乔峰
- 作品数：6 被引量：14H指数：3
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- a-Si:H/SiO<,2>多层膜中的激光诱导限制结晶
- 我们利用等离子增强化学气相淀积(PECVD)方法和等离子体氧化技术原位制备了a-Si:H/SiO<,2>多层膜,并依据激光诱导限制结晶原理,用KrF准分子脉冲激光辐照样品的方法,使a-Si:H/SiO<,2>多层膜进行晶...
- 乔峰黄信凡隋妍萍李伟马忠元李鑫邹和成陈坤基
- 关键词：化学气相淀积激光辐照
- 文献传递
- 激光干涉结晶技术制备二维有序分布纳米硅阵列被引量：4
- 2005年
- 利用结合移相光栅掩模(PSGM)的激光结晶技术在超薄a-SiNx/a-Si:H/a-SiNx三明治结构样品中制备出二维有序分布的纳米硅阵列.原始样品是用等离子体增强化学气相淀积法生长.a-Si:H层厚为10nm,a-SiNx为50nm,衬底材料为SiO2/Si或熔凝石英.原子力显微镜、剖面透射电子显微镜、高分辨透射电子显微镜对样品表面形貌和微结构的观测结果表明,采用该方法可以在原始淀积的a-Si:H层中得到位置可控的晶化区域:每个晶化区域直径约250nm,具有同PSGM一致的2μm周期;晶化区域内形成的纳米硅颗粒尺寸接近原始淀积的a-Si:H层厚,且晶粒的择优取向为<111>.
- 邹和成乔峰吴良才黄信凡李鑫韩培高马忠元李伟陈坤基
- 关键词：激光干涉高分辨透射电子显微镜等离子体增强SINXSI02衬底材料
- 绝缘衬底上高密度均匀纳米硅量子点的形成与表面形貌被引量：5
- 2004年
- 利用等离子体增强化学气相淀积技术 ,在绝缘氮化硅 (SiNx)衬底上制备超薄非晶硅 (a Si:H)薄膜 ,通过超短脉冲激光辐照与准静态常规热退火技术处理 ,制备出高密度、均匀纳米硅 (nc Si)量子点 .使用原子力显微镜对处理前后样品的表面形貌进行了研究 ,发现激光辐照能量密度增加的同时 ,所形成的nc Si尺寸也随之增加 .在合适的能量密度范围内 ,可以得到面密度大于 10 1 1 /cm2 、尺寸分布标准偏差小于 2 0 %的 10nmnc Si量子点薄膜 ,表明所制备的nc Si量子点具有较好的均匀性及较高的面密度 .同时 ,对nc
- 李鑫王晓伟李雪飞乔峰梅嘉欣李伟徐骏黄信凡陈坤基
- 关键词：纳米硅衬底化学气相淀积等离子体增强能量密度热退火
- 激光限制结晶技术制备nc-Si/SiO_2多层膜被引量：3
- 2004年
- 在等离子体增强化学气相淀积系统中 ,采用a Si:H层淀积和原位等离子体氧化相结合的逐层生长技术制备了a Si:H SiO2 多层膜 .在激光诱导限制结晶原理基础上 ,使用KrF准分子脉冲激光为辐照源 ,对a Si:H SiO2 多层膜进行辐照 ,使纳米级厚度的a Si:H子层晶化 .Raman散射谱和电子衍射谱的结果表明 ,经过激光辐照后纳米Si颗粒在原始的a Si:H子层内形成 ,晶粒尺寸可以根据a Si:H层的厚度精确控制 .还研究了样品的光致发光 (PL)
- 乔峰黄信凡朱达马忠元邹和成隋妍萍李伟周晓辉陈坤基
- 关键词：RAMAN散射化学气相淀积等离子体增强多层膜电子衍射
- 尺寸可控的纳米硅的生长模型和实验验证被引量：5
- 2006年
- 基于经典热力学理论,对a-SiNx/a-Si:H/a-SiNx三明治结构或a-Si:H/a-SiNx多层膜结构中纳米硅成核,以及从球形到鼓形的生长过程进行了研究.建立了限制性晶化理论模型:在纳米硅生长过程中,由于界面能增大将导致生长停止,给出限制性晶化条件——a-Si:H子层厚度小于34nm.在激光晶化和常规热退火两种方法形成的a-SiNx/nc-Si/a-SiNx三明治结构和nc-Si/a-SiNx多层膜结构中验证了该理论模型.
- 刘艳松陈铠乔峰黄信凡韩培高钱波马忠元李伟徐骏陈坤基
- 关键词：非晶硅纳米硅激光辐照
- 有序纳米硅阵列的制备与微结构分析
- 本论文从等离子增强化学汽相淀积(PECVD)方法制备超薄a-Si薄膜材料出发，以与硅平面工艺相兼容的激光晶化技术为手段，结合移相光栅掩膜与多层膜材料两种方法，成功地制备出一维、二维和三维的有序分布的纳米硅阵列。采用原子力...
- 乔峰
- 关键词：硅量子点化学汽相淀积微电子
- 文献传递
