公共文化服务平台

共 9 条记录，以下是 1-9

全选清除导出

排序方式：

固态源分子束外延法生长InGaP/GaAs异质结构的热力学分析(英文)被引量：1: 2010年; 本文建立了采用分子束外延法制备InGaP/GaAs异质结构的热力学模型,其中考虑了两个重要的因素,由晶格失配引起的内在应力和InP的脱附。所得到的模型与现有实验结果匹配较好。该模型的实验结果表明在InGaP的生长过程中,生长温度,In/Ga束流比及合金组分之间的相互关系,同时也与实验数据相吻合。该模型对于其他气相沉积生长方式也具有一定的适用性。; 曹雪舒永春叶志成皮彪姚江宏邢晓东许京军; 关键词：INGAP GAAS

InP外延材料的MBE生长模式: 2007年; 采用固态磷源分子束外延技术,在不同的生长条件下生长了InP外延材料,并用原子力显微镜对样品表面形貌进行了系统研究.实验结果表明,样品表面形貌的显著变化与生长模式发生变化有关;二维(2D)生长模式和三维(3D)生长模式之间存在转换的临界工艺条件.通过对实验数据的分析,绘制了InP外延生长模式对应工艺条件的区域分布图;在2D生长区域获得了高质量的InP/InP外延材料.; 皮彪舒永春林耀望徐波姚江宏邢晓东曲胜春王占国; 关键词：INP

InP同质外延的不稳定生长:小丘的形成(英文): 2007年; 用原子力显微镜研究了在不同的条件下采用固态磷源分子束外延技术生长的InP同质外延薄膜的表面形貌。在样品的表面观察到不稳定三维岛状生长。其主要原因有两种,第一种是生长温度较低时,由于吸附原子受到附加的ES台阶边垒的阻碍作用,使扩散运动不能向台阶下面运动,而在台阶上面形成小丘,第二种是生长温度较高或V/III较低时,因生长中缺磷造成In的堆积而产生。在合适的生长条件下,可获得了光滑的2D层状生长。; 皮彪孙甲明林耀望姚江宏邢晓东蔡莹舒强贾国治刘如彬李丹王占国; 关键词：原子力显微镜 INP 表面形貌

调制掺杂GaAs/AlGaAs2DEG材料持久光电导及子带电子特性研究被引量：4: 2006年; 在掺Si的GaAs/AlGaAs二维电子气(2DEG)结构中,得到μ2K=1·78×106cm2/(V·s)的高迁移率.在低温(2K)和高磁场(6T)的条件下,对样品进行红光辐照,观察到持久光电导(PPC)效应,电子浓度在光照后显著增加.通过整数量子霍尔效应(IQHE)和Shubnikov-de Haas(SdH)振荡的测量,研究了2DEG的子带电子特性.样品在低温光照后2DEG中第一子带和第二子带的电子浓度同时随电子总浓度的增加而增加;而且电子迁移率也明显提高.同时,通过整数霍尔平台的宽度对光照前后电子的量子寿命变短现象作了理论分析.; 舒强舒永春张冠杰刘如彬姚江宏皮彪邢晓东林耀望许京军王占国; 关键词：二维电子气量子霍尔效应

Thermodynamic analysis of growth of ternary Ⅲ-Ⅴ semiconductor materials by molecular-beam epitaxy: 2011年; Thermodynamic models for molecular-beam epitaxy（MBE） growth of ternary Ⅲ-Ⅴ semiconductor materials are proposed.These models are in agreement with our experimental materials InGaP/GaAs and InGaAs/InP,and reported GaAsP/GaAs and InAsP/InP in thermodynamic growth.The lattice strain energy △G and thermal decomposition sensitive to growth temperature are demonstrated in the models simultaneously.△G is the function of the alloy composition,which is affected by flux ratio and growth temperature directly.The calculation results reveal that flux ratio and growth temperature mainly influence the growth process.Thermodynamic model of quaternary InGaAsP/GaAs semiconductor material is discussed also.; 叶志成舒永春曹雪龚亮皮彪姚江宏邢晓东许京军; 关键词：GROWTH THERMODYNAMICS

In_xGa_(1-x)As/GaAs量子阱应变量对变温光致发光谱的影响被引量：6: 2011年; 利用变温光致发光(PL)研究了In0.182Ga0.818As/GaAs应变及应变补偿量子阱在77～300 K温度范围内的发光特性。随着温度T的升高,PL峰位向低能方向移动。在应力作用下In0.182Ga0.818As/GaAs量子阱的价带顶轻空穴带和重空穴带发生了劈裂。通过理论计算推导应变随温度变化对InxGa1-xAs/GaAs量子阱带隙能量的影响。在Varshni公式基础上,引入由应力导致的带隙能量变化项ΔEg。带隙能量计算结果与实验数据吻合较好。通过不同温度下光致发光半峰全宽的变化验证了应力随温度变化对量子阱发光峰的影响。; 叶志成舒永春曹雪龚亮姚江宏皮彪邢晓东许京军; 关键词：分子束外延 INGAAS/GAAS 应变量子阱

俄歇复合对应变量子阱激光器阂值电流的影响被引量：1: 2007年; 通过考虑不同因素对压应变和张应变量子阱激光器阈值电流和特征温度的影响,得到了俄歇复合和非俄歇复合对阈值电流起主要作用的转变温度Tc,小于Tc时,主要是非俄歇复合;大于Tc时,主要是俄歇复合,而且张应变量子阱激光器转变温度要比压应变量子阱激光器的转变温度要高;张应变量子阱激光器与压应变量子阱激光器相比,阈值电流更低,特征温度更高．; 贾国治姚江宏刘国梁柏天国刘如彬邢晓东; 关键词：光电子学应变量子阱阈值电流密度

不同淀积厚度InAs量子点的喇曼散射: 2006年; 利用喇曼散射方法在77K温度下对不同淀积厚度的InAs/GaAs量子点材料进行了研究.在高于InAs体材料LO模的频率范围内观察到了量子点的喇曼特征峰,分析表明应变效应是影响QD声子频率的主要因素.实验显示,随着量子点层淀积厚度L的增加,InAs量子点的声子频率由于应变释放发生红移.在加入InAlAs应变缓冲层的样品中,类AlAs声子峰随L增大发生了蓝移,从侧面证实了InAs量子点层的应变释放过程.; 张冠杰徐波陈涌海姚江宏林耀望舒永春皮彪邢晓东刘如彬舒强王占国许京军; 关键词：量子点喇曼散射

生长温度和结构参数对InGaAs／GaAs量子阱光学特性的影响被引量：6: 2008年; 研究了不同生长温度下制备的In0.15Ga0.85As/GaAs应变量子阱的PL谱,结果表明,生长温度越高,In偏析和In-Ga互混越严重,同时,导致更多的In脱附,PL谱发光峰蓝移。对不同In含量的和不同InGaAs厚度的InGaAs/GaAs量子阱进行PL谱测试,分析表明In含量<0.2,生长温度低于560℃时,In含量和InGaAs层量子阱的厚度对In偏析、脱附和In-Ga互混基本没有影响。; 贾国治姚江宏舒永春邢晓东皮彪; 关键词：应变量子阱偏析光致发光谱

全选清除导出

共1页<1>

邢晓东