李艺星
- 作品数：8 被引量：12H指数：2
- 供职机构：四川大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划四川省学术和技术带头人培养资金更多>>
- 相关领域：理学电子电信核科学技术化学工程更多>>
- 液相合成硒化镉(CdSe)热力学研究被引量：1
- 2004年
- 本文报道了对硒化镉 (CdSe)合成反应的反应焓变 ,反应熵变 ,Gibbs自由能以及配料的化学计量的分析计算 ,从热力学角度论证了在中温 (～ 6 5 0℃ )下直接液相合成高纯CdSe的可能性。按照理论分析结果选择技术参量进行了CdSe液相合成实验 ,并采用X射线粉末衍射谱法对合成产物进行了分析 。
- 何知宇赵北君朱世富王瑞林陈松林李艺星罗政纯任锐
- 关键词：硒化镉CDSE热力学吸热反应多晶材料
- 硒化镉多晶原料的提纯被引量：7
- 2004年
- 采用改进的垂直无籽晶气相法生长大尺寸高质量的CdSe单晶体要求原料的纯度高。本文根据差热 (DTA)和热失重 (TG)测试结果 ,设计出连续抽空区域升华提纯CdSe原料的新方法 ,用该方法提纯的原料生长出大尺寸、高质量的CdSe单晶体。等离子体质谱仪 (ICP MS)分析结果表明 ,新方法对CdSe的提纯是有效的 。
- 李艺星赵北君朱世富王瑞林陈松林何知宇罗正纯任锐
- 关键词：硒化镉提纯工艺热重分析晶体
- 液相合成硒化镉(CdSe)热力学研究
- 目前关于硒化镉(CdSe)单晶的制备和相关系的报道文献比较多,但用于确定硒化镉合成参数所需的热力学函数却未见报道,本文根据Barlett,Latimer,Kellogdede等人所提出的离子型化合物热力学函数的计算模型,...
- 何知宇赵北君朱世富王瑞林陈松林李艺星罗政纯
- 文献传递
- CdSe单晶的正电子寿命研究
- 2004年
- 利用正电子湮没方法对CdSe单晶中的缺陷进行了研究,通过对不同温度下退火样品正电子湮没寿命的测试分析,表明:在CdSe晶体中存在的点缺陷主要是占优势的镉空位。由正电子湮没寿命和退火温度的关系,研究了硒化镉单晶退火时空位的迁移、合并及消失情况,确定出能减小生长中形成的空位性缺陷浓度并获得较为完整的晶格的最佳退火温度范围为650～800℃。
- 任锐赵北君朱世富何知宇罗政纯李艺星温才
- 关键词：CDSE晶体缺陷正电子退火
- 湿氧钝化CdSe(110)表面的XPS分析被引量：3
- 2004年
- 用双氧水对CdSe单晶(110)表面进行钝化,采用X射线光电子能谱(XPS)分析了湿氧处理的CdSe(110)表面的化学特征。通过两次不同分析模式FAT(固定通能)和FRR(固定减速比)所得到的结果表明:CdSe表面出现Se偏析,表面上形成了SeOx(x<1),SeO、Cd(OH)2和CdCO3的高电阻稳定氧化层,消除了器件表面态,可以减少器件的表面漏电流和改善其信噪比。
- 罗政纯朱世富赵北君王瑞林陈松林何知宇李艺星任锐
- 关键词：表面钝化X射线光电子能谱
- 硒化镉(CdSe)单晶体的变温霍尔效应研究被引量：2
- 2005年
- 通过变温(20～300K)霍尔效应测量,研究了CdSe单晶体的电阻率ρ(T)、载流子浓度n(T)、霍尔系数RH(T)和霍尔迁移率μH(T)的温度依赖关系.实验结果表明CdSe单晶体的导电类型总为n型,且它的电阻率与载流子浓度的温度依赖关系与n-Si单晶类似.通过拟合禁带宽度约为1.7eV.本文还进一步研究了本征区、饱和区、弱电离区内电子浓度的变化和霍尔因子γ随温度变化关系,并由此计算出杂质电离能(24.7meV)与补偿度(23.7%).上述结果表明CdSe单晶体具有优良的电学特性,是制作室温核辐射探测器的理想材料.
- 温才赵北君朱世富王瑞林何知宇任锐罗政纯李艺星
- 关键词：核辐射探测器
- 硒化镉（CdSe）单晶体生长原料的提纯及其标准极图的计算机实现
- CdSe作为一种有前途的制作室温核辐射探测器的半导体材料，本研究室在充分调研的基础上，对CdSe单晶体的生长及CdSe探测器的制备进行了深入的研究。
CdSe是一种熔点较高，易挥发的物质，用传统的熔体法生长单晶难度...
- 李艺星
- 关键词：CDSE单晶生长探测器
- 文献传递
- 硒化镉多晶原料的提纯
- 禁带宽度为1.74ev的硒化镉单晶是制造室温核辐射探测器、光电子器件的理想材料,目前应用硒化镉单晶制作γ射线探测器和作为外延生长的基底材料受到广泛的关注,有希望成为已受广泛关注的碲化镉、碘化汞探测器的替代材料。为了获得大...
- 李艺星赵北君朱世富王瑞林陈松林何知宇罗正纯
- 文献传递
