冯叶
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学技术大学物理学院物理系更多>>
- 发文基金：安徽省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>
- Cu（In,Ga）3Se5薄膜的结构及其缺陷研究
- 讨论了Ga含量对四元有序缺陷化合物Cu(In,Ga)3Se5薄膜结构的影响。Ga含量的增加引起晶格扭曲系数η近似按抛物线形式增加,而其晶格常数a与c呈线性减小趋势,同时(112),(220)／(204)等主衍射峰的位置和...
- 徐传明许小亮谢家纯徐军杨晓杰冯叶黄文浩刘洪图
- 关键词：XRD
- Cu（In,Ga）3Se5薄膜的结构及其缺陷研究
- 黄铜矿结构Cu（In,Ga）Se薄膜半导体材料由于较高的可见光吸收系数、稳定性能和禁带宽度接近理想带隙等诸多优点,已成为高效率光伏器件的候选材料之一。然而薄膜表层存在的类黄铜矿结构β-Cu（InGa）Se有序缺陷他合物相...
- 徐传明许小亮谢家纯徐军杨晓杰冯叶黄文浩刘洪图
- Cu(In,Ga)_3Se_5薄膜结构的Raman研究被引量：2
- 2004年
- 讨论了 Ga含量对四元有序缺陷化合物 Cu(In,Ga) 3Se5薄膜的晶格振动模式的影响 ,室温下 Cu In3Se5与 Cu-Ga3Se5A1 模式峰位分别位于 15 3cm- 1 和 16 4 cm- 1 ,Ga含量的增加引起晶格扭曲系数以及阴离子 Se位移参数的增加 ,相应改变了 Cu- Se以及 In/ Ga- Se的键长及其键拉伸力学常数 ,从而影响了 A1
- 徐传明许小亮徐军杨晓杰左健党学明冯叶黄文浩刘洪图
- 关键词：晶格振动RAMAN散射
- Cu(In,Ga)3Se5薄膜的结构及其缺陷研究
- 2006年
- 讨论了Ga含量对四元有序缺陷化合物Cu(In,Ga)3Se5薄膜结构的影响.Ga含量的增加引起晶格扭曲系数η近似按抛物线形式增加,而其晶格常数a与c呈线性减小趋势,同时(112),(220)/(204)等主衍射峰的位置和强度呈现显著的改变.而样品厚度的改变会导致薄膜中存在不同的内应力,最终对薄膜的结构产生了显著影响.
- 徐传明许小亮谢家纯徐军杨晓杰冯叶黄文浩刘洪图
- 关键词：XRD
