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李冰华

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学深圳研究生院更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

主题

  • 4篇晶体管
  • 2篇电路
  • 2篇势垒
  • 2篇双极型
  • 2篇双极型晶体管
  • 2篇金属硅化物
  • 2篇绝缘栅
  • 2篇绝缘栅双极型...
  • 2篇集成电路
  • 2篇沟道
  • 2篇硅化物
  • 2篇掺杂
  • 2篇场效应
  • 2篇场效应晶体管
  • 1篇导带
  • 1篇能级
  • 1篇阻挡层
  • 1篇刻蚀
  • 1篇刻蚀工艺
  • 1篇集电极

机构

  • 4篇北京大学

作者

  • 4篇林信南
  • 4篇李冰华
  • 2篇何进
  • 2篇楼海君
  • 2篇孟航
  • 2篇江兴川

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2012
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种无结场效应晶体管
本申请公开了一种无结场效应晶体管，包括源区、沟道区和漏区，所述源区和漏区分别形成在沟道区两端，沟道区与漏区的掺杂类型一致，沟道区与漏区的浓度一致，所述源区为使源区与所述沟道区形成无势垒结的金属硅化物。与一般的无结晶体管相...
楼海君林信南李冰华何进
文献传递
一种逆导型绝缘栅双极型晶体管
本申请公开了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管，包括集电极、P型集电区、N型隧道掺杂区、N型阻挡层、N型漂移区、MOS区和栅极。P型集电区为简并掺杂区域，费米能级进入价带中；N型隧道掺杂区为掺杂浓度接近简并掺杂的区域，费米能级...
孟航李冰华江兴川林信南
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一种无结场效应晶体管
本申请公开了一种无结场效应晶体管，包括源区、沟道区和漏区，所述源区和漏区分别形成在沟道区两端，沟道区与漏区的掺杂类型一致，沟道区与漏区的浓度一致，所述源区为使源区与所述沟道区形成无势垒结的金属硅化物。与一般的无结晶体管相...
楼海君林信南李冰华何进
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一种逆导型绝缘栅双极型晶体管
本申请公开了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管，包括集电极、P型集电区、N型隧道掺杂区、N型阻挡层、N型漂移区、MOS区和栅极。P型集电区为简并掺杂区域，费米能级进入价带中；N型隧道掺杂区为掺杂浓度接近简并掺杂的区域，费米能级...
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