姚熹
- 作品数：717 被引量：2,108H指数：18
- 供职机构：西安交通大学更多>>
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- 相关领域：一般工业技术电气工程化学工程电子电信更多>>
- 纳米微晶SnO_2薄膜的制备和光学性能的研究被引量：5
- 1998年
- 以无机盐为原料制备得到纳米微晶ＳｎＯ２薄膜。由透射比曲线计算发现，随热处理温度的升高，薄膜的折射率、消光系数均增大。研究表明，掺Ｔｉ的ＳｎＯ２薄膜吸收边的跃迁属间接跃迁，随晶粒尺寸的减小，间接带宽增大。
- 林殷茵刘秦杨合情张良莹姚熹
- 关键词：二氧化锡纳米微晶吸收边导电材料
- 一种固态薄膜电容器及其制备方法
- 本发明涉及一种固态薄膜电容器及其制备方法，该电容器包括下部电极(1)、活性氧化铝薄膜(2)、上部电极(3)、阳极氧化膜(4)及衬底基片(5)，下部电极(1)涂覆在衬底基片(5)表面上，活性氧化铝薄膜(2)设置在上部电极(...
- 姚曼文陈建文肖瑞华杨鹏飞胡保付姚熹
- PMN-PT单晶淬火处理对介电性能的影响
- 2004年
- 通过淬火处理可以使弛豫型PMN-PT单晶中一些应力集中的区域产生应力场致相变,在Td处产生宏畴,从而在温谱上Td处的介电峰强化.研究表明,经淬火处理单晶谐振极化所对应的低温介电行为受到压制,主介电峰变窄,峰值变高并稍向高温方向移动;频率弥散减弱,弛豫性变小.
- 闫宗林姚熹张良莹严辉
- 关键词：内应力淬火
- CuO添加的BiNbO_4微波材料的研究被引量：4
- 2003年
- 讨论了CuO添加对BiNbO4微波介质材料的结构和性能的影响。结果表明,添加CuO可促进晶粒生长,使得BiNbO4材料在较低的温度下烧结成瓷,且获得较好的微波介电性能;但添加量不宜过大,过量后Q×f迅速降低。Q×f降低的原因主要与添加后引起的介电弛豫有关,也与添加后第二相的出现及晶粒尺寸减小有关。最佳的CuO的添加量为0.2%(质量比),添加后材料可在920°C烧结,介电性能为:εr≈45(5GHz),Q×f≥10THz。
- 刘艳平张良莹丁士华张德生姚熹
- 关键词：BINBO4微波陶瓷CUO介电性能
- 制备具有高度取向的非铅系钙钛矿结构铁电薄膜的方法
- 本发明属于电子材料和器件技术领域，具体为一种制备具有高度取向结构的非铅系钙钛矿结构铁电薄膜的方法。本发明采用溶胶－凝胶方法，并严格控制反应前驱体溶液的浓度为0.01M－0.1M之间，衬底采用LaNiO<Sub>3</Su...
- 翟继卫姚熹
- 文献传递
- 电场诱导PLZST陶瓷反铁电-铁电相变的原位X射线衍射研究被引量：4
- 1998年
- 用原位X射线衍射、电滞回线、纵向应变等手段研究了组分分别为(Pb_(0.97)La_(0.02))(Zr_(0.75)Ti_(0.09)Sn_(0.16))O_3和(Pb_(0.97)La_(0.02))(Zr_(0.65)Ti_(0.01)Sn_(0.25))O_32个样品的电场诱导反铁电-铁电相变现象.结果表明,当外加电场高于相变临界场后,四方反铁电相转变为三方铁电相,四方相轴比a/c越大,相变引起的纵向应变量越大;另外,经外场极化处理的反铁电畴会有取向性.此外还讨论了晶格结构的变化对宏观纵向应变的影响.
- 刘鹏杨同青徐卓翟继卫张良莹姚熹
- 关键词：相变电场诱导
- CdTe纳米晶的水相合成及其性能研究
- 本文以巯基乙酸(TGA)为配合剂,采用水浴回流的方法制备出闪锌矿结构的CdTe纳米晶。研究了Cd/Te比、初始反应溶液pH值、反应物浓度、水浴温度等因素对制备CdTe纳米晶的影响,通过X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜...
- 林忠海汪敏强黄戈姚熹
- 关键词：纳米晶水相合成
- 文献传递
- 低温烧结Ba_xSr_(1-x)TiO_3玻璃陶瓷被引量：2
- 2004年
- 采用溶胶–凝胶法制备出均匀的Ba-Sr-Ti-Pb-B-Si-O凝胶玻璃,通过适当的热处理,原位析出BaxSr1-xTiO3(BST)微晶,同时在一定温度下获得Pb-B-Si-O玻璃相。玻璃相的存在降低了BST玻璃陶瓷的烧结温度:烧结温度在1 000℃以下,体积密度达到理论密度的90%以上。由于Pb2+取代了Ba2+、Sr2+,形成PbTiO3,导致了BST玻璃陶瓷的居里温度向高温方向移动。
- 吴斌张良莹姚熹
- 关键词：钛酸锶钡溶胶-凝胶玻璃陶瓷
- 掺Bi_2O_3/K_2O铌锌酸铅基陶瓷材料的介电性能
- 1997年
- 研究了(Pb_(0.95-2x)Ba_(0.05)Bi_xK_x)[(Zn_(1/3)Nb_(2/3)_(0.87)Ti_(0.13)]O_3陶瓷的介电性能。结果表明,随着x的增加,材料的介电温谱逐渐展宽,最大介电常数降低,最大介电常数对应的温度移向低温,相变扩散因子增大,频率弥散因子在x=0.15时出现最大值;当x=0.15时,得到了ε_(20)℃=2110,介质损耗tanδ=0.77%,电容温度系数在-55℃～+125℃之间落在-14%～-24%范围内的温度稳定陶瓷材料,认为Bi_2O_3和K_2O使材料纳米结构不均匀是介电温谱宽化的原因。
- 岳振星王晓莉张良莹姚熹
- 关键词：铌锌酸铅铁电体介电性能电容器陶瓷
- Bi基微波介质材料研究进展被引量：13
- 2006年
- 低温烧结微波介质陶瓷是近年来电介质材料方面的一个重要研究方向,也是发展片式多层微波器件的基础材料。Bi基材料具有较低的烧结温度和优良的介电性能,因而受到了广泛的关注。据此,对不同介电常数Bi基微波介质材料体系的研究进展及应用作了综合介绍,并分析了低熔点氧化物掺杂、离子取代对不同体系微波介质材料结构、介电性能的影响。
- 陈凯沈波姚熹杨同青
- 关键词：低温共烧陶瓷介电性能
