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李丽

作品数:122 被引量:48H指数:4
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划河北省自然科学基金国家基础科研基金资助项目更多>>
相关领域:电子电信电气工程理学机械工程更多>>

文献类型

  • 89篇专利
  • 24篇期刊文章
  • 5篇学位论文
  • 4篇会议论文

领域

  • 71篇电子电信
  • 7篇电气工程
  • 2篇机械工程
  • 2篇理学
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 79篇谐振器
  • 68篇滤波器
  • 38篇体声波
  • 38篇体声波谐振器
  • 32篇薄膜体声波谐...
  • 31篇滤波器技术
  • 28篇腔体
  • 28篇衬底
  • 25篇压电
  • 22篇压电层
  • 22篇接地端子
  • 20篇滤波器组
  • 19篇输出端子
  • 18篇滤波器组件
  • 16篇电路
  • 14篇并联
  • 13篇多层结构
  • 13篇半导体
  • 11篇输入端
  • 11篇可变电容

机构

  • 112篇中国电子科技...
  • 18篇河北工业大学
  • 1篇大连海事大学
  • 1篇河北半导体研...
  • 1篇石家庄信息工...
  • 1篇石家庄学院

作者

  • 122篇李丽
  • 79篇李亮
  • 77篇李宏军
  • 73篇梁东升
  • 54篇王胜福
  • 35篇商庆杰
  • 28篇王磊
  • 27篇马杰
  • 26篇高渊
  • 25篇杨亮
  • 21篇杨志
  • 19篇张力江
  • 19篇王强
  • 19篇崔玉兴
  • 18篇付兴昌
  • 18篇卜爱民
  • 14篇张志国
  • 8篇蔡树军
  • 8篇赵正平
  • 8篇马文涛

传媒

  • 13篇半导体技术
  • 2篇Journa...
  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇物理
  • 1篇中国机械工程
  • 1篇通讯世界
  • 1篇液晶与显示
  • 1篇传感技术学报
  • 1篇压电与声光
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇第八届中国微...
  • 1篇中国微米纳米...

年份

  • 9篇2024
  • 16篇2023
  • 23篇2022
  • 13篇2021
  • 26篇2020
  • 1篇2019
  • 3篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 4篇2014
  • 3篇2013
  • 2篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 7篇2006
  • 6篇2005
  • 2篇2003
122 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
谐振器和滤波器
本发明涉及半导体技术领域,公开了一种谐振器和滤波器。多层结构形成于衬底上,包括压电层、第一电极和第二电极;其中,第一电极和第二电极分别设置在压电层的两侧,所述第一电极包括第一导电层和第二导电层,所述第二电极包括第三导电层...
李亮吕鑫梁东升刘青林马杰高渊丁现朋冯利东商庆杰钱丽勋李丽
FBAR阶梯型结构滤波器及滤波器组件
本实用新型涉及滤波技术领域,提供了一种FBAR阶梯型结构滤波器和滤波器组件。该FBAR阶梯型结构滤波器包括输入端、输出端、接地端、多个串臂谐振器和多个并臂谐振器;多个串臂谐振器包括依次串联连接在输入端和输出端之间的第一谐...
李宏军李丽张仕强王胜福李亮梁东升韩易胡占奎李明武李少君刘庆王艳玲李瑞茹朱会莲
不对称弱锚定沿面排列向列液晶盒的研究被引量:6
2003年
用解析方法研究了上、下基板锚定强度不同的弱锚定沿面排列向列液晶盒(不对称液晶盒),给出了指向矢倾角θ满足的方程和边界条件,讨论了它的解,导出Freedericksz转变的阈值场强和饱和场强。研究了由于上、下基板锚定强度不同而引起的对称性破缺,以及对称破缺和磁场强度之间的关系,发现了不对称液晶盒一些特殊的现象。作为应用的例子,讨论了一种测定基板锚定强度的新方法。
张志国李丽杨国琛
关键词:对称破缺磁场强度
一种谐振器封装系统
本发明涉及半导体技术领域,公开了一种谐振器封装系统。该谐振器封装系统包括谐振器和所述谐振器的封装结构;所述谐振器包括:衬底和多层结构,所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层;所述封装结构包括:第一衬底、第...
李亮商庆杰梁东升赵洋王利芹丁现朋刘青林冯利东张丹青崔玉兴张力江刘相伍杨志李宏军钱丽旭李丽卜爱民王强蔡树军付兴昌
文献传递
具有内埋式温度补偿层的谐振器和滤波器
本发明涉及半导体技术领域,公开了一种具有内埋式温度补偿层的谐振器和滤波器。该谐振器包括衬底;多层结构,形成于所述衬底上,所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层,上、下电极层中分别设有温度补偿层;在所述衬底...
李亮吕鑫梁东升刘青林马杰高渊丁现朋冯利东商庆杰钱丽勋李丽
文献传递
一种声谐振器
本发明涉及半导体技术领域,具体公开一种声谐振器,所述声谐振器包括:衬底;多层结构,形成于所述衬底上,所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层;在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体,所述腔体包括位于所述衬底...
李亮吕鑫梁东升刘青林马杰高渊丁现朋冯利东商庆杰钱丽勋李丽
文献传递
一种宽带薄膜腔声谐振滤波器
本发明适用于半导体器件领域,提供了一种宽带薄膜腔声谐振滤波器,其中,所述宽带薄膜腔声谐振滤波器包括衬底、设置在所述衬底上的信号线、以及至少两个串联谐振单元和至少一个并联谐振单元;所述至少两个串联谐振单元串联连接到所述信号...
钱丽勋李宏军李丽李亮王胜福郭松林孙从科徐佳梁东升丁现朋
基于异构集成技术的FBAR开关滤波器组芯片被引量:3
2020年
基于异构集成技术,研制了一款各通道中心频率分别为1.5,1.8,1.9和2.0 GHz的四通道高性能开关滤波器组芯片。使用了金锡凸点焊接的组装工艺,与键合线工艺相比,其互连强度更高,寄生参数更小。薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器芯片与微波单片集成电路(MMIC)开关电路芯片采用自主可控的FBAR工艺、 0.35μm GaAs工艺研制。为满足窄带、高矩形度、低插入损耗开关滤波器组的需求,FBAR滤波器电路采用阶梯型拓扑结构。开关电路使用串-并联混合结构,兼顾低插入损耗和高隔离度。经探针台测试结果显示,各通道中心插入损耗小于3 dB,矩形系数比约为2.0,带外抑制大于45 dBc。开关滤波器组芯片面积为4 mm×4 mm,高度约为0.4 mm。
郭松林李丽钱丽勋王胜福李宏军
关键词:异构集成
GaN基HFET中极化诱导二维电子气和电流崩塌效应被引量:3
2005年
从纤锌矿GaN的晶体结构和微电子学理论出发,介绍了GaN基HFET中两种极化效应的物理机制,分析了二维电子气(2DEG)的形成,极化与2DEG浓度的关系以及提高2DEG浓度的方法。列举了三种典型的电流崩塌效应,分别介绍了其成因和抑制方法,并对各种抑制电流崩塌的方法进行了比较。
张志国杨瑞霞李丽李献杰王勇杨克武
关键词:异质结场效应晶体管极化效应二维电子气电流崩塌效应
谐振器和滤波器
本发明涉及半导体技术领域,公开了一种谐振器和滤波器。该谐振器包括衬底;多层结构,形成于所述衬底上,所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层;空气翼及空气桥,形成于所述压电层和上电极层之间,所述空气翼具有界定...
李亮吕鑫梁东升刘青林马杰高渊丁现朋冯利东商庆杰钱丽勋李丽
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