胡丰伟
- 作品数：17 被引量：26H指数：2
- 供职机构：常州大学更多>>
- 发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程理学电子电信更多>>
- 一种一阶二极管桥电路实现的忆阻模拟器
- 本发明公开了一种一阶二极管桥电路实现的忆阻模拟器，包括二极管整流桥电路和一阶滤波电路。二极管整流桥电路包括二极管D1、D2、D3和D4；二极管D1的负极端与二极管D2的负极端相连，记作b端；二极管D2的正极端与二极管D3...
- 包伯成胡丰伟于晶晶姜盼王春丽
- 文献传递
- 一种记忆系统混沌信号产生器
- 本发明公开了一种记忆系统混沌信号产生器，包括记忆元件电路和三阶线性系统电路。记忆元件电路包括第一积分电路、设于第一积分电路后级第一乘法器、设于第一积分电路前级第八增益电路。三阶线性系统电路的输出端分别与第八增益电路输入端...
- 包伯成胡丰伟邹相武花干王春丽
- 文献传递
- 忆阻电路等效建模与动力学分析
- 忆阻器是物理上新实现的具有记忆特性的非线性基本二端电路元件。本文根据φ–q关系式的泰勒级数形式构建了荷控忆阻器等效电路分析模型,以三次非线性荷控忆阻器模型为例,对不同参数条件下的荷控忆阻器进行了伏安关系、有无源性等电路特...
- 胡丰伟
- 关键词：动力学特性
- 文献传递
- 一种记忆系统混沌信号产生器
- 本发明公开了一种记忆系统混沌信号产生器，包括记忆元件电路和三阶线性系统电路。记忆元件电路包括第一积分电路、设于第一积分电路后级第一乘法器、设于第一积分电路前级第八增益电路。三阶线性系统电路的输出端分别与第八增益电路输入端...
- 包伯成胡丰伟邹相武花干王春丽
- 文献传递
- 一种基于二极管桥实现的忆阻混沌信号发生器
- 本发明公开一种基于二极管桥实现的忆阻混沌信号发生器，二极管桥级联RC滤波器构成的忆阻器M包括二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、电阻R、电容C；二极管D1负极端与二极管D2负极端相连，记作e端；二极管D2正极...
- 包伯成于晶晶胡丰伟姜盼王春丽
- 文献传递
- HP TiO_2忆阻线性和非线性模型及其特征分析
- 2014年
- 为了分析HP TiO2忆阻模型的本质特征,比较基本模型与非线性窗函数模型之间本质特征的差异,概述了几种典型的HP TiO2忆阻非线性窗函数模型的特点,开展了HP TiO2忆阻基本模型的本质特征分析,并对几种非线性窗函数模型的本质特征进行了比较。结果表明,对于任意忆阻初始状态和任意振幅与频率的正弦电流激励,HP TiO2忆阻模型都能呈现出紧磁滞回线特征;不同的非线性窗函数模型的特征受其非线性漂移的影响,所产生的输出电压和忆阻值有着不同的瞬态过渡过程,且忆阻初始状态值越大,非线性漂移影响就越严重,导致部分HP TiO2忆阻模型性能失效。
- 包伯成武花干乔晓华胡丰伟
- 关键词：窗函数
- 记忆系统混沌信号产生器
- 本发明涉及一种具有记忆效应的非线性系统混沌信号产生器，即记忆系统混沌信号产生器。所述记忆系统混沌信号产生器包括一个三阶线性系统电路和一个记忆元件电路。采用本发明的混沌信号产生器可以实现一个系统动力学特性由其初始条件控制的...
- 包伯成邹相王春丽胡丰伟
- 文献传递
- 一种MCLC型的忆阻混沌信号发生装置
- 本发明公开了一种MCLC型的忆阻混沌信号发生装置，主电路包括：两个运算放大器U<Sub>1a</Sub>和U<Sub>1b</Sub>、电容C<Sub>1</Sub>、电容C<Sub>2</Sub>、电感L、电阻R<Su...
- 包伯成于晶晶姜盼林毅胡丰伟
- 文献传递
- 记忆系统混沌信号产生器
- 本发明涉及一种具有记忆效应的非线性系统混沌信号产生器，即记忆系统混沌信号产生器。所述记忆系统混沌信号产生器包括一个三阶线性系统电路和一个记忆元件电路。采用本发明的混沌信号产生器可以实现一个系统动力学特性由其初始条件控制的...
- 包伯成邹相王春丽胡丰伟
- 文献传递
- 荷控忆阻器等效电路分析模型及其电路特性研究被引量：15
- 2013年
- 忆阻器是物理上新实现的具有记忆特性的基本二端电路元件.根据-q关系式的泰勒级数形式构建了荷控忆阻器等效电路分析模型,以三次非线性荷控忆阻器模型为例,对不同参数条件下的荷控忆阻器进行了伏安关系、有无源性等电路特性的理论分析.结果表明:荷控忆阻器的伏安关系具有斜体"8"字形紧磁滞回线特性,随其参数符号的不同,荷控忆阻器呈现出无源性和有源性,导致其电路特性发生相应的变化;相比无源荷控忆阻器,有源荷控忆阻器更适用于作为二次谐波信号产生电路使用.制作了荷控忆阻器特性分析等效电路的实验电路,实验测量结果很好地验证了理论分析结果.
- 胡丰伟包伯成武花干王春丽
- 关键词：等效电路伏安关系电路特性
