张培旭
- 作品数：18 被引量：10H指数：2
- 供职机构：中国原子能科学研究院更多>>
- 发文基金：国家磁约束核聚变能发展研究专项更多>>
- 相关领域：核科学技术自动化与计算机技术电子电信文化科学更多>>
- 氚微量热计标定及含氚样品量热验证
- 2023年
- 放射性同位素衰变放出热量,衰变热是计算放射性同位素活度的重要依据。为了测量氚的衰变热,本研究对一种μW级别的低检测限微量热计进行检测限测试、工作曲线标定以及含氚样品量热验证。测量结果表明,微量热计的检测限为1.28μW,即38 mCi氚。在165~5063μW(5~150 Ci氚)范围内对微量热计的输出热电势U-输入热功率P进行标定,获得的标定关系式为U(μV)=0.141 P(μW),对应氚活度与输出热电势关系式为A(Ci)=0.213 U(μV),线性相关系数R 2>0.999。含氚样品的重复测量标准偏差为1.14%,与PVT法测量偏差为2.45%。本研究使用的量热计通过水浴与真空环境减小测量环境的波动,保证测量的一致性。标定后的量热计在不破坏氚样品完整性的条件下测量其活度,相比其他氚测量方法更适用于固态氚样品的测量,具有工程应用价值。
- 欧阳慧平袁晓明何长水李卓希张培旭杨洪广
- 关键词：检测限
- 用于电流测量的电路及辐射强度测量系统
- 本公开涉及一种用于电流测量的电路及辐射强度测量系统，所述电路包括电流‑电压转换电路单元以及放大电路单元；所述电流‑电压转换电路单元将输入的电流转换为电压信号，所述放大电路单元用于将所述电压信号放大，放大后的所述电压信号用...
- 常鸣刘志珍张培旭李在海
- 文献传递
- 电离装置
- 本发明的实施例提供了一种电离装置，其包括：壳体，壳体设置有进气口和出气口，壳体形成容置电离装置的部件的空间；基座，基座设置在壳体内；收集极，其固定于基座，并与外部电源电连接；多个柱状导体，其固定于基座，并与外部电源电连接...
- 占勤李语奇杨洪广张培旭刘志珍常鸣李玮瑛李卓希徐鹏程杨丽玲
- 我国集成电路测试技术现状及发展策略被引量：2
- 2017年
- 集成电路是属于微型电子器件的一类，将各种电路元件在封管壳中进行连接，这是集成电路的主要功能。集成电路现在在工业中广泛的应用，也给人们的生活带来了极大的便利。本文就我国集成电路测试技术现状及发展策略进行分析。
- 张培旭
- 关键词：集成电路测试技术
- 正比计数管
- 本申请实施例提供了一种正比计数管，包括：阴极筒，第一端盖组件，第二端盖组件，阳极丝，第一绝缘分隔部，进气管道以及出气管道。第一端盖组件和第二端盖组件分别设于阴极筒的轴向两端，以与阴极筒共同形成阴极腔；阳极丝沿阴极腔的轴线...
- 张培旭占勤李玮瑛吉晓梅袁晓明郭星辰常鸣李在海刘志珍李语奇
- 中子管屏蔽优化研究被引量：1
- 2023年
- 本文为研究中子屏蔽效果,通过蒙特卡洛方法采用MCNP软件分析研究了含硼聚乙烯对快中子的屏蔽效果,优化了含硼聚乙烯的厚度,得到含硼聚乙烯屏蔽的最佳厚度为30cm。并计算得到30cm厚的含硼聚乙烯外表面2m处的中子剂量当量为0.022mSv/h。搭建以中子管为中子源,以He-3中子计数管为探测器,对30cm厚的含硼聚乙烯进行屏蔽实验。结果表明:正常工作的中子管经过30cm厚的含硼聚乙烯后中子计数几乎为0,表明30cm厚的聚乙烯可以屏蔽正常工作的中子管产生的中子。
- 刘国财张培旭占勤
- 关键词：MCNP蒙特卡洛方法
- 基于AVR单片机与USB接口的多道谱仪的设计
- 2016年
- 介绍了一种基于AVR单片机和USB接口的多道谱仪,采用AVR单片机ATmega128作为主控制器,通过USB专用芯片CH372进行数据传输,该谱仪采集速度快,计数率高,更换不同的探测器可以实现不同能量范围的谱数据采集。
- 吉晓梅刘志珍郭星辰李玮瑛张培旭
- 关键词：数据采集单片机USB
- 电离室氚活度浓度标定及稳定性测量被引量：2
- 2021年
- 电离室测氚在氚工厂、核聚变实验堆、环境监测以及各种涉氚实验装置中得到了广泛的应用。通过PVT法配制一定氚活度浓度的含氚气体,利用自主研制的流气式丝壁电离室实验系统,进行电离室氚标定实验,通过正交实验验证影响因素,从而完成对电离室的刻度。结果表明,该类电离室测量稳定性优异,相对偏差均小于1%,压力影响线性相关性均约为1,记忆效应影响较小。电离室IC1、IC2、IC3刻度系数分别为1.35×10^(18)、1.34×10^(18)、1.33×10^(18)。该电离室实验系统能够长期并在线实时准确测量氚,能很好地满足涉氚场所氚在线测量的要求。
- 李语奇占勤常鸣张培旭袁晓明杨洪广
- 关键词：电离室
- 密封中子管氘-氘产额及二次电子抑制被引量：2
- 2021年
- 中子管的工作参数是影响中子产额的重要因素。为了更准确地调控D-D中子管的中子产额,对中子管的工作参数与产额关系进行了研究,同时为了提高中子管束流品质及寿命,对中子管的二次电子抑制进行实验。采用控制参数变量的方法分别研究了D-D中子管的热子电流、阳极高压、靶极高压对中子产额的影响,以及二次电子抑制电阻阻值与靶极电流之间的关系。结果表明:中子产额随着热子电流的增加而增加,当靶极高压为-80 kV、阳极高压为2.6 kV时,热子电流的最佳调控范围为290~305 mA;阳极高压与中子产额呈非线性关系,最佳阳极高压需要高于2.6 kV;靶极高压升高,中子产额随之增加,而且高压越高产额增加越快,靶极高压最佳工作范围为-120~-100 kV;D-D中子管二次电子抑制电阻阻值为8.7 MΩ或者抑制电压为403 V时,便可以完全抑制住二次电子。中子管的工作参数与中子产额的关系为今后中子管产额稳定性自调节可提供参考,二次电子抑制实验为抑制二次电子电流的产生提供依据。
- 刘国财张培旭刘志珍李玮瑛杨洪广
- 聚变堆氚测量与分析技术进展
- 聚变堆的氘氚燃料体系是世界上氚操作量最大且复杂的氚系统,如图1所示,操作量范围从每年外供氚源数kg量级(1017 Bq)至环境排放的101 Bq,跨度达到16个量级,在各个子系统中氚测量的量程范围、时间、精度都存在较大的...
- 杨洪广占勤何长水赵崴巍刘志珍张培旭郭星辰吉晓梅杨丽玲刘振兴
- 文献传递
