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余其凯

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：天津大学更多>>
相关领域：电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇水浴
  • 2篇普通玻璃
  • 2篇躯体
  • 2篇硫化
  • 2篇络合剂
  • 2篇二酸
  • 2篇丙二酸
  • 1篇电容量
  • 1篇性能研究
  • 1篇正极
  • 1篇正极材料
  • 1篇溶胶
  • 1篇溶胶-凝胶
  • 1篇碳包覆
  • 1篇结晶态
  • 1篇晶态
  • 1篇化合物半导体
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性能

机构

  • 4篇天津大学

作者

  • 4篇余其凯
  • 3篇蔡舒
  • 3篇燕子鹏
  • 2篇靳正国
  • 1篇周幸

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种化学浴沉积并硫化制备二硫化铁薄膜的方法
本发明涉及一种化学浴沉积并硫化制备FeS<Sub>2</Sub>薄膜的方法，采用柠檬酸或丙二酸作为络合剂，在低于100℃的水浴环境下，在改性的普通玻璃上均获得均一致密且高度结晶的前躯体薄膜，然后进行硫化处理，并快速降温得...
蔡舒余其凯靳正国燕子鹏
结晶碳包覆硅酸亚铁锂正极材料及制备方法
本发明涉及一种高纯度结晶碳包覆硅酸亚铁锂正极材料及制备方法，在结晶碳包覆硅酸亚铁锂正极材料中，粉体粒径在50～350nm，正极材料在C/16倍率下，初次放电容量为125.7～150.3mAhg<Sup>-1</Sup>；...
蔡舒余其凯燕子鹏周幸
文献传递
化学浴沉积法制备FeS2薄膜及光学性能研究
立方晶系的FeS2(pyrite)是一种黄铁矿型结构的化合物半导体,其理论禁带宽度为0.95eV,光吸收系数高达105cm-1,组成元素储量丰富无毒,在制备太阳能电池时可以以薄膜形式使用,是一种非常有潜力的太阳能电池材料...
余其凯
关键词：化合物半导体FES2薄膜光学性能
一种化学浴沉积并硫化制备二硫化铁薄膜的方法
本发明涉及一种化学浴沉积并硫化制备FeS<Sub>2</Sub>薄膜的方法，采用柠檬酸或丙二酸作为络合剂，在低于100℃的水浴环境下，在改性的普通玻璃上均获得均一致密且高度结晶的前躯体薄膜，然后进行硫化处理，并快速降温得...
蔡舒余其凯靳正国燕子鹏
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