孔祥磊
- 作品数：3 被引量：10H指数：2
- 供职机构：北京科技大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：化学工程冶金工程更多>>
- SPS工艺制备SiC_p/Si_3N_4复相陶瓷及其力学性能的研究被引量：5
- 2008年
- 使用Si3N4、SiC陶瓷微粉为原料,氧化铝(Al2O3)和氧化钇(Y2O3)为烧结助剂,通过放电等离子烧结(SPS)技术快速制备了SiC/Si3N4复相陶瓷,并研究了SiC的添加量、SPS的烧结温度、压力和保温时间等参数对烧结试样相对密度、力学性能及显微结构的影响。结果表明,SiC颗粒补强增韧Si3N4陶瓷的最佳添加量为15%,相对与单相Si3N4陶瓷,维氏硬度提高了6·6%,断裂韧性提高了5%,抗弯强度提高了24%,样品晶粒比较均匀,SiC颗粒诱发穿晶断裂和钉扎效应提高了基体的断裂韧性。
- 张勇何新波曲选辉赵珍孔祥磊
- 关键词：放电等离子烧结相对密度力学性能
- 注射成形工艺结合先驱体转化法制备碳化硅陶瓷
- 2007年
- 选择一种石蜡基多聚物粘结剂体系,在固含量为52vol%及最佳注射参数下,注射出良好的碳化硅陶瓷复杂件坯体,以二步法溶剂脱脂和热脱脂为脱脂工艺,得到的热脱脂坯通过聚碳硅烷先驱体溶液在真空下浸渍,并在1200℃氮气氛下裂解,使生坯密度提高到1.75g/cm3以上,再将烧结坯体于2100℃,Ar气氛下,保温1h进行固相烧结,得到的碳化硅陶瓷复杂件密度为3.11g/cm3,致密度为97%。
- 张勇何新波曲选辉赵珍孔祥磊
- 关键词：陶瓷注射成形先驱体脱脂碳化硅
- 放电等离子烧结工艺制备致密碳化硅陶瓷被引量：5
- 2008年
- 以SiC微粉为原料,并添加质量分数为10%的Al2O3和Y2O3为烧结助剂,采用放电等离子烧结(SPS)技术快速制备了SiC陶瓷,对烧结致密化过程、SPS烧结温度、烧结压力及烧结时间对致密化的影响进行了研究,并通过XRD和SEM等检测手段对SPS烧结得到烧结体的显微组织和物相组成进行了分析。结果表明:SiC的SPS烧结过程可分为放气膨胀区、气体溢出收缩区、烧结收缩区、烧结完成区四阶段,最佳的烧结参数为1600℃,50 MPa,5 min,所得的烧结体致密度达99.09%。
- 张勇何新波曲选辉孔祥磊段柏华
- 关键词：碳化硅陶瓷放电等离子烧结致密度
