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熊苗

作品数:7 被引量:15H指数:2
供职机构:四川理工学院材料与化学工程学院更多>>
发文基金:四川省教育厅科学研究项目更多>>
相关领域:化学工程一般工业技术金属学及工艺理学更多>>

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 3篇化学工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇理学

主题

  • 2篇耐蚀
  • 2篇耐蚀性
  • 2篇化学还原法
  • 2篇表面金属化
  • 2篇不锈
  • 2篇不锈钢
  • 1篇导电
  • 1篇导电聚合物
  • 1篇电聚合
  • 1篇修饰
  • 1篇修饰剂
  • 1篇氧化钛薄膜
  • 1篇溶胶
  • 1篇溶胶-凝胶
  • 1篇十二烷基硫酸...
  • 1篇酸钠
  • 1篇吐温
  • 1篇尼龙
  • 1篇氢还原
  • 1篇氢还原法

机构

  • 7篇四川理工学院

作者

  • 7篇熊苗
  • 7篇张述林
  • 5篇李敏娇
  • 4篇李志源
  • 2篇丁秀敏
  • 1篇罗祎

传媒

  • 2篇化学工程师
  • 2篇电镀与精饰
  • 1篇钢铁钒钛
  • 1篇宁波化工
  • 1篇四川理工学院...

年份

  • 4篇2010
  • 3篇2009
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
尼龙PA6/CuCl_2复合膜表面金属化研究被引量:1
2009年
以聚己内酰胺(尼龙6,PA6)为基体制备PA6/CuCl_2复合膜,在NaBH_4溶液中用化学还原法制得导电薄膜。研究了复合膜组成、还原剂浓度、还原时间、还原温度对导电薄膜表面电阻的影响,得到较优的反应条件:温度为35℃-40℃,PA6与CuCl_2的质量比为5:1,还原剂浓度0.1%,还原时间90 s-100s,测得薄膜的最小电阻为2Ω/cm^2-5Ω/cm^2。
张述林李敏娇李志源熊苗丁秀敏
关键词:尼龙表面金属化化学还原法
Ag/PVA导电聚合物制备工艺研究被引量:2
2010年
以聚乙烯醇(PVA)为基体制备PVA/AgNO3复合膜,在NaBH4溶液中用化学还原法制得导电薄膜。研究了复合膜的组成、还原剂浓度、还原时间、还原温度对导电薄膜电阻的影响,得到的工艺条件为:温度20~25℃,AgNO3/PVA的质量比为0.15~0.25,还原剂浓度为0.06%,还原时间为3~4min。
张述林熊苗
关键词:PVA表面金属化化学还原法
吐温和十二烷基硫酸钠复配修饰制备纳米铜研究被引量:1
2009年
在一定温度的水溶液中,以硫酸铜为前驱体,抗坏皿酸(Vc)为还原剂,加入适量修饰剂,合成粒径和形貌可控的纯铜纳米粒子,并通过XRD射线衍射,扫描探针显微镜等检测手段对产品进行了表征。结果表明,修饰剂的加入对粒径大小、分布、形貌和晶型结构影响显著;制备的纳米铜颗粒为具有立方品型结构的球型颗粒,分散性较好,尺寸较为均匀,约为60~80nm。纳米铜颗粒表面形成了较薄的有机物质包覆层,它有效阻止了纳米铜粉在空气和水中的氧化和团聚,提高了纳米铜颗粒的分散性和稳定性。
张述林李敏娇李志源熊苗
关键词:十二烷基硫酸钠吐温纳米铜修饰剂
镁合金化学镀Ni-P合金工艺研究被引量:6
2009年
采用硫酸镍为主盐在AZ31D镁合金表面直接化学镀Ni-P合金,优化了工艺条件,讨论了镀液pH、施镀温度、主盐、次磷酸钠及柠檬酸等因素对化学镀Ni-P合金的影响,利用金相显微镜等对镀层进行了测试。结果表明所得镀层光滑、致密、均匀,耐蚀性较好。
李敏娇李志源张述林熊苗
关键词:镁合金耐蚀性
4-甲基咪唑在不锈钢腐蚀液中缓蚀作用的研究被引量:1
2010年
本文介绍了奥氏不锈钢在Cl-浓度为1.5mol.L-1的缓蚀液中的电化学行为,分析不锈钢在不同温度和不同浓度中缓蚀液的腐蚀电位、腐蚀电流的变化规律,探索缓蚀液对不锈钢腐蚀速率的影响。结果表明:4-甲基咪唑缓蚀液对不锈钢的缓蚀效率在研究范围内随着温度和缓蚀液浓度的增加而增大,4-甲基咪唑是一种较好的高温吸附型缓蚀剂。
熊苗张述林
关键词:不锈钢4-甲基咪唑极化曲线缓蚀效率
不锈钢表面涂覆TiO_2薄膜的耐蚀性研究被引量:3
2010年
以钛酸丁酯为原料,采用溶胶-凝胶技术,在不添加其他溶剂的情况下在201型不锈钢基体上制备了TiO2薄膜,采用金相显微镜观察薄膜表面形貌,利用X-射线衍射仪对其晶型进行了表征,同时测量了薄膜试样的极化曲线,实验结果表明:在不锈钢表面涂覆TiO2薄膜能够增强不锈钢基体的耐蚀性。
李敏娇李志源张述林熊苗
关键词:二氧化钛薄膜溶胶-凝胶不锈钢耐蚀性
氢还原法制备低相变温度掺钨VO_2薄膜被引量:1
2010年
在钒溶胶中掺入适量聚钨酸溶胶,采用浸渍提拉法在载玻片上涂膜,涂片薄膜在氢气氛围中、在400℃温度下还原3 h,制得掺钨VO2薄膜。金相显微镜观察到薄膜呈VO2的特征绿色;X荧光光谱分析得出薄膜中W、V的含量分别为3.212%和64.97%。电阻-温度曲线测试表明,VO2薄膜的相变温度为40.5℃,热滞回线宽度为ΔT=11℃,电阻突变量ΔS达到4.06个数量级。
李敏娇张述林丁秀敏罗祎熊苗
关键词:二氧化钒相变温度氢还原
共1页<1>
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