张景林
- 作品数：16 被引量：102H指数：3
- 供职机构：吉林大学电子科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：文化科学理学电子电信政治法律更多>>
- 高等学校专利工作存在的问题及对策被引量：3
- 1999年
- 专利 （ 发明专利） 的申请量和拥有量标志着一个国家或地区技术发明的能力和水平。本文通过对我国专利申请现状的分析， 并结合高等学校１９９１ —１９９５ 年专利申请的情况， 指出了高等学校专利工作存在的问题， 针对这些问题分别提出了相应的对策。
- 贺天伟张景林
- 关键词：高校
- ZnS／ZnSe多量子阱的光调制测试
- 2002年
- 以DMZn、H2Se和H2S为源，用Ap-MOCVD法在GaAs(100)衬底上生长出了ZnS／ZnSe超晶格量子阱，并用X射线衍射等方法鉴定了超晶格量子阱结构，在带蚀孔的衬底的ZnS／ZnSe超晶格量子阱上，首次观测到皮秒量级的光光调制现象。
- 刘大力李公羽杜国同张景林张源涛李万成
- 关键词：光调制超晶格硫化锌硒化锌X射线衍射非线性光学
- 高校研究生党支部建设的优化与创新研究
- 2022年
- 现阶段高校研究生党员的培养仍存在许多问题,如研究生党员数目庞大,培养不成体系,党支部活动较为单一缺乏创新等等。因此在制度建设上,应结合理工科学院自身性质制定方案,将传统建设和试点建设结合,灵活划分党小组,建立导师引领制的支部活动制度,同时多维支部融合发展,促进党群共建。
- 吕清华张景林冯楠楠
- 关键词：高校党支部
- 采用MOCVD方法在(001)Si衬底上生长ZnO薄膜
- 本文采用MOCVD方法在(001)Si衬底上生长ZnO薄膜,并在空气中800℃退火1小时.生长及退火样品的XRD图谱均显示了较强的(002)ZnO衍射峰,表明ZnO薄膜为c轴高取向生长.通过拉曼光谱的结果分析,显示退火后...
- 张源涛刘大力马艳杨小天赵佰军张景林常遇春李万程杨天鹏刘博阳杨洪军杨树人杜国同
- 关键词：ZNO薄膜SI衬底MOCVD退火宽禁带半导体材料
- 文献传递
- 科研绩效定量评价指标体系的初步设计被引量：82
- 2001年
- 本文通过对基础研究、应用研究和技术开发研究的绩效表现形式的分析 ,认为基础研究绩效应强调学术性 ,应用研究绩效应强调技术性 ,技术开发研究绩效应强调实用性。初步构建了科研绩效定量评价指标体系 ;
- 贺天伟张景林
- 关键词：科研绩效指标体系科研管理
- 基于碱金属氯化物的钙钛矿太阳能电池界面钝化
- 2021年
- 针对钙钛矿太阳能电池的电子传输层/钙钛矿层界面处存在的大量缺陷,提出了一种无机盐界面钝化的优化策略。该策略选用低成本的氯化锂(LiCl:Lithium Chloride)作为电子传输层/钙钛矿层的界面钝化材料,制备了器件结构为ITO/TiO_(2)/LiCl/CH_(3)NH_(3)PbI_(3)/spiro-OMeTAD/Ag的钙钛矿太阳能电池。在引入浓度经过优化的LiCl后,钙钛矿太阳能电池的短路电流密度和填充因子达到21.05 mA/cm^(2)和72.55%,能量转换效率为16.95%,与没有引入LiCl的器件相比提高了23.00%。对器件和薄膜进行表征后发现,LiCl可以钝化界面处的缺陷和陷阱,并提高了TiO_(2)的电导率,从而减少了界面复合损失,促进了电荷传输。
- 李德辉王宝旭张景林
- 关键词：电导率电荷传输
- 金属有机物化学汽相外延法生长ZnO薄膜
- 本文采用附加射频等离子源的新型MOCVD系统，在蓝宝石C面衬底上生长出了高质量的ZnO薄膜，同时研究了氧源流量及Zn源流量对ZnO薄膜特性的影响。工作如下：
1、以DEZn和O2为源，利用MOCVD系统在C-A...
- 张景林
- 关键词：半导体薄膜氧化锌薄膜
- 文献传递
- ZnO薄膜的光抽运紫外激射被引量：4
- 2004年
- 采用等离子体增强MOCVD方法生长出高质量的ZnO薄膜 ,并观察到了ZnO薄膜的光抽运紫外激射现象。在不同激发强度下进行了光荧光谱测量 ,发现紫外发光强度随着激发光强度的增加呈直线增强 ,证明此紫外发光峰来源于带边自由激子辐射复合。激发的激光器为 3倍频YAG激光器 ,脉宽 15ps,每秒 10个脉冲。抽运光达到样品的光斑直径约为 2 5 μm ,激射阈值为 0 .2 8μJ ,利用光纤连接到CCD来探测接收激射光。在 385～ 390nm之间的激射峰 ,其半峰全宽为 0 .0 3nm。所观察到的激射没有固定的方向 ,也就是说是往各个方向发射的。对于ZnO薄膜 ,由于我们并没有制作通常激光器的谐振腔 。
- 刘大力杜国同张源涛王新强杨天鹏杨晓天赵佰军杨洪军刘博阳张景林
- 关键词：ZNO薄膜
- 利用磷光敏化制作高效白色有机电致发光器件
- 利用磷光敏化，我们制作了高效率的白色有机电致发光器件。器件采用磷光敏化剂factris(2-phenylpyridine)iridium[Ir(ppy)3] 和 荧 光 受 主5,6,11,12-tetraphenyln...
- 张颖芳侯晶莹张景林刘式墉
- 关键词：白色有机电致发光器件荧光材料
- 文献传递
- ZnO薄膜的掺杂特性被引量：13
- 2004年
- 通过MOCVD方法生长的ZnO薄膜一般为富锌生长,呈n型电导,要想得到高阻或低阻p-ZnO薄膜需要对其进行掺杂施主或受主杂质。主要研究在生长过程中通过NH_3对ZnO薄膜进行氮掺杂的情况,利用优化生长条件,即生长温度为610℃,Ar气(携带DEZn)流量为4 sccm,O_2流量为120 sccm,N_2流量为600 sccm,得到在NH_3流量为80 sccm时生长样品的结晶质量最高,在掺杂薄膜中NH_3流量高于或低于80 sccm时,样品的表面形貌都将变差,只有在80 sccm时表面粗糙度最低晶粒最小,表明该流量下获得的样品表面较光滑致密。所以80 sccmNH_3流量为在R面蓝宝石上生长<110>取向ZnO薄膜的最佳掺杂流量。Hall测量结果表明,NH_3流量为50 sccm的样品电导呈弱p型,电阻率为102Ω·cm,空穴载流子浓度为+1.69×10^(16)cm^(-3),迁移率为3.6cm^2·V^(-1)·s^(-1);当NH_3流量增加时样品的电导呈n型,电阻率最高达10~8Ω·cm,我们认为与进入ZnO薄膜的H的量有关,并对其变化机理进行了详细的分析。
- 刘大力杜国同王金忠张源涛张景林马艳杨晓天赵佰军杨洪军刘博阳杨树人
- 关键词：氧化锌薄膜半导体材料氮掺杂生长温度
