王茺
- 作品数：138 被引量：125H指数：6
- 供职机构：云南大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部科学技术研究重点项目云南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 斜切基片上溅射生长高密度小尺寸Ge纳米点的研究被引量：2
- 2012年
- 采用离子束溅射技术,在斜切的单晶Si基底上生长了高密度的小尺寸Ge纳米点。系统研究了斜切基底上的表面台阶对Ge纳米点生长初期表面原子吸附行为的影响,以及斜切基片上Ge纳米点随原子沉积量的演变规律。实验结果表明,在斜切基片上原子级的表面台阶能有效地抑制吸附原子的表面扩散。因此,有利于Ge纳米点的形核,并抑制纳米点的过度长大,从而获得高密度、小尺寸的Ge纳米点。
- 杨杰王茺陶东平杨宇
- 关键词：离子束溅射
- 应力导致InAs/In_(0.15)Ga_(0.85)As量子点结构中In_(0.15)Ga_(0.85)As阱层的合金分解效应研究被引量：2
- 2007年
- 利用固源分子束外延技术,在In0.15Ga0.85As/GaAs量子阱生长了两个InAs/In0.15Ga0.85As量子点(DWELL)样品.通过改变其中一个InAsDWELL样品中的In0.15Ga0.85As阱层的厚度和生长温度,获得了量子点尺寸增大而且尺寸分布更均匀的结果.结合光致发光光谱(PL)和压电调制光谱(PzR)实验结果,发现该样品量子点的光学性质也同时得到了极大的优化.基于有效质量近似的数值计算结果表明:量子点后生长过程中应力导致In0.15Ga0.85As阱层合金分解机理是导致量子点尺寸和光学性质得到优化的主要原因.
- 王茺刘昭麟陈平平崔昊杨夏长生杨宇陆卫
- 关键词：光致发光光谱
- Ta上生长的硅薄膜退火的微晶化研究
- 2008年
- 对射频溅射功率80W条件下Ta缓冲层上生长的硅薄膜进行退火并用Raman散射和X射线衍射技术对样品的微观结构进行检测,系统研究了退火温度和退火时间对硅薄膜结晶性的影响。分析结果表明,在560℃退火2h或680℃退火1h之后,硅薄膜开始晶化,并且随着退火温度的增加或退火时间延长,薄膜逐渐由非晶向微晶转变。获得了可用于太阳能电池的微晶硅薄膜的最佳晶化参数。
- 邓荣斌王茺陈寒娴杨瑞东秦芳肖军杨宇
- 关键词：退火微晶硅薄膜钽
- 一种基于Fe<Sup>+</Sup>/Si<Sup>+</Sup>复合注入SOI材料的近红外室温发光器件
- 本发明是制成一种基于Fe<Sup>+</Sup>/Si<Sup>+</Sup>复合注入SOI材料的近红外室温发光器件，属于光电子技术领域。本发明的发光器件在近红外波段室温发光，发光器件结构从下到上分别是SOI结构材料→p...
- 王茺周蒙薇欧阳凌曦陈冬阳杨杰
- 文献传递
- 一种离子束溅射技术制备高结晶性Ge/Si多层膜的方法
- 本发明提供一种离子束溅射技术制备高结晶性Ge/Si多层膜的方法，属于半导体低维结构薄膜材料的制备技术领域。本发明基于超高真空离子束溅射技术，以氩（Ar）气为工作气体，在真空度小于3.0×10<Sup>‑4</Sup> P...
- 杨宇刘静王荣飞王茺杨杰龙佳
- 文献传递
- Ge在Si(100)-2×1表面化学吸附的第一性原理研究被引量：2
- 2012年
- 应用密度泛函理论,构造了具有非对称二聚体结构的Si(100)-2×1重构表面,在系统研究了其表面结构及特性的基础上,计算了Ge在不同吸附位置的表面吸附能,以及吸附前后的表面投影态密度。计算结果表明:Ge原子在基位(pedestal)吸附最稳定。另外,在吸附Ge原子之后,我们得到了一个具有完整对称性的特殊Si原子二聚体结构。此结构中相邻的两个二聚体链互相平行且分别与Si表面平行,每对二聚体Si原子呈对称分布。
- 陆顺其王茺靳映霞卜琼琼杨宇
- 关键词：化学吸附密度泛函理论
- 绝缘氧化层上自离子注入Si薄膜W线发光性能的调控
- 2011年
- 对SOI基片上的Si薄膜进行了一系列Si+自注入和热退火的改性实验,并利用低温光致发光(PL)光谱对这些Si薄膜样品的发光性能进行了测试.在这些SOI样品的PL光谱中观察到了丰富的光学结构,包括D1,D2,D3,X以及异常尖锐的W线.通过对比在同等光谱测试条件下的W线归一化强度,获得了针对SOI基片发射W线较为理想的自注入和热退火参数.同时,还对D系列发光峰以及W线的缺陷起源和光学性质进行了很好的讨论.
- 王茺杨宇杨瑞东李亮韦冬靳映霞Bao Ji-Ming
- 关键词：SOI结构
- C诱导层温度对Ge/Si量子点溅射生长的影响
- 2014年
- 采用离子束溅射技术,通过改变诱导量子点形成的C层生长温度,在n型Si(100)衬底上自组装生长了一系列Ge量子点。利用AFM和Raman光谱对样品的表面形貌和结构进行了表征。实验结果表明,当C层的温度从600℃升高到700℃时,Ge量子点的密度逐渐降低,且结晶性变差;此时,量子点中的Si组分升高。当C层的生长温度从700℃升高到800℃过程中,Ge量子点的密度逐渐增大,结晶性也有所改善;此时,量子点中的Si含量降低。
- 刘鹏强王茺周曦杨杰杨宇
- 关键词：离子束溅射GE量子点扩散
- Ge／Si纳米多层膜的光致发红光研究
- 2007年
- 采用磁控溅射设备，当衬底温度为500℃时，在Si（100）基片上磁控溅射生长Ge／Si多层膜样品，使用Raman和低角X射线技术对样品进行检测和研究。在红光波段对样品的光致发光进行了研究，结果表明在红光波段发光峰位来源于薄膜的非晶结构及其薄膜所产生的缺陷；发光峰的强度和峰形受Ge子层和Si子层厚度的影响。
- 杨瑞东陈寒娴邓荣斌孔令德陶东平王茺杨宇
- 关键词：PL谱
- 新型光电子探测材料及应用
- 杨宇王茺杨杰熊飞李亮刘焕林
- 根据该科学在国际上的研究进展，结合中国社会、经济和国防发展的现实需求，围绕可以实现室温工作的红外探测材料和器件开展了各项研究。研究出新型Si基、III-V族低维半导体、钙钛矿结构热释电体材和薄膜，以及钙钛矿热电薄膜等多种...
- 关键词：
- 关键词：红外探测器件
