闾锦
- 作品数：13 被引量：14H指数：3
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术理学更多>>
- 基于锗硅异质纳米晶粒的非易失性浮栅存储器
- ＜正＞目前所研究的纳米器件中,将纳米品粒作为浮栅的存储器件是一种引人注目的纳米结构器件。纳米晶粒浮栅非易失性存储器表现出低功耗、高密度和多阈值等许多优点。可是纳米结构存储器也有一些问题亟待解决,其中之一就是如何在器件低压...
- 闾锦陈裕斌左正濮林施毅郑有炓
- 关键词：锗硅合金
- 文献传递
- 基于锗硅异质纳米结构的非挥发浮栅存储器及制备方法
- 基于锗硅异质纳米结构的半导体非挥发性浮栅存储器，包括：半导体衬底；在半导体衬底中设有掺杂形成的源极和漏极，在源漏极间的沟道层正上方设有氧化形成隧穿氧化层；设有控制栅介电层和栅电极；在隧穿氧化层上是渐变锗硅异质纳米结构即晶...
- 施毅闾锦陈裕斌左正濮林张荣韩平顾书林郑有炓
- 文献传递
- 复合量子点MOSFET结构存储器的电路模拟被引量：2
- 2004年
- 本文采用准经典近似的MonteCarlo方法对复合量子点MOSFET结构存储器的等效单电子电路进行了模拟 .研究结果表明 ,由于台阶状的复合隧穿势垒的作用 ,存储器的存储时间特性可得到极大提高 .我们进一步研究了N沟道锗 /硅复合量子点MOSFET结构存储器的时间特性 ,得到其存储时间可长达数年 ,同时写擦时间可分别为 μs和ns量级 。
- 闾锦施毅濮林杨红官杨铮郑有炓
- 关键词：单电子存储器电路模拟
- 基于锗硅异质纳米晶的非易失浮栅存储器的存储特性
- 2008年
- 利用自组织生长和选择化学刻蚀方法在超薄SiO2隧穿氧化层上制备了渐变锗硅异质纳米晶,并通过电容-电压特性和电容-时间特性研究了该纳米结构浮栅存储器的存储特性.测试结果表明,该异质纳米晶非易失浮栅存储器具有良好的空穴存储特性,这是由于渐变锗硅异质纳米晶中Ge的价带高于Si的价带形成了复合势垒,空穴有效地存储在复合势垒的Ge的一侧.
- 闾锦陈裕斌左正施毅濮林郑有炓
- 关键词：电容-电压特性自组织生长
- 微晶硅薄膜的等离子增强化学气相沉积生长特征被引量：4
- 2008年
- 本文采用27.12 MHz等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术制备了氢化微晶硅薄膜材料,通过Raman散射谱、X射线衍射、扫描电子显微镜、原子力显微镜和傅立叶变换红外谱等表征方法研究了生长条件参数对薄膜结构及生长速率的影响,对薄膜的生长机制进行了讨论,特别分析了孵化层形成和演化、以及对晶化率、柱状晶粒生长的作用特征.实验测量分析表明,在薄膜生长的初期阶段,形成一个嵌入大量小晶粒的非晶孵化层,并随着薄膜厚度的增加其非晶成份减少,晶化率不断提高,晶粒开始长大并结聚成团,形成大的晶粒,沿生长方向上形成横向尺寸为百纳米级的柱状晶粒.红外透射谱的结果证实2 100 cm-1附近吸收来源于位于晶界区或微孔内表面团簇化的SiH键的吸收.同时,适当的等离子能量在薄膜生长过程中有利于抑制氧的影响.目前的研究加深了对薄膜PECVD生长过程和生长机制的理解,有利于加强对太阳电池用的硅薄膜形态和质量的控制.
- 左则文闾锦管文田濮林施毅郑有炓
- 关键词：等离子体化学气相沉积微结构晶化率
- 基于锗硅异质纳米结构的非挥发浮栅存储器的制备方法
- 基于锗硅异质纳米结构的半导体非挥发性浮栅存储器，包括：半导体衬底；在半导体衬底中设有掺杂形成的源极和漏极，在源漏极间的沟道层正上方设有氧化形成隧穿氧化层；设有控制栅介电层和栅电极；在隧穿氧化层上是渐变锗硅异质纳米结构即晶...
- 施毅闾锦陈裕斌左正濮林张荣韩平顾书林郑有炓
- 文献传递
- 锗硅纳米晶多层非易失性存储器件研究
- S.Tiwari等提出的纳米晶非易失浮栅存储器具有功耗低，擦写速度快，存储密度高等诸多优点，使之有望取代传统的多晶硅浮栅存储器。选择半导体材料(Si、Ge)作为纳米晶浮栅，可以较好地与现有的集成电路工艺线兼容。当尺寸进一...
- 王广利濮林闾锦王泽瑞张荣郑有炓施毅
- 关键词：纳米晶存储器件集成电路半导体材料
- 文献传递
- 非挥发纳米晶浮栅存储结构研究
- 论文叙述了半导体存储器的发展现状，对非挥发性半导体存储器及其工作模式等做了重点阐述。多晶硅薄膜浮栅存储器是目前应用最为广泛，技术最为成熟的非挥发半导体存储器，但随着器件特征尺寸的不断缩小，连续浮栅结构中存储的电荷将会通过...
- 闾锦
- 关键词：存储介质
- 基于纳米异质结构的非挥发性浮栅存储器
- 本发明涉及一种基于纳米晶粒的半导体非挥发性浮栅存储器，提出基于纳米异质结构的新型非挥发性浮栅存储器，一种基于纳米异质结构的非挥发性浮栅存储器，其包括：半导体衬底；在半导体衬底中掺杂形成源极和漏极，在源漏极间的沟道层正上方...
- 施毅闾锦杨红官张荣濮林韩平顾书林朱顺明郑有炓
- 文献传递
- 非挥发浮栅存储器用PtAu纳米颗粒单层膜的制备
- 2008年
- 将Langmuir-Blodgett(LB)膜等化学方法应用于非挥发浮栅存储器制备工艺中.采用反相微乳液方法合成的分散良好的PtAu纳米颗粒粒径约为5 nm,并应用LB膜方法在存储器隧穿氧化层上制备了PtAu纳米颗粒的单层膜.采用SEM对LB膜的表面形貌进行观测,研究了表面压对成膜质量的影响,结果表明在表面压为15 mN/m时可获得密度为1011cm-2均匀分布的PtAu纳米颗粒单层二维阵列,可应用于非挥发性金属纳米颗粒浮栅存储器,并成功拓展了LB膜等化学方法的应用范围.
- 闾锦陈裕斌潘力佳濮林施毅郑有炓
- 关键词：反相微乳液LB膜
