尉吉勇
- 作品数：25 被引量：41H指数：4
- 供职机构：山东大学物理学院晶体材料国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划山东省优秀中青年科学家科研奖励基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- SiO_2纳米线簇、C-Si-O纳米球的制备及形貌、红外光谱和光致发光光谱研究被引量：6
- 2009年
- 以二茂铁和硅油作为催化剂和原料,利用高温裂解硅油为C,Si,O源,在常压N2和H2混合气氛的化学气相沉积管式炉中制备了大量直径为5—40nm、长数百纳米的非晶SiO2纳米线簇及粒径为100—300nm的C-Si-O实心纳米球.利用透射电子显微镜、扫描电子显微镜对产物形貌进行表征.Fourier红外吸收谱显示出非晶SiO2所具有的474,802和1100cm-1三个特征峰;SiO2纳米线簇的光致发光光谱具有较强440nm蓝光发光峰;而C-Si-O(原子数之比为1.13∶1∶2.35)纳米球具有奇特的红绿蓝(625,540,466nm)三色光致发光谱.
- 郑立仁黄柏标尉吉勇
- 可见光共振腔发光二极管的研究进展
- 2002年
- 共振腔发光二极管是一种具有优良发光性能的光电器件。概述了对可见光共振腔发光二极管的共振腔结构、反射镜材料体系、基本工作机理和发光特性,并展望了这种器件的发展前景。
- 陈文澜黄柏标齐云于永芹周海龙尉吉勇潘教青
- 关键词：发光二极管共振腔分布布拉格反射镜发光特性
- GaAs衬底厚度对发光二极管稳定性的影响被引量：3
- 2003年
- 在n+-GaAs(n=1×1018cm-3)衬底上,用MOCVD方法制备了610 nm的AlGaInP发光二极管的外延片,用X射线双晶衍射和PL谱表征了ALGaInP外延片样品的性质,通过对减薄到不同厚度的LED外延片的管芯在相同条件下的退化实验,发现了亮度的退化随厚度的减小而减小的结果。由理论计算结果可以得到,衬底厚度的降低对于LED样品稳定性产生作用的主要因素是由于产生的耗散热的减小而使缺陷增殖速度减小和非辐射复合中心浓度的相应降低,同时衬底厚度的降低也有助于提高AlGaInP LED的器件的稳定性。
- 周海龙黄柏标潘教青于永芹尉吉勇陈文澜齐云张晓阳秦晓燕任忠祥李树强
- 关键词：发光二极管稳定性砷化镓GAASMOCVD化学气相沉积法
- 不同气氛下SiO_x纳米线的制备及形貌、红外、光致发光研究被引量：5
- 2009年
- 以N2/H2、N2或NH3为载气,利用碳辅助化学气相沉积法,常压1140℃下在石英衬底上制备了大量直径为20—300nm,长数百微米的非晶SiOx纳米线.制备得到的纳米线具有高度定向生长的特性.利用透射电子显微镜、扫描电子显微镜及电子能谱对SiOx纳米线的形貌及组分进行了分析,Si与O原子之比为1∶1.8.傅里叶红外吸收谱显示了非晶氧化硅的三个特征峰(482,806和1095cm-1)及1132cm-1无序氧化硅结构的强吸收峰.SiOx纳米线光致发光光谱(PL)在440nm(2.83eV)处具有较强的荧光峰;N2为载气生长的SiOx纳米线的PL峰强比NH3为载气生长的SiOx纳米线峰强大四个数量级.
