李爽
- 作品数:58 被引量:66H指数:5
- 供职机构:西北核技术研究所更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域:电子电信理学核科学技术电气工程更多>>
- 工作在高次模的太赫兹EIO制作方法及该太赫兹EIO及谐振腔
- 本发明涉及一种工作在高次模的太赫兹EIO制作方法及该太赫兹EIO及谐振腔,在高次模工作环境下,通过对工作电压、电流的优化,在保证太赫兹扩展互作用振荡器稳定运行的前提下,确定太赫兹扩展互作用振荡器中谐振间隙数目;与传统的工...
- 李爽王东阳王建国滕雁
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- 一种提高真空侧功率容量的高功率微波介质窗
- 本发明属于高功率微波(HPM)技术领域,本发明公开了一种提高真空侧功率容量的高功率微波介质窗,所述高功率微波介质窗的表面是由若干个曲面周期性结构单元构成的表面。本发明具有三维周期性函数表面的介质窗,周期性函数表面就像是海...
- 常超刘彦升黄文华李爽武晓龙郭乐田陈昌华
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- 一种工作在基模的低磁场Ka波段RBWO优化设计
- 2019年
- 为研制低磁场条件下的高功率毫米波源,对工作在TM_(01)模的Ka波段相对论返波管(RBWO)开展了深入研究。首先通过理论计算,分析了慢波结构的色散特性及耦合阻抗特性,获得了工作在基模的RBWO结构的基本参数。然后结合数值模拟方法,对器件的工作条件进行了深入分析,对整管进行了数值模拟。结果显示,该结构能够产生的输出功率约为400 MW,微波频率约为28.4GHz,工作效率约为31%。器件的起振小于5ns,产生的模式纯净,工作稳定性较好。
- 李爽李爽滕雁吴平王东阳
- 关键词:KA波段低磁场毫米波相对论返波管色散特性
- 一种过模大功率脉冲太赫兹功率探测器
- 本发明过模大功率脉冲探测器以强电场在半导体内部的热载流子效应为基本工作原理,依据半导体体电阻变化实现测量。探测器由口面较小的WR2.8标准波导,口面由小变大的WR2.8-WR8.0过渡波导,口面相对较大的WR8.0标准波...
- 王雪锋王光强王建国朱湘琴李爽
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- 发射度效应占主导线性电子注的临界半径研究被引量:1
- 2016年
- 基于考虑发射度效应的线性电子注边缘电子受力平衡方程,获得了约束电子注所需磁感应强度,通过对比约束不同效应所需磁感应强度的大小,推导了发射度效应占主导电子注的临界半径公式。利用该公式分析了典型电子注的临界半径,分析表明在导流系数小于0.1μA·V^(-3/2)时,电子注发射度效应对电子注的影响随电子注半径减小到亚毫米量级后迅速增大。通过理论推导获得了热阴极发射的线性电子注临界半径下限公式,分析表明采用较大负载的阴极有利于获得较高质量的电子注,且在电子注半径小于0.05mm后,常规热阴极的发射能力已不足以保证电子注工作于空间电荷限制状态。此外,在用缩尺法设计电子枪时,若缩尺后的电子注半径小于临界半径,则缩尺法将失效。
- 曾鹏王光强王建国李爽王东阳滕雁
- 关键词:空间电荷效应
- 一种谐振腔及交叉结构的太赫兹扩展互作用振荡器
- 本发明提供一种谐振腔及交叉结构的太赫兹扩展互作用振荡器,交叉结构太赫兹扩展互作用振荡器,与传统的太赫兹扩展互作用振荡器有较大差别。在传统器件中,纵向电场集中沿某一个方向分布(如x或y方向),而在该交叉型结构的器件中,纵向...
- 李爽滕雁王东阳
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- 太赫兹真空电子器件微加工技术及后处理方法被引量:11
- 2013年
- 太赫兹频段真空电子器件的尺寸很小,其加工精度和表面质量要求很高,需要采用微加工技术及其一些特殊的加工工艺。本文主要介绍了几种常用于制作太赫兹真空电子器件的微加工方法,主要讨论了微机械加工、微细电火花加工、LIG-A/UV-LIGA和DRIE等加工技术的特点及适用范围。为了提高器件的表面质量,讨论了清洗、净化及表面化学抛光技术等后处理技术。此外,太赫兹器件的设计结构特征也会限制微加工技术的选择,由此文中分析了几种常见太赫兹真空器件的特点及其可采用的加工方法和工艺。
- 陆希成童长江王建国李小泽王光强李爽王雪锋
- 关键词:太赫兹真空电子器件微加工技术表面抛光
- 基于天线辐射理论构建微波混沌腔的随机耦合模型被引量:15
- 2013年
- 为了能够快速有效地求解电大复杂腔体(微波混沌腔)的电磁耦合问题,文中采用统计电磁学方法研究了该类腔体电磁散射的统计特征.首先,根据天线辐射理论,利用电磁场的本征模展开式建立了腔体耦合输入阻抗表达式.其次,利用波动混沌理论和概率统计方法进一步推导出了微波混沌腔的随机耦合模型.该方法简单并且可以直接推导出三维模型.最后,构建了一个三维Sinai微波混沌腔并进行数值仿真实验,其仿真实验结果与随机耦合模型计算结果的统计特征基本一致.重要的是,该模型与复杂腔体的细节特征无关,能够快速有效地预测微波混沌腔的敏感耦合问题.
- 陆希成王建国刘钰李爽韩峰
- 关键词:输入阻抗
- 永磁约束二极管阳极管头轰击现象研究
- 2023年
- 针对永磁磁场约束下的二极管中阳极管头处出现的螺旋状轰击痕迹现象,理论研究了电子在轴向引导磁场约束下的空间运动轨迹,指出空间运动轨迹是大回旋运动与小回旋运动的合成。通过进一步3维粒子运动模拟验证了粒子运动过程,并给出了不同轴向位置处发射电子在阳极管头落点的模拟结果。模拟结果表明,由于空间角向运动位移不同,不同轴向位置发射的电子会落在阳极管头不同角向位置处,落点呈螺旋状分布。同时开展了相应的实验研究,比较不同位置处天鹅绒阴极发射对阳极轰击的痕迹。实验结果表明,阴极引杆及阴极底座的联合发射电子在永磁场的约束下轰击阳极管头形成了螺旋状轰击。通过分析,排除了H-离子及其他负离子轰击阳极管头的可能性。
- 谭维兵李小泽李爽杨德文王东阳朱晓欣
- 关键词:轰击阳极二极管
- 工作在高次模的太赫兹EIO制作方法及该太赫兹EIO及谐振腔
- 本发明涉及一种工作在高次模的太赫兹EIO制作方法及该太赫兹EIO及谐振腔,在高次模工作环境下,通过对工作电压、电流的优化,在保证太赫兹扩展互作用振荡器稳定运行的前提下,确定太赫兹扩展互作用振荡器中谐振间隙数目;与传统的工...
- 李爽王东阳王建国滕雁
- 文献传递