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邓志杰

作品数：29 被引量：93H指数：6
供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信电气工程经济管理理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 26篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 19篇电子电信
  • 5篇经济管理
  • 5篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 13篇单晶
  • 8篇半导体
  • 6篇电池
  • 6篇太阳电池
  • 5篇晶体
  • 5篇半导体材料
  • 4篇位错
  • 4篇晶体生长
  • 3篇锑化镓
  • 3篇GASB单晶
  • 2篇单晶材料
  • 2篇单晶生长
  • 2篇电器件
  • 2篇砷化镓
  • 2篇微电子
  • 2篇位错密度
  • 2篇消费量
  • 2篇化合物半导体
  • 2篇光电
  • 2篇光电器件

机构

  • 29篇北京有色金属...

作者

  • 29篇邓志杰
  • 13篇郑安生
  • 7篇屠海令
  • 5篇俞斌才
  • 3篇钱嘉裕
  • 3篇王雁
  • 2篇韩庆斌
  • 1篇王永鸿
  • 1篇王荣敏
  • 1篇韩庆彬
  • 1篇黎建明
  • 1篇张峰翊
  • 1篇罗志强
  • 1篇刘锡田
  • 1篇钱佑华
  • 1篇陈坚邦

传媒

  • 13篇稀有金属
  • 5篇中国金属通报
  • 3篇世界有色金属
  • 3篇中国集成电路
  • 2篇半导体技术

年份

  • 1篇2004
  • 1篇2003
  • 2篇2002
  • 2篇2001
  • 11篇2000
  • 2篇1999
  • 1篇1998
  • 1篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1993
  • 2篇1992
  • 1篇1991
  • 1篇1989
共 29 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
单晶硅市场概述被引量：1
2000年
据预测,未来20年内,半导体工业可能超过钢铁工业.年均增长率将高达20%,大大高于其它工业的增长速度,到2000年,全世界半导体工业总产值将达3000亿元。
邓志杰
关键词：单晶硅半导体工业晶片加工芯片钢铁工业
n型<100>掺硫GaP单晶研制
1992年
近年来,国内对发光二极管(LED)的需求量越来越大,并由单一的红、绿色向多色化发展。本文报道了黄、橙、红色LED用n型GaP单晶衬底的生长工艺及产品用作衬底和芯片的使用情况。 (一)单晶制备 单晶生长在MSR6R高压单晶炉内进行,石墨电阻加热。99.9999％的高纯镓及高纯磷先期在高压合成炉内制成GaP多晶。
俞斌才邓志杰马三胜刘锡田
关键词：磷化镓单晶硫掺杂剂N型半导体
水平磁场中 GaSb 单晶的生长被引量：1
1993年
GaSb 单晶是制备三、四元含锑化合物、Ⅲ-Ⅴ族合金及超晶格等材料的重要衬底材料。用 GaSb 单晶为衬底研制的 GaAs/GaSb 迭层太阳能电池转换效率超过30%,是目前转换效率最高的太阳能电池。
邓志杰郑安生武希康屠海令
关键词：单晶GASB磁场
高纯镓的供需及应用现状
1999年
镓(Ga)是1875年发现的,是门捷列夫元素周期表发表后,新发现的第1个元素。在其后80多年时间内,Ga并未得到大量应用,直到本世纪50年代末,全世界Ga的消费量还不足100kg/a。60年代以来,随GaAs等Ⅲ—Ⅴ族化合物的研制,开发和生产,使高纯Ga(纯度6N及6N以上)的用量逐年增加,并成为Ga的主要应用、消费领域。
邓志杰
关键词：消费量元素周期表消费国国防军
GaAs单晶材料发展现状和展望被引量：1
2000年
概述了各种GaAs单晶生产工艺的发展现状 ,并进行了简要比较。目前 ,全世界GaAs单晶产量约 80～ 10 0t。随着各类GaAs器件和电路需求量的增长 ,GaAs单晶生产规模还在不断扩大 ;
邓志杰
关键词：GAAS单晶生产工艺位错热应力
砷化镓及相关化合物半导体材料的研究进展和应用前景
随着信息技术的发展,化合物半导体材料在微电子和光电子学中发挥越来越重要的作用。以砷化镓(GaAs)为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料正沿着大直径、高质量、低成本方向迅速发展。本文着重叙述了GaAs 单晶工艺技术现状,讨论了...
屠海令郑安生张峰翊邓志杰王永鸿钱嘉裕韩庆彬陈坚邦
关键词：晶体生长砷化镓
文献传递
半绝缘GaAs单晶材料发展现状
2002年
一、前言 GaAs是目前工艺最成熟、生产量最大的化合物半导体材料。它具有直接跃迁较大带隙、电子迁移率高、易于制成半绝缘单晶(其电阻率可达10~9Ωcm,是理想的微波传输介质,在IC加工中不必另外制作绝缘隔离层,既简化了IC加工过程又降低了寄生电容从而更有利于提高器件工作速度)等优良性能(表1)。
邓志杰郑安生俞斌才
关键词：半绝缘晶体生长位错密度电阻率
掺锌(100)GaSb单晶的生长被引量：4
2001年
采用LEC方法研制出掺锌 (10 0 )GaSb单晶 ;用霍尔测量法算出的锌掺杂浓度计算得出锌的有效分凝系数keff约为 0 84± 0 0 1,沿晶体生长方向随着锌浓度的提高 ,位错密度缓慢增加 ,数值约为 (2～ 3.2 )× 10 3cm-2 ,当掺锌浓度大于 3× 10 19cm-3 以后 ,GaSb发生简并 ,载流子浓度随掺锌浓度的增加缓慢提高。采用重掺锌母合金作掺杂剂 ,可减少锌的损失 。
黎建明屠海令郑安生邓志杰罗志强
关键词：位错密度简并掺杂锑化镓晶体生长
非晶硅太阳电池发展现状被引量：2
1997年
介绍了国际上非晶硅（ａＳｉ）太阳电池在提高转换效率和可靠性、降低生产成本、实现产业化方面的最新进展。通过对ａＳｉ材料质量及界面的不断改进、电池结构的优化，目前９００ｃｍ２迭层电池组件的稳定效率达１０２％。同时，生产成本不断下降，产业化规模不断扩大，显示了ａＳｉ电池作为可再生清洁能源的强大生命力。
邓志杰
关键词：非晶硅太阳电池
SiGe/Si材料及其在微电子学中的应用被引量：2
2003年
Si 和 Ge 是开发最早、生产工艺最为成熟的半导体材料,用它们的合金或异质结材料来提升单纯Si 或单纯 Ge 材料及其器件的性能是人们自然的追求。1984年贝尔实验室首先用分子束外延(MB)E 技术生长出高质量的应变 SiGe/Si 异质结;1987年IBM 等4家公司几乎同时研制出 SiGe/Si
邓志杰郑安生俞斌才
关键词：SIGE微电子学晶格常数硅材料
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