVD法制...; 杨志远赵莉莉张飒飒赵显左致远李志强程秀凤; 文献传递

一种基于多传感器样态系数的红外图像融合方法和装置以及计算机可读存储介质: 本发明提出了一种基于多传感器样态系数的红外图像融合方法和装置以及计算机可读存储介质。在不同波段的红外成像场景下，待配准图像之间的同一目标的灰度分布特性不同，尤其是热辐射图像的边缘特征差异更为明显，故采用特征点描述的方法会...; 王丽丽张维林李永富赵显刘兆军康佳龙刘俊良费宬陈建树赵国鹏房常峰; 文献传递

一种在6H/4H-SiC硅面上利用复合金属辅助生长石墨烯的方法: 本发明涉及一种在6H/4H‑SiC硅面上利用复合金属辅助生长石墨烯的方法，该方法通过高温加热将SiC晶片表面的Si‑C键部分裂解，生成极少量的以C原子为中心的成核位点，然后急剧降温至CVD工艺的生长温度，通过复合金属薄膜...; 杨志远于法鹏赵莉莉张晶李清波程秀凤陈秀芳赵显; 文献传递

基于非溶剂体系去除石墨烯表面PMMA层的方法: 本发明公开了基于非溶剂体系去除石墨烯表面PMMA层的方法，属于石墨烯转移技术领域，包括：将PMMA/石墨烯/无机非金属衬底置于含有非无机盐类固态干燥剂的封闭体系内静置；将干燥后的PMMA/石墨烯/无机非金属衬底置于带有吸...; 于法鹏国星张雪王鹏孙丽李妍璐赵显

一种掺镱晶体及其生长方法和应用: 本发明涉及一种掺镱晶体及其生长方法和应用，所述掺镱晶体的分子式为Ca3-3xYb3xRGa3Si2O14，R为...; 王正平张栩朝郭世义于法鹏许心光赵显; 文献传递