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张明亮

作品数：35 被引量：6H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金中国科学院仪器设备功能开发技术创新项目中国科学院战略性先导科技专项更多>>
相关领域：一般工业技术理学电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 27篇专利
  • 6篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 4篇一般工业技术
  • 4篇理学
  • 3篇电子电信
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 13篇纳米
  • 11篇淀积
  • 9篇电器件
  • 9篇热电器件
  • 9篇纳米线
  • 8篇压力传感器
  • 8篇力传感器
  • 8篇感器
  • 8篇传感
  • 8篇传感器
  • 7篇谐振
  • 6篇谐振式
  • 6篇纳米线结构
  • 6篇MEMS压力...
  • 5篇谐振子
  • 5篇刻蚀
  • 5篇键合
  • 5篇掺杂
  • 4篇热电性能
  • 3篇电阻

机构

  • 35篇中国科学院
  • 4篇中国科学院大...
  • 4篇北京量子信息...

作者

  • 35篇张明亮
  • 34篇杨富华
  • 34篇王晓东
  • 14篇季安
  • 6篇王珍
  • 3篇杨香
  • 3篇赵永梅
  • 3篇刘杨
  • 2篇宁瑾
  • 2篇韩国威
  • 2篇李兆峰
  • 2篇邓凌霄
  • 1篇司朝伟
  • 1篇段瑞飞
  • 1篇刘雯
  • 1篇何志
  • 1篇刘胜北
  • 1篇李艳
  • 1篇黄亚军

传媒

  • 3篇物理学报
  • 1篇材料导报
  • 1篇分析测试技术...
  • 1篇影像科学与光...

年份

  • 1篇2024
  • 3篇2022
  • 6篇2021
  • 5篇2020
  • 1篇2019
  • 6篇2018
  • 1篇2017
  • 5篇2016
  • 2篇2015
  • 5篇2014
共 35 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
谐振式MEMS差压压力传感器及其制备方法
一种谐振式MEMS差压压力传感器及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：对硅片进行双面刻蚀，形成谐振子层；将硅层与玻璃层阳极键合，刻蚀玻璃层，形成图案化玻璃组合体；将谐振子层的一面与一所述图案化玻璃组合体的玻璃面对准阳极...
张明亮王晓东杨富华
文献传递
瓦里安300XP离子注入机改造及功能开发被引量：1
2020年
在完全掌握瓦里安300XP离子注入机各部件的工作原理后,将原离子源供电系统中500 W电流源和450 W起弧电源升级为1500 W电流源和1500 W起弧电源,并集成到当前系统中.将现有不稳定的气体流量、离子源电源、分析器、源磁场和吸极高压塑料光纤隔离控制线路,升级成多通道光纤通讯光端机隔离控制系统.将一个10 cm进样终端改造成15 cm的样品卡盘,并开发了一套独立控制剂量监测系统.改造后,硼最大束流超过150μA,且可调节.15 cm圆片的片内及片间电阻不均匀性小于3.5%.利用大束流硼离子注入制备浓硼掺杂单晶硅结构层,应用到微电子机械系统压力传感器、热电器件以及纳米谐振子器件中.
张明亮韩国威韩国威李艳李艳杨富华
关键词：离子注入热电器件
基于二维电子气的MEMS高温压力传感器及其制备方法
一种基于二维电子气的MEMS压力传感器及其制备方法，所述MEMS压力传感器包括：衬底和玻璃板，其中所述衬底的背面有一背腔，所述衬底的背面与所述玻璃板键合，所述背腔与所述衬底的正面之间的部分构成感压薄膜，所述感压薄膜上设置...
张明亮季安王晓东杨富华
文献传递
一种低量程高灵敏度MEMS压力传感器及其制作方法
本发明公开了一种低量程高灵敏度MEMS压力传感器，包括：背面具有凹腔的单晶硅层(1)；形成于该单晶硅层(1)背面凹腔中的多孔硅/硅复合膜结构(6)；形成于该单晶硅层(1)正面的多孔硅压敏电阻(7)；以及在该多孔硅压敏电阻...
赵永梅季安张明亮杨香宁瑾王晓东杨富华
文献传递
离子注入工艺在半导体制造中的应用
离子注入能够准确可重复地控制每一次掺入杂质的浓度、深度以及杂质分布，已成为一种标准半导体工艺，被微电子、光电子、传感器、新材料等领域广泛使用。本报告首先介绍离子注入工艺原理，其次简述半导体所两台离子注入设备工艺能力，最后...
张明亮
基于硅玻璃阳极键合的圆片级高真空无引线封装方法
本公开提供了一种基于硅玻璃阳极键合的圆片级高真空无引线封装方法，在玻璃片上制作振动空腔、预通孔以及连通振动空腔与预通孔的通气槽；在振动空腔内制作玻璃通孔，形成金属填充电极；将玻璃片的预通孔制作成锥形通孔；通过阳极键合，将...
张明亮季安王晓东杨富华
文献传递
基于核壳结构的热电器件制备方法
一种基于核壳结构的热电器件制备方法，包括：在衬底上淀积一层第一绝缘材料层，形成纳米线结构；在纳米线结构上淀积一层包裹材料层，形成核壳结构并填充第二绝缘材料层；去除核壳结构一侧周围的第二绝缘材料层，形成基片；淀积一层第三绝...
王珍祁洋洋张明亮王晓东季安杨富华
材料扩散互溶实现碳化硅键合的方法
一种材料扩散互溶实现碳化硅键合的方法，包括如下步骤：步骤1：取一第一碳化硅片；步骤2：采用电子束蒸发或磁控溅射的方法，在第一碳化硅片上制备薄膜层；步骤3：取一第二碳化硅片；步骤4：采用电子束蒸发或磁控溅射的方法，在第二碳...
赵永梅何志季安刘胜北黄亚军杨香段瑞飞张明亮王晓东杨富华
文献传递
基于离子注入石墨烯谐振式MEMS压力传感器的制备方法
本公开提供了一种基于离子注入石墨烯谐振式MEMS压力传感器的制备方法，在单晶硅衬底上形成介质层，并形成感压薄膜；在感压薄膜正面淀积金属催化剂层，在谐振子区域离子注入碳，并促使石墨烯生长；淀积刻蚀金属以形成电学互联；刻蚀介...
张明亮季安王晓东杨富华
文献传递
基于核壳结构的热电器件制备方法
一种基于核壳结构的热电器件制备方法，包括：在衬底上淀积一层第一绝缘材料层，形成纳米线结构；在纳米线结构上淀积一层包裹材料层，形成核壳结构并填充第二绝缘材料层；去除核壳结构一侧周围的第二绝缘材料层，形成基片；淀积一层第三绝...
王珍祁洋洋张明亮王晓东季安杨富华
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