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侯克玉

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇单次
  • 2篇电子束
  • 2篇电子束抗蚀剂
  • 2篇电子束曝光
  • 2篇掩膜
  • 2篇执行器
  • 2篇微执行器
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米尺寸
  • 2篇绝缘
  • 2篇绝缘材料
  • 2篇抗蚀剂
  • 2篇刻蚀
  • 2篇键合
  • 2篇光刻
  • 2篇光刻版
  • 2篇光刻胶
  • 2篇封装
  • 2篇MEMS器件
  • 1篇氮化镓

机构

  • 7篇中国科学院

作者

  • 7篇侯克玉
  • 3篇张宝顺
  • 2篇王逸群
  • 2篇刘彬
  • 2篇俞挺
  • 2篇周震华
  • 2篇付思齐
  • 2篇姜春宇
  • 2篇王德稳
  • 2篇时文华
  • 1篇董志华
  • 1篇王越
  • 1篇曾春红
  • 1篇赵德胜
  • 1篇于国浩
  • 1篇蔡勇

传媒

  • 1篇2013‘全...

年份

  • 2篇2019
  • 1篇2015
  • 4篇2013
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
AlGaN/GaN HEMT漂移区动态电阻分析
AlGaN/GaN HEMT适合应用于高压大功率器件,但在高电压动态使用时,存在导通电阻增加的现象.目前可以有效降低动态导通电阻的方法有:场板结构和AlN介质层等.本论文采用叠层双栅结构AlGaN/GaN HEMT器件,...
于国浩蔡勇王越赵德胜曾春红侯克玉董志华张宝顺
关键词：高电子迁移率晶体管氮化镓动态电阻
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光刻方法
本发明公开了一种光刻方法，用以获得具有不同高度的光刻结构，包括：s1、设计光刻版图形，该光刻版图形包括多个相同的图形单元，所述多个图形单元阵列分布；s2、根据所述的光刻版图形在待加工样品上形成一定厚度的光刻胶掩膜，所述待...
付思齐时文华刘彬侯克玉张宝顺
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MEMS器件的封装方法及微执行器的制备方法
本发明公开了一种MEMS器件的封装方法，包括在第一衬底的第一表面上刻蚀形成盲孔；在所述盲孔内制作形成导电柱；在所述第一表面上制作形成第一布线层，所述第一布线层与所述导电柱接触；对所述第一衬底的与所述第一表面相对的第二表面...
黄河俞挺程伟侯克玉
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电子束曝光方法
本发明公开了一种电子束曝光方法，包括：s1、在待加工样品上涂覆一层底层电子束抗蚀剂；s2、在底层的电子束抗蚀剂上形成金属层；s3、在金属层上涂覆一层顶层电子束抗蚀剂；s4、电子束曝光，在顶层电子束抗蚀剂上面形成所需要的纳...
侯克玉王逸群姜春宇王德稳周震华
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电子束曝光方法
本发明公开了一种电子束曝光方法，包括：s1、在待加工样品上涂覆一层底层电子束抗蚀剂；s2、在底层的电子束抗蚀剂上形成金属层；s3、在金属层上涂覆一层顶层电子束抗蚀剂；s4、电子束曝光，在顶层电子束抗蚀剂上面形成所需要的纳...
侯克玉王逸群姜春宇王德稳周震华
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用于封装MEMS器件的封装结构、MEMS芯片及微执行器
本发明公开了一种用于封装MEMS器件的封装结构，封装结构包括第一衬底、第一布线层、导电柱和第一键合环，第一衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面以及贯穿第一表面和第二表面的背通孔，第一布线层设置于第一表面上，导电柱设置于背...
黄河俞挺程伟侯克玉
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光刻方法
本发明公开了一种光刻方法，用以获得具有不同高度的光刻结构，包括：s1、设计光刻版图形，该光刻版图形包括多个相同的图形单元，所述多个图形单元阵列分布；s2、根据所述的光刻版图形在待加工样品上形成一定厚度的光刻胶掩膜，所述待...
付思齐时文华刘彬侯克玉张宝顺
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