汪宇
- 作品数：6 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金国家重点基础研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：电气工程一般工业技术电子电信更多>>
- 液相外延法制备0.55eV-GaInAsSb四元合金薄膜及其在热光伏器件中的应用(英文)
- 2008年
- 利用液相外延法(LPE)在n型GaSb衬底上成功制备了用于热光伏电池的Ga1-xInxAsySb1-y四元合金薄膜.通过原子力显微镜对薄膜的表面形貌进行了分析评价.X射线能谱(EDAX)分析表明四元合金薄膜的成分为x=0.2,y=0.17.红外傅里叶变换透射谱分析表明,其室温下的吸收截止波长为2.256μm,对应禁带宽度为0.55eV.室温下的霍尔测试结果表明外延膜具有良好的电学性能,其非故意掺杂的薄膜表现为p型,载流子浓度为6.1×1016cm-3,迁移率为512cm2/(V·s).又进一步利用Ga1-xInxAsySb1 -y薄膜制备了不同结构的GaInAsSb基热光伏电池,光谱响应测试表明其量子效率可达60%.
- 刘磊陈诺夫杨晓丽汪宇高福宝
- 关键词：GAINASSB液相外延光谱响应
- 石墨上多晶硅薄膜的制备及择优取向的调控
- 2010年
- 利用磁控溅射在石墨衬底上制备了非晶硅薄膜,并使用快速热退火对薄膜进行了晶化处理。XRD分析表明,直接溅射沉积在石墨衬底上的硅薄膜经过快速热退火后具有高度的(220)择优取向。通过在硅薄膜和石墨衬底界面处引入一定厚度的ZnO中间层,晶化后的多晶硅薄膜择优取向实现了从(220)向(400)的转变,从而非常有利于将成熟的制绒工艺应用于该材料体系的电池制备过程中。对于择优取向的转变提出了解释,认为Si(100)面和ZnO(001)面晶格匹配是主要原因。喇曼分析表明ZnO中间层的引入提高了多晶硅薄膜的晶体质量。
- 施辉伟陈诺夫黄添懋尹志岗汪宇张汉应杰
- 关键词：多晶硅薄膜石墨快速热退火氧化锌
- 在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法
- 一种在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法，其特征在于包括如下步骤：步骤1：在普通玻璃衬底上用磁控溅射沉积制作铝薄膜，形成样品；步骤2：将样品在空气中暴露以制作氧化膜；步骤3：将制作有氧化膜样品的表面利用磁控溅射沉积非晶硅...
- 黄添懋陈诺夫施辉伟尹志岗吴金良王彦硕汪宇张汉
- 文献传递
- 铝诱导结晶法制备高度(111)择优取向多晶硅薄膜及成核分析被引量：1
- 2010年
- 采用铝诱导结晶法在玻璃衬底上制备了具有高度(111)择优取向的多晶硅薄膜.首先通过磁控溅射在玻璃衬底上先后沉积铝层和非晶硅层,然后在480℃下退火1h以完成铝诱导结晶.退火后硅层与铝层发生置换,形成了具有高度(111)择优取向以及良好结晶质量的多晶硅层.通过对Al2O3氧化膜结构变化及晶格匹配进行分析,阐明了铝诱导结晶过程中(111)择优取向的铝层间接促使多晶硅(111)择优取向成核的作用机制.
- 黄添懋陈诺夫张兴旺白一鸣尹志岗施辉伟张汉汪宇王彦硕杨晓丽
- 关键词：多晶硅薄膜
- GaInP/GaAs/Ge三结叠层光电池光谱响应的温度特性被引量：1
- 2009年
- 利用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)制备了转化效率达27.1%的GaInP/GaAs/Ge三结叠层电池,并对其光谱响应的温度特性进行了测量研究.通过光谱响应曲线观察到各子电池的吸收边随温度升高发生红移,这主要归因于电池材料禁带宽度的变窄效应.根据光谱响应数据计算得到的GaInP/GaAs/Ge叠层电池各子电池在室温下的短路电流密度分别为12.9,13.7和17mA/cm2,且叠层电池的短路电流密度的温度系数为8.9μA/(cm2.℃).最后,根据叠层电池的串联结构推导了其电压温度系数为-6.27mV/℃.
- 刘磊陈诺夫汪宇白一鸣崔敏高福宝
- 关键词：光谱响应叠层电池温度系数
- 高压GaAs微型太阳电池阵列的制备
- 2011年
- 为了提高GaAs微型太阳电池的输出性能,对微型太阳电池阵列的主要工艺进行了研究和改进。通过对帽层、背电极层和台面的选择性/非选择性湿法腐蚀工艺的探索,实现了对最佳腐蚀液的配比、腐蚀时间和温度的控制。采用侧壁钝化工艺和聚酰亚氨(PI)/SiO2/TiAu/SiO2新型互连结构,不仅确保了电池单元之间有效的隔离和互连,而且极大地降低了侧壁载流子复合电流,同时这种新型互连结构可有效防止由于衬底光敏现象引起的漏电流。经过上述器件工艺改进,获得了高集成度GaAs微型太阳电池阵列。电流-电压(JSC-VOC)测试结果显示,器件的开路电压达到84.2V,填充因子为57%。
- 白一鸣陈诺夫王彦硕王俊黄添懋汪宇张兴旺尹志刚张汉吴金良姚建曦
- 关键词：GAAS太阳电池漏电流互连结构
