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刘希

作品数：7 被引量：10H指数：2
供职机构：南京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国防科技重点实验室基金更多>>
相关领域：理学电子电信政治法律一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 2篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇政治法律

主题

  • 3篇隧道结
  • 3篇溅射
  • 3篇超导
  • 3篇超导隧道结
  • 3篇磁控
  • 3篇磁控溅射
  • 3篇NBN
  • 2篇NB
  • 2篇TEM
  • 1篇电子显微镜
  • 1篇预算公开
  • 1篇政治
  • 1篇透射电子显微...
  • 1篇主政
  • 1篇显微镜
  • 1篇民主
  • 1篇民主政治
  • 1篇混频
  • 1篇混频器
  • 1篇基片

机构

  • 6篇南京大学

作者

  • 6篇刘希
  • 4篇赵少奇
  • 4篇康琳
  • 4篇吴培亨
  • 3篇昌路
  • 2篇吉争鸣
  • 2篇孙静
  • 1篇仓路

传媒

  • 2篇低温与超导
  • 2篇第九届全国超...

年份

  • 1篇2013
  • 3篇2007
  • 2篇2006
共 7 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
NbN/AlN/NbN超导隧道结的制备工艺
研究了在MgO基片上制备NbN/AlN/NbN结的工艺,NbN和AlN的制备分别采用直流磁控溅射和交流磁控溅射.为了得到良好特性的隧道结,我们首先要在高真空反应室里沉积三层膜结构,经过光刻和反应离子刻蚀,得到底电极和桥区...
刘希康琳孙静赵少奇仓路吉争鸣吴培亨
关键词：超导隧道结隧道结磁控溅射
文献传递
NbN/A1N/NbN结的制备与性能
超导隧道结(SIS)混频技术以极低的接近量子极限的噪声温度和宽的瞬时带宽，成为0.1-1THz频段灵敏度最高的检测技术。目前超导SIS接收机噪声温度已经低达3～5倍量子极限。近年来，随着超导SIS结制备技术的发展和超导S...
刘希
关键词：超导隧道结混频器磁控溅射ALN薄膜
预算公开与反腐败
腐败极大地扰乱社会秩序、败坏社会风气、挥霍公共财富、损害公共利益。由委托-代理理论可知,政府的权力来源于公民的委托。然而由于信息不对称,政府往往容易发生背离公共利益而追求个人利益的行为。公众对腐败现象深恶痛绝,更使政府面...
刘希
关键词：预算公开腐败治理民主政治
文献传递
利用TEM对Si基片与MgO基片上生长的薄膜特性的研究
2007年
对生长在Si和MgO单晶基片上的不同厚度的单层NbN薄膜、双层薄膜AlN/NbN以及三层薄膜NbN/AlN/NbN应用透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope,TEM)技术进行了分析研究,对这几种薄膜样品的微观结构、薄膜厚度以及各个边界的一些直观细节给出了较为清晰的图像。由透射电子显微镜的电子衍射图案计算了薄膜和单晶衬底的晶格常数,并与我们以前采用X射线衍射技术分析的结果进行了比较,结果有很好的吻合。
昌路康琳刘希赵少奇吴培亨
关键词：透射电子显微镜
NbN/AlN/NbN超导隧道结的制备工艺
2007年
研究了在MgO基片上制备NbN/AlN/NbN结的工艺,NbN和AlN的制备分别采用直流磁控溅射和交流磁控溅射。为了得到良好特性的隧道结,首先要在高真空反应室里沉积三层膜结构,经过光刻和反应离子刻蚀,得到底电极和桥区的三层结构图形。再经过第二步光刻和刻蚀,仅保留底电极最下层的NbN,得到结区的三层结构图形,并覆盖AlN绝缘层。经过Lift-off工艺,洗去结区上的光刻胶,最后沉积上电极。使用四端子方法对制备的隧道结进行了一系列测量,特别是在高频(THz)下的响应。
刘希康琳孙静赵少奇昌路吉争鸣吴培亨
关键词：超导隧道结NBNALN磁控溅射
利用TEM对Si基片与MgO基片上生长的薄膜特性的研究
对生长在Si和MgO单晶基片上的不同厚度的单层NbN薄膜、双层薄膜AlN/NbN以及三层薄膜NbN/AlN/NbN应用透射电子显微镜技术进行了分析研究,对这几种薄膜样品的微观结构、薄膜厚度以及各个边界的一些直观细节给出了...
昌路康琳刘希赵少奇吴培亨
关键词：电子显微镜薄膜生长硅基片
文献传递
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