张宇
- 作品数：108 被引量：51H指数：5
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划广东省科技计划工业攻关项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>
- 双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法
- 本发明公开了一种双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法，该激光器由下至上依次包括n型电极、n型衬底、缓冲层、第一n型下限制层、第一下波导层、第一有源区、第一上波导层、第一p型上限制层、隧穿pn结、第二n型下限制层...
- 邢军亮张宇王国伟王娟王丽娟任正伟徐应强牛智川
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- 相对论电子束诊断等离子体密度梯度的数值研究
- 惯性约束聚变利用激光等高功率驱动源压缩核燃料靶丸使其内爆进而发生核反应放出原子能。在驱动过程中，靶丸内各种密度扰动、陡峭密度梯度如烧蚀面、激波前沿、流体力学不稳定性的产生会对压缩产生巨大的影响，甚至直接关系到靶丸的点火。...
- 张宇
- 关键词：惯性约束聚变等离子体相对论
- 一种高电阻温度系数氧化钒薄膜的制备方法
- 本发明公开了一种高电阻温度系数氧化钒薄膜的制备方法，包括：单晶硅衬底表面清洗，装入磁控溅射装置生长室；在单晶硅表面溅射氮化硅薄膜；在氮化硅薄膜上沉积一层氧化钒薄膜；在氧化钒薄膜上沉积一层硫化锌薄膜；在硫化锌薄膜上沉积一层...
- 张立春王国伟张宇徐应强倪海桥牛智川
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- 锑化物半导体低维材料与红外光电器件
- 牛智川徐应强王国伟张宇倪海桥尚向军夏建白
- 锑化物低维结构半导体材料与器件研究进展
- 锑(Sb)化物半导体材料体系主要包括GaSb,AlSb,InAs三种晶格常数在0.61nm附近的二元化合物半导体及他们之间组成各种多元合金半导体.该材料体系因其所具有的特殊物理性质而非常适合于制造红外光电器件和高速电子器...
- 牛智川徐应强王国伟张宇任正伟王娟邢军亮蒋洞微向伟
- HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器
- 一种HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器，包括：一GaSb衬底，利用分子束外延方法在GaSb衬底上依次制备出GaSb缓冲层、GaSb收集区、InAs/GaSb超晶格基区、AlGaAsSb基区、AlGaAsS...
- 张宇王国伟汤宝任正伟徐应强牛智川陈良惠
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- 8.56W锑化镓基1.96μm激光源
- 设计和生长了2μ m 波段的GaSb 基的AlGaAsSb/InGaSb I 类量子阱激光器.制备了激光器单管以及激光器线列(20 个管芯).单管未镀膜20℃最大功率为889mW,最大能量转换效率21.9％,最大功率处能...
- 廖永平张宇杨成奥黄书山柴小力王国伟徐应强倪海桥牛智川
- 关键词：激光二极管激光器阵列大功率中红外
- 中红外GaSb基半导体碟片激光器
- 本公开提供一种中红外GaSb基半导体碟片激光器，包括：铜热沉，该铜热沉上有一凹槽；TEC散热模块，位于所述铜热沉下，用于加电流之后控制热沉的温度；芯片模块，对应所述凹槽设置于所述铜热沉上部，包括一外延芯片，以及分别键合于...
- 尚金铭牛智川张宇杨成奥张一谢圣文
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- 1.2W光纤输出2μm锑化物半导体激光器
- 2022年
- 锑化物作为窄带隙半导体材料,禁带宽度覆盖1.5~5μm波段,已成为中红外波段半导体激光器理想的材料体系。锑化物半导体激光器是一类新型激光器,利用其产生短波红外(2μm)激光是目前国内外的研究热点。锑化物半导体激光器可为红外激光对抗、生物显微成像、医学照明、激光泵浦、塑料焊接等提供优质光源。
- 李森森张宇张宇徐应强牛智川徐应强
- 关键词：半导体激光器新型激光器光纤输出激光泵浦塑料焊接
- 高功率GaSb基2.6微米InGaAsSb/AlGaAsSbⅠ型量子阱室温工作激光器(英文)被引量：6
- 2017年
- 成功制备出2.6μmGaSb基I型InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱高功率半导体激光器.利用分子束外延设备(MBE)生长出器件的材料结构.为了得到更好的光学质量,将量子阱的生长温度优化至500℃,并将量子阱的压应变调节为1.3%.制备了脊宽100μm、腔长1.5mm的激光单管器件.在未镀膜下该激光器实现了最大328mW室温连续工作,阈值电流密度为402A/cm^2,在脉冲工作模式下,功率达到700mW.
- 柴小力张宇廖永平黄书山杨成奥孙姚耀徐应强牛智川
- 关键词：中红外
