赖晓慧
- 作品数：2 被引量：7H指数：1
- 供职机构：江苏大学能源与动力工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学更多>>
- 蓝宝石基GaN薄膜的热应力模拟分析被引量：7
- 2013年
- 利用有限元分析软件ANSYS对蓝宝石基GaN薄膜的应力进行了模拟分析,并通过理论计算验证了其合理性。模拟出了蓝宝石基GaN薄膜应力的分布情况。分析了应力与沉积温度、薄膜厚度、衬底厚度的关系,同时研究了不均匀温度分布对应力的影响。模拟结果显示:薄膜上表面在径向上,中心处热应力最大,薄膜边缘应力发生了突降,其他部分应力分布比较均匀。研究表明沉积温度升高、薄膜厚度减小以及衬底厚度增大都会使热应力变大。衬底径向温度不均匀时,热应力有增大的趋势,且温差越大,热应力就越大。
- 董位左然赖晓慧师珺草
- 关键词：GAN薄膜热应力沉积温度数值模拟
- HVPE反应器的环形分隔进口数对生长均匀性的影响
- 2013年
- 利用FLUENT软件对3种环形分隔进口(4环、8环、12环)的氢化物气相外延(HVPE)反应器的生长均匀性进行了二维数值模拟研究。分别考虑输运模型和输运-生长模型,模拟过程保持相同的GaCl、NH3及N2气体进口流量。结果显示:在只考虑输运的模型中,反应室流动均匀性随着进口环数的增多而改善。8环进口时,衬底上方温度分布最均匀;4环进口时,衬底上方的GaCl浓度较高,但均匀性最差,Ⅴ/Ⅲ比也较低;8环及12环进口可得到均匀的GaCl浓度分布及较高的Ⅴ/Ⅲ比。在包括输运和GaN生长的模型中,尽管8环进口反应器衬底上方的GaCl浓度低于12环进口反应器,却因其较薄的边界层厚度而导致较高的生长速率,并且生长均匀性较高。因此,8环进口反应室更有利于GaN的HVPE生长。
- 赖晓慧左然师珺草刘鹏童玉珍张国义
- 关键词：HVPEGAN反应器设计数值模拟
