石秋玲
- 作品数：7 被引量：29H指数：2
- 供职机构：天津大学更多>>
- 相关领域：化学工程更多>>
- 双塔热耦反应精馏除去氯硅烷体系中硼杂质的方法和装置
- 本发明涉及双塔热耦反应精馏除去氯硅烷体系中硼杂质的方法和装置。是在精馏塔T1塔底设置循环泵，将含有未反应的反应剂的物料部分泵循回精馏塔T1，循环量为进料量的6％～7％。精馏塔T1为板式塔，精馏塔T2塔为填料塔或是板式塔。...
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- 双塔热耦反应精馏除去氯硅烷体系中硼杂质的方法和装置
- 本发明涉及双塔热耦反应精馏除去氯硅烷体系中硼杂质的方法和装置。是在精馏塔T1塔底设置循环泵，将含有未反应的反应剂的物料部分泵循回精馏塔T1，循环量为进料量的6％～7％。精馏塔T1为板式塔，精馏塔T2塔为填料塔或是板式塔。...
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- 文献传递
- 改良西门子法生产多晶硅中反应精馏除硼的模拟研究
- 目前，我国多晶硅生产大多采用改良西门子法。改良西门子法中的关键步骤之一是对氢化还原的原料三氯氢硅进行精制。由于氯硅烷物系的特殊性，硼化合物等杂质难以去除，精馏提纯难度大，往往要用多级精馏实现硼化合物的分离，提纯次数多，单...
- 石秋玲
- 关键词：多晶硅
- 一种适用于催化反应精馏的新型填料被引量：4
- 2012年
- 为适应催化反应精馏填料需要高持液量及高效率的应用特点,开发了一种新型多层丝网填料PACTU-800,并通过设计中试装置对其进行了流体力学性能测试及传质性能测试。以空气-水为测试物系的冷模实验表明,F因子为0—0.55时,喷淋密度增大则压降增大,F>0.55时,压降变化没有明显规律;并经拟合得到泛点气速公式,与贝恩-霍根公式计算值相对误差为9.1%;以正庚烷-甲基环己烷为测试物系的热模实验表明:该填料理论板数较高,且F因子对其影响不大;F>2.3时,压降开始急剧增大。结果说明:PACTU-800操作弹性大,持液量大,适合高气液负荷下操作;其通量大,压降变化小,停留时间长,效率较高且较恒定。
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- 关键词：催化反应精馏压降
- 去除氯硅烷体系中硼杂质的隔板吸附装置及方法
- 本发明涉及一种去除氯硅烷体系中杂质硼化合物的隔板吸附装置，由一个与塔式吸附段高度相同、置于塔中部的隔板，将该装置分为四个区域：公共精馏段(1)，塔式吸附段(2)，侧线采出段(3)，公共提馏段(4)；在塔式吸附段(2)内填...
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- 文献传递
- 多晶硅生产中三氯氢硅精馏节能工艺被引量：23
- 2011年
- 简述了多晶硅行业概况和差压耦合蒸馏节能技术。详述了一种高纯三氯氢硅差压耦合精馏工艺,利用高压塔塔顶蒸汽作为低压塔塔釜再沸器热源,实现了能量的集成与过程优化。运用化工模拟软件PRO/Ⅱ8.1模拟了两塔高纯三氯氢硅差压耦合精馏工艺和三塔高纯三氯氢硅差压耦合精馏工艺的设计参数。结果显示,两塔耦合三氯氢硅一次收率为92.0%,理论节能50.1%;三塔耦合三氯氢硅一次收率为92.0%,理论节能66.7%,效果更好。该技术已成功实现工业化,可使精馏单元实际能耗平均降低40%～60%,同时大幅减少了设备投资。
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- 关键词：多晶硅差压节能
- 去除氯硅烷体系中硼杂质的隔板吸附装置及方法
- 本发明涉及一种去除氯硅烷体系中杂质硼化合物的隔板吸附装置，由一个与塔式吸附段高度相同、置于塔中部的隔板，将该装置分为四个区域：公共精馏段(1)，塔式吸附段(2)，侧线采出段(3)，公共提馏段(4)；在塔式吸附段(2)内填...
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