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齐小鹏

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院理化技术研究所更多>>
相关领域：一般工业技术轻工技术与工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文专利

领域

  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 6篇纳米
  • 4篇电极
  • 4篇纳米材料
  • 4篇纳米管
  • 4篇纳米管阵列
  • 4篇半导体纳米材...
  • 4篇SUB
  • 2篇导电
  • 2篇导电玻璃
  • 2篇电化学
  • 2篇电化学沉积
  • 2篇退火
  • 2篇热分解
  • 2篇线阵列
  • 2篇纳米线
  • 2篇纳米线阵列
  • 2篇光电极
  • 2篇核壳
  • 2篇恒定电流
  • 2篇高温

机构

  • 6篇中国科学院

作者

  • 6篇齐小鹏
  • 6篇师文生
  • 6篇佘广为

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
制备CdS/ZnO纳米管阵列光电极的方法
本发明属于半导体纳米材料应用技术领域，尤其涉及一种应用电化学技术制备CdS/ZnO纳米管阵列光电极的方法。本发明以载有ZnO纳米管阵列的导电玻璃作为工作电极，以铂片作为对电极，以饱和甘汞电极作为参比电极；以含有S粉和Cd...
师文生齐小鹏佘广为
文献传递
核壳Si/Fe<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>纳米线阵列的制备方法
本发明属于半导体纳米材料制备领域，尤其涉及一种核壳Si/Fe<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>纳米线阵列的制备方法。本发明首先通过化学刻蚀法在单晶Si片上得到Si纳米线阵列，然后再通过浸泡含有Fe(NO)...
佘广为齐小鹏师文生
一种在导电基底上制备Fe<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>纳米管阵列的方法
本发明涉及在导电基底上制备Fe<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>纳米管阵列的方法。本发明是以载有ZnO纳米棒阵列的导电基底作为工作电极，以铂片作为对电极，以饱和甘汞电极作为参比电极，以含有FeCl<Sub...
佘广为齐小鹏师文生
文献传递
制备CdS/ZnO纳米管阵列光电极的方法
本发明属于半导体纳米材料应用技术领域，尤其涉及一种应用电化学技术制备CdS/ZnO纳米管阵列光电极的方法。本发明以载有ZnO纳米管阵列的导电玻璃作为工作电极，以铂片作为对电极，以饱和甘汞电极作为参比电极；以含有S粉和Cd...
师文生齐小鹏佘广为
一种在导电基底上制备Fe<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>纳米管阵列的方法
本发明涉及在导电基底上制备Fe<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>纳米管阵列的方法。本发明是以载有ZnO纳米棒阵列的导电基底作为工作电极，以铂片作为对电极，以饱和甘汞电极作为参比电极，以含有FeCl<Sub...
佘广为齐小鹏师文生
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核壳Si/Fe<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>纳米线阵列的制备方法
本发明属于半导体纳米材料制备领域，尤其涉及一种核壳Si/Fe<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>纳米线阵列的制备方法。本发明首先通过化学刻蚀法在单晶Si片上得到Si纳米线阵列，然后再通过浸泡含有Fe(NO)...
佘广为齐小鹏师文生
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