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崔强

作品数：25 被引量：12H指数：1
供职机构：浙江大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术天文地球医药卫生更多>>

合作作者

文献类型

  • 21篇专利
  • 3篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇天文地球
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇医药卫生

主题

  • 19篇静电放电
  • 13篇可控硅
  • 9篇电压
  • 9篇电压值
  • 9篇多晶
  • 9篇多晶硅
  • 8篇静电
  • 7篇氧化层
  • 6篇电流
  • 6篇ESD
  • 5篇有效面积
  • 5篇静电防护
  • 4篇静电放电保护
  • 4篇版图
  • 4篇衬底
  • 2篇电路
  • 2篇电源
  • 2篇电源效率
  • 2篇形变
  • 2篇用户

机构

  • 25篇浙江大学

作者

  • 25篇崔强
  • 18篇董树荣
  • 18篇韩雁
  • 17篇霍明旭
  • 17篇黄大海
  • 12篇杜晓阳
  • 8篇杜宇禅
  • 8篇洪慧
  • 8篇张吉皓
  • 8篇曾才赋
  • 8篇斯瑞珺
  • 8篇陈茗
  • 6篇刘俊杰
  • 4篇丁扣宝
  • 2篇常欣
  • 2篇孙凌云
  • 2篇徐向明
  • 1篇田光春

传媒

  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 3篇2024
  • 1篇2022
  • 1篇2018
  • 2篇2012
  • 4篇2009
  • 7篇2008
  • 7篇2007
共 25 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种静电放电防护电路
本发明涉及一种利用多晶硅版图层次构造静电电流泄放通道的静电放电防护电路。目前多采用可控硅SCR达成保护芯片抵御静电袭击的目的，但是结构比较复杂，加工难度较大，同时该可控硅SCR触发点电压值不能够灵活地调整。本发明的静电放...
杜晓阳韩雁崔强董树荣霍明旭黄大海杜宇禅曾才赋洪慧陈茗斯瑞珺张吉皓
文献传递
集成电路中ESD防护研究
随着半导体制造工艺的特征尺寸越来越小，静电放电(ESD，Electro-StaticDischarge)已经成为集成电路中最重要的可靠性问题之一。半导体制造工艺的不断改进使得ESD防护设计越来越困难，国内在ESD领域的研...
崔强
关键词：集成电路静电放电ESD防护
文献传递
一种增大静电电流有效流通面积的ESD防护电路
本发明涉及一种静电放电防护电路。现有的可控硅SCR防静电的效果不理想。本发明的阱区上方设置有多晶硅层和SiO<Sub>2</Sub>氧化层。多晶硅层和SiO<Sub>2</Sub>氧化层的长度大于或等于N阱的P+注入区靠...
崔强韩雁董树荣霍明旭黄大海杜宇禅曾才赋洪慧陈茗杜晓阳斯瑞珺张吉皓
文献传递
一种增大静电电流有效流通面积的ESD防护电路
本发明涉及一种静电放电防护电路。现有的可控硅SCR防静电的效果不理想。本发明的阱区上方设置有多晶硅层和SiO<Sub>2</Sub>氧化层。多晶硅层和SiO<Sub>2</Sub>氧化层的长度大于或等于N阱的P+注入区靠...
崔强韩雁董树荣霍明旭黄大海杜宇禅曾才赋洪慧陈茗杜晓阳斯瑞珺张吉皓
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利用纵向多晶硅增加静电泄放通道的静电放电防护器件
本发明涉及一种静电放电防护器件。现有的可控硅SCR防静电的效果不是非常理想。本发明在传统的可控硅SCR基础上，在阱间N+注入区的两侧设置有衬底保护浅壕沟隔离STI。阱区上方对应N+注入区与P+注入区之间、N+注入区与衬底...
崔强韩雁董树荣刘俊杰霍明旭黄大海常欣
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微喷管中气体流动过程理论分析及试验研究
基于MEMS技术的微型推进系统成本低、质量轻、体积小、集成度高，卫星间相对轨道位置的保持、高精度的姿态控制对其提出较高的要求。微型喷管作为微推进系统的关键组件，加工设计精度要求高、工作条件复杂、内部流动状态对其性能至关重...
崔强
关键词：气体流动粒子图像测速数值模拟
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一种利用多晶硅构建ESD泄放通道的防护器件
本实用新型涉及一种静电放电防护器件。现有的可控硅SCR防静电的效果不理想，触发点电压值不能够灵活调整。本实用新型在现有的可控硅SCR上设置有SiO<Sub>2</Sub>氧化层和多晶硅层，多晶硅层两边为P+多晶硅注入区和...
崔强韩雁董树荣霍明旭杜宇禅黄大海曾才赋洪慧陈茗杜晓阳斯瑞珺张吉皓
文献传递
一种网格状静电放电防护器件
本发明涉及一种利用多晶硅版图层次构造静电电流泄放通道的静电放电防护器件。现有的可控硅SCR防静电的效果不理想，触发点电压值不能够灵活调整。本发明在P型衬底上的P阱内设置有多个平面阵列排列的N+注入区，沿每个N+注入区的四...
霍明旭崔强韩雁刘俊杰董树荣黄大海徐向明
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一种分散静电泄放电流的静电放电防护器件
本发明涉及一种可以分散静电泄放电流的静电放电防护器件。现有的可控硅SCR在恶劣的静电环境下防静电的效果不是非常理想。本发明在P型衬底上间隔设置有N阱和P阱。每个N阱内设有两个P+注入区和一个N+注入区，P+注入区设置在N...
董树荣崔强韩雁刘俊杰霍明旭黄大海田光春
文献传递
一种反相器内嵌的可控硅
本发明公开了一种反相器内嵌的可控硅，包括P型衬底，P型衬底上设有紧密相连的N阱和P阱，由N阱指向P阱的方向，所述的N阱和P阱上依次设有第一N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区、第二N+注入区、第三N+注入区和第三P...
丁扣宝黄大海崔强霍明旭杜晓阳董树荣韩雁
文献传递
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