- 郑立仁黄柏标尉吉勇
- 关键词：光致发光
- 应变无Al有源层InGaAsp/InGaP/In_(0.5)(GaAl)_(0.5)P/GaAs大功率激光二极管(英文)
- 2002年
- 生长了 In Ga Asp/In Ga P/In(Al Ga) P材料分别限制应变量子阱半导体激光器 ,发光波长 780 nm。利用电化学 C- V表征材料掺杂 ,掺杂浓度达 10 1 8cm- 1 。利用荧光 PL及 EL表征其光学性质。 PL峰为765 nm。制得 10 0 μm、宽 1m m长条形。测得阈值电流为 3 15 m A,斜率效率超过 1W/A,功率转换可达 40 %左右。注入电流 1.5 A,光功率单管输出达到 1.2 W。
- 尉吉勇黄伯标于永芹周海龙潘教青张晓阳秦晓燕陈文兰齐云
- 关键词：MOCVD
- 碳辅助CVD制备氧化硅纳米线及其光学性能被引量：3
- 2009年
- 利用碳辅助CVD方法,在1100～1140℃、常压、N2/H2气氛下,以Fe-Al-O复合体系为催化剂,在石英衬底上制备了大量非晶氧化硅纳米线.该纳米线直径为20～200nm,长数百微米.利用透射电镜、扫描电镜及电子能谱对氧化硅纳米线的形貌及组分进行了表征与分析;FTIR光谱显示了非晶氧化硅的3个特征峰(482,806和1095cm-1)和1132cm-1无序氧化硅结构的强吸收峰.氧化硅纳米线的光致发光光谱(PL)表明其具有较强的438nm荧光峰.
- 郑立仁黄柏标尉吉勇
- 关键词：FTIR光谱光致发光
- TiO<Sub>2</Sub>-PS核壳结构纳米粉在光学玻璃镀膜上的应用
- 本发明提供了一种TiO<Sub>2</Sub>-PS核壳结构纳米粉在光学玻璃镀膜上的应用，是利用柔性材料蘸取TiO<Sub>2</Sub>-PS核壳结构纳米粉，在发毛或光滑的光学玻璃的表面擦拭，直至光学玻璃表面镀上一层T...
- 尉吉勇秦晓燕张晓阳黄柏标
- 文献传递
- MOCVD生长1.06μm InGaAs/GaAs量子阱LDs被引量：4
- 2003年
- 用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs量子阱,采用中断生长、应变缓冲层(SBL)、改变生长速度和调节Ⅴ/Ⅲ等方法改善InGaAs/GaAs量子阱的光致发光(PL)质量。PL结果表明,10s生长中断结合适当的SBL生长的量子阱PL谱较好。该量子阱应用于1.06μm激光器的制备,未镀膜的宽条激光器(100μm×1000μm)有低阈值电流密度(110A/cm2)和高的斜率效率(0.256W/A,per.facet)。
- 潘教青黄柏标张晓阳岳金顺秦晓燕于永芹尉吉勇
- 关键词：MOCVDINGAAS/GAAS量子阱半导体激光器应变量子阱
- 异常掺杂引起的AlGaInP同型结结构
- 2002年
- 用电化学 C- V和 I- V特性分析的方法 ,对 Mg掺杂在 MOCVD生长 Al Ga In P发光二极管 (L ED)的影响进行了研究。通过电化学 C- V分析 ,确定了在生长结构中 Mg掺杂从有源层到 Ga P窗口层由高到低的情况 ;用 I- V特性分析的方法对器件结构进行了分析 ,发现了异常的实验结果。同时理论计算得到了同型结 (N+ - N,P+ - P)的势垒高度和空间电荷区的宽度 ,由此得到了在同型结两侧浓度比不同时的差异 ,极好的解释了异常的 I- V测试结果。
- 周海龙黄柏标于永芹尉吉勇潘教青齐云陈文澜张晓阳秦晓燕任忠祥李树强
- 关键词：ALGAINP发光二极管掺杂
- 短波长谐振腔发光二极管外延及性能研究被引量：1
- 2005年
- 利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长650 nm谐振腔半导体发光二极管(RCLED),利用光致发光(PL)谱和电致发光(EL)谱研究了其发光特性。由于上、下布拉格反射镜的影响,导致其PL强度只有普通LED的1/20;EL谱纯度有了很大提高,半峰宽(FWHM)由普通LED的20 nm降到4 nm以下。最好的器件测试结果表明,可以在60 mA、2.71 V下,实现1.45 mW以上发射功率,最窄FWHM在3 nm。
- 尉吉勇黄柏标秦晓燕张晓阳张琦姚书山朱宝富李宪林
