杨坤进
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 供职机构：汕头大学理学院物理系更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- PCVD法沉积a-Si∶H薄膜初始阶段的计算机模拟
- 2001年
- 利用MonteCarlo模型研究了用PCVD法沉积a Si∶H薄膜初始阶段团簇的大小和数目与衬底温度的关系。该模型考虑了两个成长阶段 ,即成核阶段和晶核成长阶段 ;3种动力学过程 ,即粒子入射、吸附粒子扩散和吸附粒子脱附过程。模拟结果表明 ,随着衬底温度的升高 ,团簇的数目和大小都有所增长 ,且存在一个最佳温度 5 5 0K ,使团簇的数目达到饱和 ,晶粒为最大 。
- 姚若河林璇英黄创君杨坤进林揆训
- 关键词：计算机模拟MONTECARLO方法PCVD
- 射频辉光放电等离子体空间特性的探针研究
- 等离子体在微电子工业及半导体薄膜材料生长等方面有着广泛的应用。对不同条件下的辉光放电等离子的放电机理、特性的了解及诊断是更好地监控等离子体成膜以及刻蚀过程的先决条件。Langmuir探针是用来诊断等离子体特性的最早的,并...
- 杨坤进
- 关键词：等离子体LANGMUIR探针辉光放电
- 文献传递
- 铝诱导的非晶硅薄膜低温快速晶化
- 在镀铝的廉价玻璃衬底上高速沉积的非晶硅薄膜在不同的温度下退火10min。退火温度为500℃时,薄膜表面形成了硅铝的混合相;退火温度为550℃时,大部分（约80%）的非晶硅晶化为多晶硅,平均晶粒尺寸为500nm;退火温度为...
- 林揆训林璇英梁厚蕴池凌飞余楚迎石旺舟姚若河黄创君杨坤进
- 关键词：非晶硅多晶硅
- 非晶硅薄膜的低温快速固相晶化
- 在镀铝的廉价玻璃衬底上高速沉积的非晶硅薄膜在不同的温度下退火10min.退火温度为500℃时,薄膜表面形成了硅铝的混合相;退温度为550℃时,大部分(约80﹪)的非晶硅晶化为多晶硅,平均晶粒尺寸为500nm;退火温度为6...
- 林揆训林璇英梁厚蕴池凌飞余楚迎石旺舟姚若河黄创君杨坤进
- 关键词：非晶硅薄膜
- 文献传递
